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本发明提供一种半导体装置，所述半导体装置具备：半导体基板，其具有上表面和下表面，并包含体施主；第一导电型的缓冲区，其配置在半导体基板的下表面侧，并包含氢施主，并且半导体基板的深度方向上的掺杂浓度分布具有单个的第一掺杂浓度峰；第一导电型的高浓...
该专利属于富士电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过富士电机株式会社授权不得商用。

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