一种快速起振的晶振电路制造技术

本实用新型专利技术公开一种快速起振的晶振电路，该晶振电路包括电容C1、电容C2、晶振、反馈电阻和反相器INV1，所述反相器INV1和晶振构成回路，所述晶振两端设置电容C1和电容C2，所述电容C1和电容C2另一端均设置接地端，所述晶振电路包括开关A1、开关A2、开关A3和电源端，所述反相器INV1的输入端通过开关A1与电源端相连，所述反相器INV1的输出端通过开关A3和开关A2与电源端相连，所述开关A3与反相器INV1串联，所述开关A3与反相器INV1的串联电路和反馈电阻并联，所述开关A1、开关A2和开关A3组合工作来实现晶振电路的快速起振。实现晶振电路的快速起振。实现晶振电路的快速起振。

【技术实现步骤摘要】
一种快速起振的晶振电路


[0001]本技术涉及电子集成电路
，具体涉及一种快速起振的晶振电路。

技术介绍

[0002]传统晶振是通过对噪声的不断放大实现振荡，但是这一过程十分缓慢，起振比较慢。现有的一些改进是通过控制增大反相器的gm值实现加速起振，另一些改进是通过动态调节反馈电阻，在起振阶段加速启动，在工作阶段减小功耗，这两种方式需要额外增加数字控制电路，起振时间只有少量减少，在快速起振方面还有待提高。

技术实现思路

[0003]为解决上述问题，本技术公开一种快速起振的晶振电路，本申请通过在晶振电路中只增加开关和相应控制信号，通过构建晶振两端瞬间变化的电势差来给晶振附加初始形变势能，从而实现快速启振，结构简单，不增加功耗，有效减少晶振的起振时间。具体技术方案如下：
[0004]一种快速起振的晶振电路，该晶振电路包括电容C1、电容C2、晶振、反馈电阻和反相器INV1，所述晶振设置在电容C1和电容C2之间，所述电容C1的另一端和电容C2的另一端均设置接地端，所述晶振电路包括开关A1、开关A2、开关A3和电源端，所述反相器I本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种快速起振的晶振电路，该晶振电路包括电容C1、电容C2、晶振、反馈电阻和反相器INV1，所述晶振设置在电容C1和电容C2之间，所述电容C1的另一端和电容C2的另外一端均设置接地端，其特征在于，所述晶振电路包括开关A1、开关A2、开关A3和电源端，所述反相器INV1的输入端通过开关A1与电源端相连，所述反相器INV1的输出端通过开关A3和开关A2与电源端相连，所述开关A3 与反相器INV1形成的串联电路分别与晶振和反馈电阻并联，所述开关A1、开关A2和开关A3组合工作来使晶振电路进行起振。2.根据权利要求1所述的快速起振的晶振电路，其特征在于，所述开关A1包括PMOS管，开关A1的PMOS管的栅极用于接收开关控制信号EN，源极与电源端相连，漏极与反相器INV1的输入端相连。3.根据权利要求1所述的快速起振的晶振电路，其特征在于，所述开关A2包括PMOS管，开关A2的PMOS管的栅极用于接收开关控制信号EN，源极与电源端相连，漏极与开关A3相连。4.根据权利要求2或3所述的快速起振的晶振电路，其特征在于，开关A1的PMOS管的栅极和开关A2的PMOS管的栅极相连，接收相同的开关控制信号EN。5.根据权利要求2或3所述的快速起振的晶振电路，其特征在于，所述开关A3包括NMOS管，开关A3的NMOS管的栅极与开关A1的PMOS管的栅极和开关A2的PMOS管的栅极接收相同的开关控制信号EN，源极与反相器IN...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩怀宇，邵要华，赵伟兵，
申请(专利权)人：珠海一微半导体股份有限公司，
类型：新型
国别省市：