【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置以及半导体装置的制造方法
[0001]本专利技术涉及一种半导体装置以及半导体装置的制造方法。
技术介绍
[0002]以往，已知有向半导体晶片注入氢离子来调整半导体晶片的掺杂浓度的技术(例如，参照专利文献1)。
[0003]专利文献1：US2015/0050754号
技术实现思路
[0004]技术问题
[0005]优选能够使氢容易地扩散到远离氢的注入位置的区域。
[0006]技术方案
[0007]为了解决上述课题，在本专利技术的一个方式中，提供一种半导体装置，该半导体装置具备半导体基板，该半导体基板具有上表面和下表面并包含体施主。半导体装置可以具备第一导电型的缓冲区，其配置在半导体基板的下表面侧，且包含氢施主，并且半导体基板的深度方向上的掺杂浓度分布具有单个的第一掺杂浓度峰。半导体装置可以具备第一导电型的高浓度区，其配置在缓冲区与半导体基板的上表面之间，且包含氢施主，并且施主浓度比体施主浓度高。半导体装置可以具备第一导电型或第二导电型的下表面区，其配置在缓冲区与半导体基...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置，其特征在于，具备：半导体基板，其具有上表面和下表面，并包含体施主；第一导电型的缓冲区，其配置在所述半导体基板的所述下表面侧，并包含氢施主，并且所述半导体基板的深度方向上的掺杂浓度分布具有单个的第一掺杂浓度峰；第一导电型的高浓度区，其配置在所述缓冲区与所述半导体基板的所述上表面之间，并包含氢施主，并且施主浓度比体施主浓度高；第一导电型或第二导电型的下表面区，其配置在所述缓冲区与所述半导体基板的所述下表面之间，且掺杂浓度比所述高浓度区的掺杂浓度高。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述缓冲区的所述第一掺杂浓度峰是氢施主的浓度峰。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述缓冲区的所述第一掺杂浓度峰是除氢施主以外的N型掺杂剂的浓度峰。4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置还具备配置在所述半导体基板的所述上表面侧的杂质化学浓度峰，所述杂质化学浓度峰的上侧下摆的杂质化学浓度从顶点朝向所述上表面侧减小，所述杂质化学浓度峰的下侧下摆的杂质化学浓度从顶点朝向所述下表面侧减小，所述杂质化学浓度峰的所述上侧下摆的杂质化学浓度比所述杂质化学浓度峰的所述下侧下摆的所述杂质化学浓度更急剧地减小，所述高浓度区从所述缓冲区的所述第一掺杂浓度峰起设置到所述杂质化学浓度峰为止。5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置还具备：氢化学浓度峰，其配置在与所述缓冲区的所述第一掺杂浓度峰相同的深度位置；以及第二掺杂浓度峰，其配置在与所述杂质化学浓度峰相同的深度位置，所述杂质化学浓度峰是氢的化学浓度峰，各浓度峰具有浓度随着从所述半导体基板的所述下表面朝向所述上表面增大的下侧下摆，利用所述杂质化学浓度峰的所述下侧下摆的倾斜度将所述第二掺杂浓度峰的所述下侧下摆的倾斜度归一化所得的值小于利用所述氢化学浓度峰的所述下侧下摆的倾斜度将所述第一掺杂浓度峰的所述下侧下摆的倾斜度归一化所得的值。6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述高浓度区在所述半导体基板的深度方向上具有所述半导体基板的厚度的50％以上的长度。7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述高浓度区在所述半导体基板的深度方向上具有70μm以上的长度。8.根据权利要求1至7中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述高浓度区的施主浓度是所述体施主浓...
【专利技术属性】
技术研发人员：洼内源宜，吉村尚，泷下博，内田美佐稀，根本道生，
申请(专利权)人：富士电机株式会社，
类型：发明
国别省市：
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