一种氟化石墨烯/聚苯并噁唑薄膜及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种氟化石墨烯/聚苯并噁唑复合薄膜及其制备方法，制备方法包括以下步骤：(1)制备氟化石墨烯的N

【技术实现步骤摘要】
一种氟化石墨烯/聚苯并噁唑薄膜及其制备方法


[0001]本专利技术属于薄膜领域，具体地说，涉及一种氟化石墨烯/聚苯并噁唑薄膜及其制备方法，更涉及一种高强度高耐热低介电常数氟化石墨烯/聚苯并噁唑薄膜及其制备方法。

技术介绍

[0002]随着5G通讯技术的迅猛发展，低介电常数(Low
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k)材料因能有效解决集成电路中导线间的串扰和电阻电容延迟等问题而成为了研究的热点。通过降低集成电路中使用的介电材料的介电常数，可以降低集成电路的漏电电流，降低导线之间的电容效应，降低集成电路发热等等。
[0003]在众多Low
‑
k材料中，聚苯并噁唑(PBO)具有高强、高模、高耐热、低吸水率和良好的耐化学药品性等特性，被誉为制备下一代层间电介质的关键材料之一。然而，传统PBO的介电常数(k＝2.9～3.2)却仍高于国际半导体技术路线图(ITRS)中所建议的最大阈值(k≤2.3)。因此，研究和开发降低PBO介电常数的方法具有重要的意义。
[0004]目前，降低材料的介电常数常采用降低极化率和质量密度等方法。其中，降低本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种氟化石墨烯/聚苯并噁唑复合薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)制备氟化石墨烯的N
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甲基吡咯烷酮悬浮液；(2)在惰性气体保护下，将聚羟基酰胺溶解在氟化石墨烯的N
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甲基吡咯烷酮悬浮液中，搅拌，得到混合溶液；(3)将混合溶液进行铺膜、加热关环反应得到氟化石墨烯/聚苯并噁唑复合薄膜。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，在溶剂中加入氟化石墨，得到浓度为1～8mg/mL的氟化石墨悬浮液；然后超声插层剥离，离心，得到氟化石墨烯悬浮液。3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述溶剂选自乙腈、异丙醇、N,N
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二甲基甲酰胺、二氯甲烷或N
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甲基吡咯烷酮中的至少一种；当所述溶剂中不包含N
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甲基吡咯烷酮时，在所得氟化石墨烯悬浮液中加入N
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甲基吡咯烷酮，经减压蒸馏得到氟化石墨烯的N
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甲基吡咯烷酮悬浮液。4.根据权利要求1
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3任意一项所述的制备方法，其特征在于，所述聚羟基酰胺与氟化石墨烯的N
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甲基吡咯烷酮悬浮液中氟化石墨烯的质量比为(97～99.9):(0.1～3)；优选的，质量比为(97～99.7):(0.3～3)；更优选的，质量比为(97～99.5):(0.5～3)。5.根据权利要求1
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【专利技术属性】
技术研发人员：禹子骅，吴绍华，李春成，
申请(专利权)人：中国科学院化学研究所，
类型：发明
国别省市：