一种耐高温的背光芯片制造技术

本实用新型专利技术公开了一种耐高温的背光芯片，包括芯片基座、第一支撑块、封板和散热片，所述芯片基座的上方粘贴连接有第一凸点，且第一凸点防上方粘贴连接有P电极，并且P电极的底部粘贴连接有第二导热片，所述P电极的上方粘贴连接有P型氮化镓，且P型氮化镓的上方连接有多量子阱，所述多量子阱的上方粘贴连接有N型氮化镓，且N型氮化镓的上方连接有半导体晶片。该耐高温的背光芯片，可通过石墨烯制成的第一导热片与第二导热片能够将该背光芯片产生的热量吸走，接着由导热板将热量传输至封板外侧的散热片上方，避免该芯片内部产生较高温度影响芯片的情况发生，从而提高该背光芯片的耐高温能力，使该背光芯片的实用性更高。使该背光芯片的实用性更高。使该背光芯片的实用性更高。

【技术实现步骤摘要】
一种耐高温的背光芯片


[0001]本技术涉及背光芯片
，具体为一种耐高温的背光芯片。

技术介绍

[0002]背光芯片是一种半导体器件，能够将年能转化为光能，能够应用在照明装置或LED灯上方，具有良好的照明性能或装饰效果，被人们广泛选择使用在各个行业中，但是目前市场上的背光芯片还是存在以下的问题：
[0003]1、现有的背光芯片，在安装使用时，无法芯片内部容易产生较高的温度，容易使得芯片的使用效果变差，甚至芯片烧毁的情况发生，从而使背光芯片的耐高温效果变差，不利于提高芯片的实用性；
[0004]2、常规的背光芯片，在安装使用过程中，对于芯片的保护效果较差，在受到震动时不能有效的保护芯片不受损失，从而降低芯片的安全性，不利于背光芯片的长期使用。
[0005]针对上述问题，在原有的背光芯片的基础上进行创新设计。

技术实现思路

[0006]本技术的目的在于提供一种耐高温的背光芯片，以解决上述
技术介绍
中提出的目前市场上常见的耐高温的背光芯片，在安装使用时，无法芯片内部容易产生较高的温度，容易使得芯片的使用效果变差，甚至芯片烧毁的情况发生，从而使背光芯片的耐高温效果变差，不利于提高芯片的实用性，在安装使用过程中，对于芯片的保护效果较差，在受到震动时不能有效的保护芯片不受损失，从而降低芯片的安全性，不利于背光芯片的长期使用的问题。
[0007]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种耐高温的背光芯片，包括芯片基座、第一支撑块、封板和散热片，所述芯片基座的上方粘贴连接有第一凸点，且第一凸点防上方粘贴连接有P电极，并且P电极的底部粘贴连接有第二导热片，所述P电极的上方粘贴连接有P型氮化镓，且P型氮化镓的上方连接有多量子阱，所述多量子阱的上方粘贴连接有N型氮化镓，且N型氮化镓的上方连接有半导体晶片，所述芯片基座的上方左侧粘贴连接有第一支撑块，且芯片基座的上方中部连接有第二支撑块，所述芯片基座的封板，且封板的外侧连接有散热片。
[0008]优选的，所述N型氮化镓的左侧下方粘贴连接N电极，且N电极的下方粘贴连接有第二凸点，并且第二凸点与芯片基座构成垂直结构设置。
[0009]优选的，所述第一支撑块与N电极的连接方式为粘贴连接，且第一支撑块的上方均匀设置有弧形凹槽，并且第一支撑块与第二支撑块上方形状相同。
[0010]优选的，所述第二支撑块的侧面粘贴连接有第一导热片，且第一导热片在芯片基座上方呈错落分布设置，并且第一导热片的外侧粘贴连接有导热板。
[0011]优选的，所述第二支撑块在芯片基座的上方呈对称设置，且第二支撑块与第一支撑块材质相同，并且第一支撑块、第二支撑块与芯片基座的构成一体化结构设置。
[0012]优选的，所述导热板贯穿连接于封板，且导热板的外侧与散热片的内侧紧密贴合，并且导热板的侧面呈“L”形结构设置，而且导热板关于芯片基座的中轴线呈均匀对称分布设置。
[0013]与现有技术相比，本技术的有益效果是：该耐高温的背光芯片，
[0014]1、可通过石墨烯制成的第一导热片与第二导热片能够将该背光芯片产生的热量吸走，接着由导热板将热量传输至封板外侧的散热片上方，避免该芯片内部产生较高温度影响芯片的情况发生，从而提高该背光芯片的耐高温能力，使该背光芯片的实用性更高；
[0015]2、通过聚乙烯制成的第一支撑块与第二支撑块对该芯片的内部进行支撑，在第一支撑块与第二支撑块上方设置的弧形凹槽作用下，能够使该背光芯片的抗震效果更好，从而使得该芯片在使用时更加稳定安全，有利于该背光芯片的长期使用。
附图说明
[0016]图1为本技术整体正视面结构示意图；
[0017]图2为本技术整体侧视剖面结构示意图；
[0018]图3为本技术芯片基座与第一支撑块连接结构示意图；
[0019]图4为本技术图2中A处放大结构示意图。
[0020]图中：1、芯片基座；2、第一凸点；3、P电极；4、P型氮化镓； 5、多量子阱；6、N型氮化镓；7、N电极；8、第二凸点；9、第一支撑块；10、第二支撑块；11、第一导热片；12、第二导热片；13、导热板；14、封板；15、散热片；16、半导体晶片。
具体实施方式
[0021]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0022]请参阅图1
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4，本技术提供一种技术方案：一种耐高温的背光芯片，包括芯片基座1、第一支撑块9、封板14和散热片15，为了使该背光芯片能够耐高温，在芯片基座1的上方粘贴连接有第一凸点2，且在第一凸点2防上方粘贴连接有P电极3，并且在P电极3 的底部粘贴连接有第二导热片12，通过P电极3底部粘贴连接的第二导热片12，能够对将P电极3工作产生的热量导走，有利于保持P 电极3的正常连续工作，在P电极3的上方粘贴连接有P型氮化镓 4，且在P型氮化镓4的上方连接有多量子阱5，在多量子阱5的上方粘贴连接有N型氮化镓6，且在N型氮化镓6的上方连接有半导体晶片16，N型氮化镓6的左侧下方粘贴连接N电极7，且N电极7的下方粘贴连接有第二凸点8，并且第二凸点8与芯片基座1构成垂直结构设置，通过第二凸点8与芯片基座1构成垂直结构设置，能够使第二凸点8两侧产生空隙，有利于提高第一导热片11的导热效果，在芯片基座1的封板14，且在封板14的外侧连接有散热片15，通过芯片基座1上方对称设置的封板14能够对芯片进行加固密封，能够提高该芯片的稳定性，使该芯片不易发生形变，在第二支撑块10的侧面粘贴连接有第一导热片11，且第一导热片11在芯片基座1上方呈错落分布设置，并且第一导热片11的外侧粘贴连接有导热板13，通过芯片基座1上方呈错落分布设置的第一导热片11，能够将该背光芯片内部运行产生的
温度均匀快速导走，降低该芯片高温产生的运行风险，导热板13贯穿连接于封板14，且导热板13的外侧与散热片15的内侧紧密贴合，并且导热板13的侧面呈“L”形结构设置，而且导热板13关于芯片基座1的中轴线呈均匀对称分布设置，当第一导热片11吸收芯片产生的热量之后，第一导热片11上方的热量会由均匀对称分布的导热板13导至散热片15上方，通过导热板13的“L”形结构设置，能够提高导热板13对散热片15的导热效率，从而使该芯片的耐高温效果更好，有利于该芯片的连续工作和提高该芯片的实用性。
[0023]请参阅图1
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3，为了使该芯片更加稳定安全，在芯片基座1的上方左侧粘贴连接有第一支撑块9，且在芯片基座1的上方中部连接有第二支撑块10，第一支撑块9与N电极7的连接方式为粘贴连接，且第一支撑块9的上方均匀设置有弧形凹槽，并且第一支撑块9与第二支撑块10上方形状相同，第二支撑块本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种耐高温的背光芯片，包括芯片基座(1)、第一支撑块(9)、封板(14)和散热片(15)，其特征在于：所述芯片基座(1)的上方粘贴连接有第一凸点(2)，且第一凸点(2)防上方粘贴连接有P电极(3)，并且P电极(3)的底部粘贴连接有第二导热片(12)，所述P电极(3)的上方粘贴连接有P型氮化镓(4)，且P型氮化镓(4)的上方连接有多量子阱(5)，所述多量子阱(5)的上方粘贴连接有N型氮化镓(6)，且N型氮化镓(6)的上方连接有半导体晶片(16)，所述芯片基座(1)的上方左侧粘贴连接有第一支撑块(9)，且芯片基座(1)的上方中部连接有第二支撑块(10)，所述芯片基座(1)的封板(14)，且封板(14)的外侧连接有散热片(15)。2.根据权利要求1所述的一种耐高温的背光芯片，其特征在于：所述N型氮化镓(6)的左侧下方粘贴连接N电极(7)，且N电极(7)的下方粘贴连接有第二凸点(8)，并且第二凸点(8)与芯片基座(1)构成垂直结构设置。3.根据权利要求1所述的一种耐高温的背光芯片，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖华军，
申请(专利权)人：黄山市展硕半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：