一种适用于电镀电池片正表面激光开槽方法技术

本发明专利技术提供一种适用于电镀电池片正表面激光开槽方法，包括：对P型晶体硅基体的正表面做制绒处理，背表面做抛光处理；在P型晶体硅基体的正表面生长一层氧化硅层，然后在氧化硅层上沉积一层非晶硅层并对其进行磷掺杂，随后进行退火，得到掺杂磷的多晶硅层；去除P型晶体硅基体背表面以及边缘绕扩处的掺杂磷的多晶硅层，并在P型晶体硅基体背表面制备一层氧化铝钝化层，随后沉积一层氮化硅膜；对处理后的P型晶体硅基体的正表面使用紫外皮秒激光器进行开槽，将开槽处的氮化硅膜去除。本发明专利技术的有益效果是使用了平顶激光开槽，激光可以直接对氮化硅进行开槽，不要使用掩膜等材料来做阻挡层，简化工艺流程，提高工作效率的同时节约成本。本。

【技术实现步骤摘要】
一种适用于电镀电池片正表面激光开槽方法


[0001]本专利技术属于晶硅太阳能电池片制造
，尤其是涉及一种适用于电镀电池片正表面激光开槽方法。

技术介绍

[0002]目前的技术水平而言，传统的丝网印刷技术细栅线的高宽比难以有效提高，相对此技术，采用种子层加光诱导电镀(LIP)的方法制备电池正面电极具备的优点为：增大细栅高宽比、减少细栅线电阻率、降低细栅宽度、提高电池受光面积、降低正面电极制作使用银浆量，进而达到降低电池生产成本的目的。
[0003]目前传统的电镀正面先使用PECVD沉积氮化硅，膜厚在80nm左右；然后再使用紫外皮秒激光器(使用高斯光斑)对氮化硅直接进行开槽，从而保证金属电极可以直接生长在硅片上，由于激光器出光的光斑能量是不均匀的，激光器中间的能量偏大，边缘的能量偏小，导致在正面激光开槽的时候，由于光斑中间能量偏大，易损伤PN结；边缘能量偏小，无法将氮化硅完全去除掉，影响电镀电池片的开压和串阻，导致电镀电池片效率偏低。

技术实现思路

[0004]本专利技术要解决的问题是提供一种适用于电镀电池片正表面激光本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种适用于电镀电池片正表面激光开槽方法，包括：对P型晶体硅基体的正表面做制绒处理，背表面做抛光处理；在所述P型晶体硅基体的正表面生长一层氧化硅层，然后在所述氧化硅层上沉积一层非晶硅层并对其进行磷掺杂，随后进行退火，得到掺杂磷的多晶硅层；去除所述P型晶体硅基体背表面以及边缘绕扩处的所述掺杂磷的多晶硅层，并在所述P型晶体硅基体背表面制备一层氧化铝钝化层；在所述P型晶体硅基体背表面的所述氧化铝钝化层以及所述P型晶体硅基体正表面的所述多晶硅层上沉积一层氮化硅膜；对处理后的所述P型晶体硅基体的正表面使用激光器进行开槽，将开槽处的所述氮化硅膜去除；其中，所述激光器上还设有一衍射镜头，控制开槽光斑能量均匀。2.根据权利要求1所述的一种适用于电镀电池片正表面激光开槽方法，其特征在于：所述P型晶体硅基体的电阻率为0.5～5Ω
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cm,厚度为80～200um。3.根据权利要求1所述的一种适用于电镀电池片正表面激光开槽方法，其特征在于：在所述P型晶体硅基体的正表面生长一氧化硅层的步骤中，二氧化硅通过热氧化、HN03氧化或原子层沉积法在所述P型晶体硅基体的正表面生长所述氧化硅层。4.根据权利要求3所述的一种适用于电镀电池片正表面激光开槽方法，其特征在于：所述氧化硅层的厚度为0.5
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3.5nm。5.根据权利要求1所述的一种适用于电镀电池片正表面激光开槽方法，其特征在于：沉积所述掺有磷的非晶硅层的过程中，采用磁控溅...

【专利技术属性】
技术研发人员：马敏杰，从海泉，马擎天，宋楠，
申请(专利权)人：环晟光伏江苏有限公司，
类型：发明
国别省市：