一种用于降低CVD合成金刚石杂质含量的装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术属于金刚石合成设备技术领域，涉及一种用于降低CVD合成金刚石杂质含量的装置，其中，包括底座，所述底座的顶部固定连接有处理箱和水箱，所述处理箱的内壁固定连接有过滤板，所述过滤板的顶部固定连接有支撑座，所述支撑座的顶部固定连接有操作台，所述操作台的顶部固定连接有镀层。其有益效果是，通过设置第二电机、第二转轴、卡接板和打磨板，方便对金刚石籽晶进行打磨，方便对杂质进行清理，在生产时减少杂质，通过设置卡接口，方便打磨多个金刚石籽晶，方便使用，通过设置支撑板和螺栓，方便对打磨板进行更换，避免长时间使用，导致打磨效果下降，通过设置支撑座、工作台和镀层，方便对多个金刚石籽晶进行加工使用。方便对多个金刚石籽晶进行加工使用。方便对多个金刚石籽晶进行加工使用。

【技术实现步骤摘要】
一种用于降低CVD合成金刚石杂质含量的装置


[0001]本技术属于金刚石合成设备
，具体涉及一种用于降低CVD合成金刚石杂质含量的装置。

技术介绍

[0002]CVD金刚石。含碳气体（如甲烷）和氢气的混合物在高温和低于标准大气压的压力下被激发分解，形成等离子态碳原子，并在基体上沉积交互生长成聚晶金刚石（或控制沉积生长条件沉积生长金刚石单晶或者准单晶），在金刚石合成时，需要对杂质进行处理；
[0003]现有的合成金刚石杂质降低装置，如一种降低CVD合成金刚石杂质含量的装置，公开号：CN209468524U，公开日：20191008，虽解决了隔绝的问题，并没有解决对操作台进行清洗、对金刚石籽晶进行打磨清理和在加工完毕后对处理箱内进行散热的问题。

技术实现思路

[0004]为解决上述
技术介绍
中提出的问题。本技术提供了一种用于降低CVD合成金刚石杂质含量的装置，其解决了不能对操作台进行清洗、无法对金刚石籽晶进行打磨清理和不能在加工完毕后对处理箱内进行散热的技术问题。
[0005]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种用于降低CVD合成金刚石杂质含量的装置，包括底座，所述底座的顶部固定连接有处理箱和水箱，所述处理箱的内壁固定连接有过滤板，所述过滤板的顶部固定连接有支撑座，所述支撑座的顶部固定连接有操作台，所述操作台的顶部固定连接有镀层，所述镀层的顶部放置有多个金刚石籽晶，所述处理箱的内壁顶部设置有加工组件，所述水箱的内壁底部固定连接有水泵，所述水泵的输出端固定连接有连通管，所述水箱的顶部固定连接有收纳箱，所述连通管穿过收纳箱并位于收纳箱内，所述连通管的另一端固定连接有喷头，所述处理箱的一侧开设有收纳槽，所述收纳槽开设有多个通风口，所述收纳槽内设置有散热组件。
[0006]作为本技术的进一步方案：所述散热组件包括第一电机，所述第一电机固定连接在收纳槽的一侧，所述第一电机的输出端固定连接有第一转轴，所述第一转轴的外表面固定连接有扇叶，所述处理箱的一侧设置有通风窗。
[0007]作为本技术的进一步方案：所述处理箱的内壁顶部固定连接有两个电动推杆，两个所述电动推杆的底端固定连接有同一个连接板，所述连接板的底部固定连接有第二电机，所述第二电机的输出端固定连接有第二转轴，所述第二转轴的底端固定连接有卡接板，所述卡接板的底部开设有多个卡接口。
[0008]作为本技术的进一步方案：所述过滤板的顶部固定连接有支撑板，所述支撑板的顶部通过螺栓卡接有打磨板，所述处理箱的内壁底部设置有废水箱，所述处理箱的正面设置有箱门，所述箱门上设置有透明窗。
[0009]作为本技术的进一步方案：所述底座的底部固定连接有防滑垫，所述处理箱的顶部固定连接有蓄电池，所述处理箱的正面设置有控制器。
[0010]作为本技术的进一步方案：所述蓄电池与控制器通过导线电性连接，所述控制器分别与第一电机、第二电机、电动推杆和水泵通过导线电性连接。
[0011]与现有技术相比，本技术的有益效果是：
[0012]1、该用于降低CVD合成金刚石杂质含量的装置，通过设置第二电机、第二转轴、卡接板和打磨板，方便对金刚石籽晶进行打磨，方便对杂质进行清理，在生产时减少杂质，通过设置卡接口，方便打磨多个金刚石籽晶，方便使用，通过设置支撑板和螺栓，方便对打磨板进行更换，避免长时间使用，导致打磨效果下降，通过设置支撑座、工作台和镀层，方便对多个金刚石籽晶进行加工使用；
[0013]2、该用于降低CVD合成金刚石杂质含量的装置，通过设置通风口和收纳槽，方便在加工完毕后对处理箱内进行散热，通过设置第一电机、第一转轴、扇叶和通风窗，增大空气流通速率，使散热效果大大增加，通过设置水箱、水泵、连通管和喷头，方便对打磨板和操作台进行清洗，方便下次使用，通过设置过滤板和废水箱，方便对废水进行收集，通过设置收纳箱，方便对连通管进行收纳，方便进行使用。
附图说明
[0014]附图用来提供对本技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本技术的实施例一起用于解释本技术，并不构成对本技术的限制。在附图中：
[0015]图1为本技术正视剖面的结构示意图；
[0016]图2为本技术正视的结构示意图；
[0017]图3为本技术图1中散热组件的结构示意图；
[0018]图中：1、底座；2、防滑垫；3、处理箱；4、废水箱；5、过滤板；6、支撑座；7、操作台；8、镀层；9、金刚石籽晶；10、加工组件；11、通风口；12、收纳槽；13、散热组件；131、第一电机；132、第一转轴；133、扇叶；134、通风窗；14、支撑板；15、打磨板；16、水箱；17、水泵；18、收纳箱；19、连通管；20、喷头；21、蓄电池；22、电动推杆；23、连接板；24、第二电机；25、第二转轴；26、卡接板；27、卡接口；28、控制器；29、箱门；30、透明窗。
具体实施方式
[0019]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
实施例
[0020]请参阅图1
‑
3，本技术提供以下技术方案：一种用于降低CVD合成金刚石杂质含量的装置，包括底座1，底座1的顶部固定连接有处理箱3和水箱16，处理箱3的内壁固定连接有过滤板5，过滤板5的顶部固定连接有支撑座6，支撑座6的顶部固定连接有操作台7，操作台7的顶部固定连接有镀层8，通过设置支撑座6、工作台和镀层8，方便对多个金刚石籽晶9进行加工使用，镀层8的顶部放置有多个金刚石籽晶9，处理箱3的内壁顶部设置有加工组件10，水箱16的内壁底部固定连接有水泵17，水泵17的输出端固定连接有连通管19，水箱16
的顶部固定连接有收纳箱18，通过设置收纳箱18，方便对连通管19进行收纳，方便进行使用，连通管19穿过收纳箱18并位于收纳箱18内，连通管19的另一端固定连接有喷头20，通过设置水箱16、水泵17、连通管19和喷头20，方便对打磨板15和操作台7进行清洗，方便下次使用，处理箱3的一侧开设有收纳槽12，收纳槽12开设有多个通风口11，通过设置通风口11和收纳槽12，方便在加工完毕后对处理箱3内进行散热，收纳槽12内设置有散热组件13。
[0021]具体的，散热组件13包括第一电机131，第一电机131固定连接在收纳槽12的一侧，第一电机131的输出端固定连接有第一转轴132，第一转轴132的外表面固定连接有扇叶133，处理箱3的一侧设置有通风窗134，通过设置第一电机131、第一转轴132、扇叶133和通风窗134，增大空气流通速率，使散热效果大大增加，处理箱3的内壁顶部固定连接有两个电动推杆22，两个电动推杆22的底端固定连本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于降低CVD合成金刚石杂质含量的装置，包括底座（1），其特征在于：所述底座（1）的顶部固定连接有处理箱（3）和水箱（16），所述处理箱（3）的内壁固定连接有过滤板（5），所述过滤板（5）的顶部固定连接有支撑座（6），所述支撑座（6）的顶部固定连接有操作台（7），所述操作台（7）的顶部固定连接有镀层（8），所述镀层（8）的顶部放置有多个金刚石籽晶（9），所述处理箱（3）的内壁顶部设置有加工组件（10），所述水箱（16）的内壁底部固定连接有水泵（17），所述水泵（17）的输出端固定连接有连通管（19），所述水箱（16）的顶部固定连接有收纳箱（18），所述连通管（19）穿过收纳箱（18）并位于收纳箱（18）内，所述连通管（19）的另一端固定连接有喷头（20），所述处理箱（3）的一侧开设有收纳槽（12），所述收纳槽（12）开设有多个通风口（11），所述收纳槽（12）内设置有散热组件（13）。2.根据权利要求1所述的一种用于降低CVD合成金刚石杂质含量的装置，其特征在于：所述散热组件（13）包括第一电机（131），所述第一电机（131）固定连接在收纳槽（12）的一侧，所述第一电机（131）的输出端固定连接有第一转轴（132），所述第一转轴（132）的外表面固定连接有扇叶（133），所述处理箱（3）的一侧设置有通风窗（134）。3.根据权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏慧涛，
申请(专利权)人：河南赞碳科技有限公司，
类型：新型
国别省市：