一种单段线性照明驱动的浪涌保护电路制造技术

本申请涉及一种单段线性照明驱动的浪涌保护电路，其包括交流信号输入端、整流芯片U1、LED灯串、内置MOS的LED驱动芯片U2和保护元件；交流信号输入端，电连接至整流芯片U1的输入端，用于接收外界输入的交流信号；整流芯片U1的输出端电连接至LED灯串的阳极，LED灯串的阴极电连接至内置MOS的LED驱动芯片U2用于改变LED工作状态的控制引脚，保护元件的一端电连接至控制引脚，保护元件的另一端接地。本申请具有提高低压电压抗浪涌能力相对较弱的芯片IC的抗浪涌能力的效果。IC的抗浪涌能力的效果。IC的抗浪涌能力的效果。

【技术实现步骤摘要】
一种单段线性照明驱动的浪涌保护电路


[0001]本申请涉及芯片浪涌保护的领域，尤其是涉及一种单段线性照明驱动的浪涌保护电路。

技术介绍

[0002]高压线性方案具备很多优势，由驱动IC的控制方式又分成几种具体应用，一般情况下以控制灯珠亮与不亮的节奏，可分为单段，三段，两段等情况，各自有各自的特点，在灯珠如何布线，灯具应用范围场景都有讲究。
[0003]单段：输入电压的正弦波变化自动导通LED灯串。当电压上升，达到LED导通电压时，LED灯串点亮。此后，LED灯串电压保持不变，电压继续升高，多余的压降由芯片内部的高压功率管承担；如果电压下降，则过程相反。优点：价格便宜，极易灯珠布线。缺点：功率小，效率偏低，对母线电压变化适应差容易出现压闪。
[0004]在市场需求中，对于小功率30W以下的单段线性方案过1000V浪涌要求：针对内置MOS
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650V或700V抗浪涌冲击比较强的芯片IC，只需要在前端增加FR1
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20R的保险丝电阻和VR1
‑
CMS0806V471P500的方案即可。在实际使用的过程中，不需要增加其它的保护元件。
[0005]在实现相关技术的过程中，专利技术人发现该相关技术中至少存在如下问题：但是对于内置MOS
‑
500V或更低压电压抗浪涌能力相对较弱的芯片IC，上述的保护元件不能满足电路的需求，芯片IC内置MOS容易被击穿，抗浪涌于能力弱。

技术实现思路

[0006]为了提高内置MOS
‑
500V或更低压电压抗浪涌能力相对较弱的芯片IC的抗浪涌能力，本申请提供一种单段线性照明驱动的浪涌保护电路。
[0007]本申请提供的一种单段线性照明驱动的浪涌保护电路采用如下的技术方案：
[0008]一种单段线性照明驱动的浪涌保护电路，包括交流信号输入端、整流芯片U1、LED灯串、内置MOS的LED驱动芯片U2和保护元件；所述交流信号输入端，电连接至所述整流芯片U1的输入端，用于接收外界输入的交流信号；所述整流芯片U1的输出端电连接至所述LED灯串的阳极，所述LED灯串的阴极电连接至内置MOS的LED驱动芯片U2用于改变LED工作状态的控制引脚，所述保护元件的一端电连接至所述控制引脚，所述保护元件的另一端接地。
[0009]通过采用上述技术方案，在整体功率较小的情况下，通过在内置MOS的LED驱动芯片U2的后端增设有保护元件，以增加防浪涌的可靠性，以满足单段线性方案过1000V的浪涌要求。
[0010]作为优选，所述保护元件包括压敏电阻VR2。
[0011]通过采用上述技术方案，保护元件设为压敏电阻，主要用于在电路承受过压时进行电压钳位，吸收多余的电流以保护敏感器件。
[0012]作为优选，所述保护元件包括瞬态抑制二极管TVS。
[0013]通过采用上述技术方案，瞬态抑制二极管TVS，能够起到钳位的作用，使得驱动芯
片能够承受更大能量的浪涌电流。
[0014]作为优选，所述保护元件还包括电阻器R2、电容器C1或者电感器L1中的任意一种元器件，所述压敏电阻VR2与所述电阻器R2、电容器C1或者电感器L1串联或并联。
[0015]通过采用上述技术方案，压敏电阻VR2可与电阻器R2、电容器C1或者电感器L1相组合后，有三种大的分类；每一类中可以有串联或并联的分类，多种组合方式，逐步优化电路的抗浪涌性能。
[0016]作为优选，所述保护元件还包括电阻器R2、电容器C1或者电感器L1中的任意两种元器件，所述压敏电阻VR2与所述电阻器R2、电容器C1或者电感器L1串联或并联。
[0017]通过采用上述技术方案，压敏电阻VR2可与电阻器R2、电容器C1或者电感器L1相组合后，有两种大的分类；每一类中可以有串联或并联的分类，多种组合方式，逐步优化电路的抗浪涌性能。
[0018]作为优选，所述保护元件还包括电阻器R2、电容器C1和电感器L1，所述压敏电阻VR2与所述电阻器R2、电容器C1或者电感器L1串联或并联。
[0019]通过采用上述技术方案，压敏电阻VR2可与电阻器R2、电容器C1或者电感器L1相组合后，可以有串联或并联的分类，多种组合方式，逐步优化电路的抗浪涌性能。
[0020]作为优选，所述交流信号输入端与所述整流芯片U1之间串联有保险丝FR1。
[0021]通过采用上述技术方案，保险丝FR1在电流异常升高到一定的高度和热度的时候，自身熔断切断电流，保护了电路安全运行。
[0022]作为优选，浪涌保护电路还包括压敏电阻VR1，所述压敏电阻VR1并联在所述整流芯片U1的两个输入端之间，且所述压敏电阻VR1的一端电连接于所述保险丝FR1与所述整流芯片U1之间的连接点处。
[0023]通过采用上述技术方案，在整流芯片U1的前端设置压敏电阻，主要用于在电路承受过压时进行电压钳位，吸收多余的电流以保护敏感器件。
[0024]作为优选，所述内置MOS的LED驱动芯片U2的电流采样端通过采样电阻器R1接地。
[0025]综上所述，本申请包括以下至少一种有益技术效果：
[0026]在整体功率较小的情况下，通过在内置MOS的LED驱动芯片U2的后端增设有保护元件，以增加防浪涌的可靠性，以满足单段线性方案过1000V的浪涌要求；
[0027]保护元件设为压敏电阻，主要用于在电路承受过压时进行电压钳位，吸收多余的电流以保护敏感器件。
附图说明
[0028]图1是本申请实施例的电路图，其中保护元件设为压敏电阻VR2；
[0029]图2是本申请实施例的电路图，其中保护元件设为瞬态抑制二极管TVS；
[0030]图3是本申请实施例的电路图中，保护元件还可以包括其他的元器件的第一种情况中，压敏电阻VR2和电阻器R2串联或并联的情况；
[0031]图4是本申请实施例的电路图中，保护元件还可以包括其他的元器件的第一种情况中，压敏电阻VR2和电容器C1串联或并联的情况；
[0032]图5是本申请实施例的电路图中，保护元件还可以包括其他的元器件的第一种情况中，压敏电阻VR2和电感器L1串联或并联的情况；
[0033]图6是本申请实施例的电路图中，保护元件还可以包括其他的元器件的第二种情况中，压敏电阻VR2和电阻器R2和电容器C1串联或并联的情况；
[0034]图7是本申请实施例的电路图中，保护元件还可以包括其他的元器件的第二种情况中，压敏电阻VR2和电容器C1或者电感器L1串联或并联的情况；
[0035]图8是本申请实施例的电路图中，保护元件还可以包括其他的元器件的第二种情况中，压敏电阻VR2和电阻器R2和电感器L1串联或并联的情况；
[0036]图9是本申请实施例的电路图中，保护元件还可以包括其他的元器件的第三种情况中，压敏电阻VR2和电阻器R2、电容器C1以及电感器L1串联或并联的情况。
[0037]附本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种单段线性照明驱动的浪涌保护电路，其特征在于：包括交流信号输入端、整流芯片U1、LED灯串、内置MOS的LED驱动芯片U2和保护元件（1）；所述交流信号输入端，电连接至所述整流芯片U1的输入端，用于接收外界输入的交流信号；所述整流芯片U1的输出端电连接至所述LED灯串的阳极，所述LED灯串的阴极电连接至内置MOS的LED驱动芯片U2用于改变LED工作状态的控制引脚，所述保护元件（1）的一端电连接至所述控制引脚，所述保护元件（1）的另一端接地。2.根据权利要求1所述的一种单段线性照明驱动的浪涌保护电路，其特征在于：所述保护元件（1）包括压敏电阻VR2。3.根据权利要求1所述的一种单段线性照明驱动的浪涌保护电路，其特征在于：所述保护元件（1）包括瞬态抑制二极管TVS。4.根据权利要求2或3所述的一种单段线性照明驱动的浪涌保护电路，其特征在于：所述保护元件（1）还包括电阻器R2、电容器C1或者电感器L1中的任意一种元器件，所述压敏电阻VR2与所述电阻器R2、电容器C1或者电感器L1串联或并联。5.根据权利要求2或3所述的一种单...

【专利技术属性】
技术研发人员：李吉晓，谢军毅，余国华，
申请(专利权)人：上海宝宫实业有限公司，
类型：新型
国别省市：