一种以氮杂苯为核心的化合物及其应用制造技术

本发明专利技术公开了一种以氮杂苯为核心的化合物及其应用，属于半导体技术领域。该化合物结构如通式(1)所示，其具有氮杂苯和芴类结构，刚性较强，具有分子间不易结晶、不易聚集、具有良好成膜性的特点，具有高的玻璃化温度及热稳定性，所以，本发明专利技术化合物应用于OLED器件时，可保持材料成膜后的膜层稳定性，提高OLED器件使用寿命。通过器件结构优化，可有效提升OLED器件的光电性能以及OLED器件的寿命。的光电性能以及OLED器件的寿命。的光电性能以及OLED器件的寿命。

【技术实现步骤摘要】
一种以氮杂苯为核心的化合物及其应用


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种以氮杂苯为核心的化合物及其应用。

技术介绍

[0002]有机电致发光器件包括阳极、阴极以及设置在阳极和阴极之间的包括发光层的有机功能层，其中有机功能层是在阴极和阳极之间各层的总称。此外，在阳极和发光层之间可以存在空穴传输区域，并且在发光层和阴极之间可以存在电子传输区域。来自阳极的空穴可以通过空穴传输区域向发光层迁移，来自阴极的电子可以通过电子传输区域向发光层迁移。载流子(例如，空穴和电子)在发光层中复合并产生激子。根据量子力学原理，有机金属化合物材料作为掺杂材料可以实现100％的内量子产率。
[0003]尽管如此，对于三线态发光的磷光OLED，在器件电压、电流效率以及寿命方面仍然有改进的需求。尤其是对发光层中的主体和掺杂材料提出了更高的要求。其中，主体材料的性能通常会较大程度地影响有机电致发光器件的上述关键性能。
[0004]根据现有技术，咔唑类衍生物通常用作磷光掺杂的空穴型主体材料，三嗪类衍生物通常用作磷光掺杂的电子型主体材料。电子型主体本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种以氮杂苯为核心的化合物，其特征在于，所述化合物结构如通式(1)所示：通式(1)中，R1表示为取代或未取代的苯基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的咔唑基、取代或未取代的氮杂苯基、取代或未取代的氮杂二苯并呋喃基、取代或未取代的氮杂咔唑基中的一种；L表示为单键、取代或未取代的C6‑
C
30
亚芳基；Z1‑
Z3分别独立的表示为N或CH；且Z1‑
Z3表示为N的个数为2或3；X表示为O或S；*1、*2所示位点通过L1‑
L4任意相邻的两个位点并环连接；虚线表示单键存在或不存在；R3表示为通式(3)或通式(4)所示结构；R
a
、R
b
、R
c
、R
d
分别独立的表示为氢原子、C1‑
C
10
的烷基或C6‑
C
30
芳基；所述“取代或未取代”的取代基任选自氘、氚、卤素原子、氰基、C1‑
C
20
的烷基、C6‑
C
20
芳基、有一个或多个杂原子的C2‑
C
20
杂芳基的一种或多种；所述杂芳基中的杂原子选自氮、氧或硫。2.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，所述化合物结构如通式(2
‑
1)
...

【专利技术属性】
技术研发人员：殷梦轩，陈海峰，李崇，
申请(专利权)人：江苏三月科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：