可控硅串联逆变器电路制造技术

一种可控硅串联逆变器电路，它包括由直流电源（１），可控硅（２），电容器（３），电抗器（４），次级带负载（６）的输出变压器（５）和可控硅（７）组成的不对称半桥式可控硅串联逆变器电路以及附加的可控硅（８）。当负载（６）减小时，通过直接限制电容器（３）上过电压的增长并将电抗器（４）中多余的能量返回直流电源（１），从而有效地抑制了逆变器中的过电压，提高了逆变器的负载适应性，最高工作频率和效率。（*该技术在2007年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种抑制串联逆变器电路中过电压的方法，它以控制串联迥路中谐振电容器上的电压为手段，其特征是：Ａ、由该谐振电容器、直流电压源及可控开关组成辅助换流电路。Ｂ、利用该电容器上的电压，由辅助换流电路强迫关断正在导通的开关器件，同时，Ｃ、直接限制该电容器上电压的增长并由直流电压源吸收电抗器中多余的能量。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李少平，李少彤，
申请(专利权)人：李少平，李少彤，
类型：发明
国别省市：41[中国|河南]