一种测量熔硅液面位置的定位销及晶硅熔炉制造技术

本公开提供一种测量熔硅液面位置的定位销及晶硅熔炉，所述测量熔硅液面位置的定位销包括：第一杆，所述第一杆包括相对弯折的第一部分和第二部分，所述第一部分和所述第二部分均为杆体结构，所述第二部分包括相对的第一端和第二端，所述第一部分连接在所述第二部分的所述第一端；第二杆，所述第二杆为杆体结构，所述第二杆包括相对的第三端和第四端，所述第三端连接在所述第二部分的所述第二端，且所述第二杆与所述第二部分同轴设置；其中所述第二部分和所述第二杆中的至少一个在杆体内部设有不透光物。本公开提供的测量熔硅液面位置的定位销及晶硅熔炉，可提高Melt Gap测量的准确性。性。性。

【技术实现步骤摘要】
一种测量熔硅液面位置的定位销及晶硅熔炉


[0001]本公开涉及单晶硅生长
，尤其涉及一种测量熔硅液面位置的定位销及晶硅熔炉。

技术介绍

[0002]目前，普遍采用CZ直拉法(Czochralski，直拉单晶制造法)生产单晶硅晶棒，其中单晶炉内采用石英坩埚盛放多晶硅原料，通过加热坩埚，使多晶硅原料融化，单晶炉内在坩埚上方设置导流筒，在CZ直拉法单晶硅的生长工艺中，通常不断从导流筒处充入氩气，并让氩气流过坩埚内的熔硅液面与导流筒之间的间隙，最后在真空泵的作用下从热场的排气口排出。
[0003]随着硅晶圆材料品质要求的不断提高，在拉晶过程中除了控制电阻率、氧含量的浓度外，还要很好地管控晶棒中的晶体缺陷，因而拉晶工艺参数需不断优化。对于一些拉晶工艺参数的测量也要求更加精确，其中一个重要参数是Melt Gap，即熔硅液面与导流筒之间的间隙，Melt Gap的测量和控制是拉晶工序中一个重要的参数指标，其大小对于氩气的流动、杂质的蒸发、硅棒旋转稳定性和硅棒氧含量等关系到单晶生长和品质的因素都有很大的影响。Melt Gap为导流筒底部到坩埚内熔硅本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种测量熔硅液面位置的定位销，其特征在于，包括：第一杆，所述第一杆包括相对弯折的第一部分和第二部分，所述第一部分和所述第二部分均为杆体结构，所述第二部分包括相对的第一端和第二端，所述第一部分连接在所述第二部分的所述第一端；第二杆，所述第二杆为杆体结构，所述第二杆包括相对的第三端和第四端，所述第三端连接在所述第二部分的所述第二端，且所述第二杆与所述第二部分同轴设置；其中所述第二部分和所述第二杆中的至少一个在杆体内部设有不透光物。2.根据权利要求1所述的测量熔硅液面位置的定位销，其特征在于，所述第二部分的第二端端面上设有第一凹槽，所述第一凹槽内容置所述不透光物。3.根据权利要求1所述的测量熔硅液面位置的定位销，其特征在于，所述第二杆的第三端端面上设有第二凹槽，所述第二凹槽内容置有所述不透光物。4.根据权利要求1所述的测量熔硅液面位置的定位销，其特征在于，所述第二部分的第二端与所述第二杆的第三端之间焊接连接。5.根据权利要求1所述的测量熔硅液面位置的定位销，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨文武，沈福哲，金珍根，
申请(专利权)人：西安奕斯伟硅片技术有限公司，
类型：新型
国别省市：