【技术实现步骤摘要】
带隙基准电路
[0001]本技术涉及供电
，尤其涉及一种带隙基准电路。
技术介绍
[0002]带隙基准电压源是模拟集成电路中不可缺少的组成部分，在锂电池保护芯片、LED驱动芯片、线性稳压器(LDO)、电源管理芯片、模/数转换器(ADC)、数/模转换器(DAC)、动态存储器(DRAM)、Flash存储器等集成电路设计中，起着至关重要的作用。
[0003]图1为现有技术中带隙基准电压源的电路图，如图1所示，现有技术中带隙基准电压源采用双极型晶体管(BJT)的发射极
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基极电压的负温特性来构建零温的带隙基准，即采用两个双极型晶体管使其偏置在不同电流密度下，通过两个晶体管的基极
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发射极电压差值产生正温电流，让正温电流流过一定数量的电阻产生正温电压，将该正温电压与双极型晶体管的基极
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发射极电压 (负温电压)叠加，从而得到与温度无关的基准电压。
[0004]现有技术中带隙基准电路采用的是双极型晶体管，工作电流较大，功耗高，同时双极型晶体管基极会有电流流过，也
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种带隙基准电路，其特征在于，所述带隙基准电路包括：恒流电源模块和补偿模块，所述恒流电源模块至少包括启动单元和电流镜单元，所述补偿模块包括至少一个增强型MOS管和至少一个耗尽型MOS管，增强型MOS管和耗尽型MOS管串联，所述启动单元和所述电流镜单元相连，所述电流镜单元中的PMOS管MP5的源极连接预设电压；PMOS管MP5的漏极与所述补偿模块中的第一增强型MOS管的漏极相连，所述第一增强型MOS管的源极与第二耗尽型MOS管的漏极相连；或PMOS管MP5的漏极与所述补偿模块中的第一耗尽型MOS管的漏极相连，所述第一耗尽型MOS管的源极与第二增强型MOS管的漏极相连。2.根据权利要求1所述的带隙基准电路，其特征在于，所述补偿模块包括一个增强型NMOS管和多个耗尽型NMOS管，PMOS管MP5的漏极与所述补偿模块中的第一耗尽型NMOS管的漏极相连，所述第一耗尽型NMOS管的源极与第二增强型NMOS管的漏极相连，第二增强型NMOS管的源极与第三耗尽型NMOS管的漏极相连，直至串联连接到第N耗尽型NMOS管，其中，N为大于0的自然数。3.根据权利要求2所述的带隙基准电路，其特征在于，第三耗尽型NMOS管的源极和第四耗尽型NMOS管的漏极串联，第四耗尽型NMOS管的源极和第五耗尽型NMOS管的漏极串联，第五耗尽型NMOS管的源极和第六耗尽型NMOS管的漏极串联，第六耗尽型NMOS管的源极和第七耗尽型NMOS管的漏极串联，第七耗尽型NMOS管的源极和第八耗尽型NMOS管的漏极串联，第八耗尽型NMOS管的源极和第九耗尽型NMOS管的漏极串联，第九耗尽型NMOS管的源极和第十耗尽型NMOS管的漏极串联，第十耗尽型NMOS管的源极和第十一耗尽型NMOS管的漏极串联，第十一耗尽型NMOS管的源极接地。4.根据权利要求1所述的带隙基准电路，其特征在于，所述补偿模块包括一个耗尽型NMOS管和多个增强型NMOS管，PMOS管MP5的漏极与所述补偿模块中的第一增强型NMOS管的漏极相连...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨士斌，黄照兴，丁懿慧，
申请(专利权)人：铠强科技平潭有限公司，
类型：新型
国别省市：
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