一种无Bi、Pr、V的氧化锌基压敏薄膜材料及其制备方法技术

本发明专利技术公开一种无Bi、Pr、V的氧化锌基压敏薄膜材料及其制备方法。所述氧化锌基压敏薄膜材料以氧化锌和改性添加剂组成的陶瓷为靶材，采用磁控溅射技术在导电基底上沉积ZnO基压敏薄膜材料；所述靶材中氧化锌的含量为89.5～99.88 mol%，改性添加剂的含量为0.12～10.5 mol%；所述改性添加剂包括：CaCO

【技术实现步骤摘要】
一种无Bi、Pr、V的氧化锌基压敏薄膜材料及其制备方法


[0001]本专利技术涉及一种新型氧化锌(ZnO)基压敏薄膜材料及其制备方法，属于电子信息材料制备及其应用


技术介绍

[0002]压敏电阻(Varistor)在一定温度下和特定电压范围内，通过它的电流随着施加的电压增加而急剧增大，被广泛应用于抑制输电线路浪涌的阀元件和各种电子元器件的过压保护元件等。相比于传统的避雷器，ZnO压敏电阻器具有非线性系数大、响应时间快、通流能力强等特点，是制造压敏电阻器的主导材料，被广泛应用于通信、电力、交通、工业控制、汽车电子、医用设备和家用电器中。
[0003]随着电子技术的迅速发展，电子器件不断向小型化、低压化发展。为了实现ZnO基陶瓷压敏电阻器的低压化和小型化，必须控制ZnO晶粒尺寸和减小压敏电阻厚度。但是，传统陶瓷材料难以制备小型化低压ZnO基压敏电阻器；流延法制备的ZnO基压敏电阻器工艺过程复杂，产品一致性差，发展受到限制。因此，各种ZnO薄膜压敏电阻器应运而生。研究表明，薄膜化是开发低压压敏电阻器的有效手段，且薄膜化有利于元件的小本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种氧化锌基压敏薄膜材料，其特征在于，所述氧化锌基压敏薄膜材料以氧化锌和改性添加剂组成的陶瓷为靶材，采用磁控溅射技术在导电基底上沉积ZnO基压敏薄膜材料；所述靶材中氧化锌的含量为89.5～99.88 mol%，改性添加剂的含量为0.12～10.5 mol%；所述改性添加剂包括：CaCO
3 0.1～3 mol%、Co3O
4 0.01～2 mol%、Cr2O
3 0.01～5 mol%。2.根据权利要求1所述的氧化锌基压敏薄膜材料，其特征在于，所述改性添加剂还包括0.5 mol%以下的Sb2O3。3. 根据权利要求1或2所述的氧化锌基压敏薄膜材料，其特征在于，所述氧化锌基压敏薄膜材料的压敏电压为5～25 V，非线性系数α为4～25。4.根据权利要求1至3中任一项所述的氧化锌基压敏薄膜材料，其特征在于，所述氧化锌基压敏薄膜的厚度为30～900 nm。5.根据权利要求1至4中任一项所述的氧化锌基压敏薄膜材料，其特征在于，所述导电基底为导电硅基片、铜片、铂片中的一种。6.根据权利要求1至5中任一项所述的氧化锌基压敏薄膜材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1) 以氧化锌...

【专利技术属性】
技术研发人员：田甜，李国荣，郑嘹赢，阮学政，时雪，满振勇，
申请(专利权)人：中国科学院上海硅酸盐研究所，
类型：发明
国别省市：