功率半导体器件和制造功率半导体器件的方法技术

说明了一种功率半导体器件（1），具有

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】功率半导体器件和制造功率半导体器件的方法


[0001]本专利技术涉及一种具有布置在壳体内部的功率半导体元件的功率半导体器件以及一种用于制造功率半导体器件的方法。

技术介绍

[0002]诸如MOSFET的功率半导体元件布置在壳体中，典型地是塑料壳体，所述壳体具有在壳体外侧暴露的冷却表面，例如由铜制成，其中存在一系列不同的壳体设计，例如D2PAK、DPAK、TO220等。这些元件部分被构造为可表面安装的元件，部分构造为可插入安装元件。它们典型地具有至少两个连接引脚，这些连接引脚从塑料壳体中向外引出并可以连接到布线衬底的连接端。
[0003]由于具有这种功率半导体元件的功率半导体器件在运行中会放出大量的热量，因此如何有效地散热是特别大的挑战。这些热量典型地通过布线衬底来散发，在所述布线衬底上布置了有壳体的功率半导体元件。为此，所述布线衬底可以具有例如热孔（通孔）。这种功率半导体器件从JP 2018
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120991 A中已知。
[0004]DE 11 2016 005 508 T5同样公开了经由通孔的散热，这些通孔可以本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种功率半导体器件（1），具有
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布置在壳体（4）内的功率半导体元件（2），其中散热器（6）暴露在所述壳体（4）的第一表面（5）上；
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具有第一主表面（12）和第二主表面（14）的布线衬底（10），所述布线衬底容纳具有所述功率半导体元件（2）的壳体（4），其中具有增加的导热性的冷却区域（16）布置在所述第二主表面（14）上；其中所述壳体（4）布置在所述布线衬底（10）上，使得所述散热器（6）经由焊料层（2）连接到所述冷却区域（16），其中布置在所述散热器（6）与所述冷却区域（16）之间的一定数量的间隔保持器（28）嵌入在所述焊料层（20）中，以及其中所述间隔保持器（28）由具有良好导电性和导热性的材料形成。2.根据权利要求1所述的功率半导体器件（1），其中，布置在所述壳体（4）中的所述功率半导体元件（2）被构造为可插入安装的。3.根据前述权利要求中任一项所述的功率半导体器件（1），其中，所述布线衬底（10）具有一定数量的通孔（26），通过所述通孔将焊料材料引入所述散热器（6）与所述布线衬底（10）的冷却区域（16）之间。4.根据权利要求1所述的功率半导体器件（1），其中，布置在所述壳体（4）中的功率半导体元件（2）被构造为可表面安装的。5.根据前述权利要求中任一项所述的功率半导体器件（1），其中，所述壳体（4）借助于所述间隔保持器（28）与所述功率半导体元件（2）电连接...

【专利技术属性】
技术研发人员：C，
申请(专利权)人：纬湃科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：