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本发明公开一种无Bi、Pr、V的氧化锌基压敏薄膜材料及其制备方法。所述氧化锌基压敏薄膜材料以氧化锌和改性添加剂组成的陶瓷为靶材，采用磁控溅射技术在导电基底上沉积ZnO基压敏薄膜材料；所述靶材中氧化锌的含量为89.5～99.88 mol%，改...
该专利属于中国科学院上海硅酸盐研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院上海硅酸盐研究所授权不得商用。

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