驱动电路的控制方法、驱动电路及电器技术

本发明专利技术公开了一种驱动电路的控制方法、驱动电路及电器，所述驱动电路包括连接于IGBT栅极的驱动器、以及串联于所述驱动器与IGBT栅极之间的驱动电阻，所述控制方法包括：检测所述IGBT的温度参数；根据所述温度参数调节所述驱动电阻的阻值。与现有技术相比，本发明专利技术能够根据IGBT的温度参数调节驱动电阻的阻值，以提升IGBT的开关速度或IGBT开关的准确性，解决了IGBT开关速度慢，且存在误导通的问题。且存在误导通的问题。且存在误导通的问题。

【技术实现步骤摘要】
驱动电路的控制方法、驱动电路及电器


[0001]本专利技术涉及电力电子领域，特别是一种驱动电路的控制方法、驱动电路及电器。

技术介绍

[0002]目前MOSFET、IGBT等作为大功率开关器件广泛运用于电力电子行业之中，在普遍意义上，IGBT的开关速度虽然有了较大提升，但是仍然小于MOS器件，且在运行中由于驱动电阻选值的不当往往还会有IGBT误导通的问题，故IGBT开关既要注重其速度，也要注重其开关的准确性。
[0003]因此，如何设计一种能提高IGBT开关速度以及准确性的驱动电路的控制方法、驱动电路及电器，是业界亟待解决的技术问题。

技术实现思路

[0004]针对现有技术中IGBT开关速度慢、以及存在误导通的问题，本专利技术提出了一种驱动电路的控制方法、驱动电路及电器。
[0005]本专利技术的技术方案为，提出了一种驱动电路的控制方法，所述驱动电路包括连接于IGBT栅极的驱动器、以及串联于所述驱动器与IGBT栅极之间的驱动电阻，所述控制方法包括：
[0006]检测所述IGBT的温度参数；
[0007]根据所述温度参数调节所述驱动电阻的阻值。
[0008]进一步，根据所述温度参数调节所述驱动电阻的阻值包括：
[0009]判断所述温度参数是否大于预设参数；
[0010]若是，则升高所述驱动电阻的阻值；
[0011]若否，则降低所述驱动电阻的阻值。
[0012]进一步，所示驱动电阻包括：并联设置的固定电阻和调节电阻，所述驱动电阻的阻值通过控制所述调节电阻所在支路的通断状态升高或降低。
[0013]进一步，还包括：
[0014]当升高所述驱动电阻的阻值时，控制所述调节电阻所在支路断开，所述固定电阻接入所述驱动电路；
[0015]和/或当降低所述驱动电阻的阻值时，控制所述调节电路所在支路接通，所述固定电阻和所述调节电阻并联接入所述驱动电路。
[0016]本专利技术还提出了一种驱动电路，包括：连接于IGBT栅极的驱动器、以及串联于所述驱动器与IGBT栅极之间的驱动电阻，还包括用于检测所述IGBT温度参数的温度传感器、以及与所述温度传感器和所述驱动电阻连接的控制器，所述控制器根据所述温度参数调节所述驱动电阻的阻值。
[0017]进一步，当所述温度参数大于预设参数时，所述控制器升高所述驱动电阻的阻值；
[0018]当所述温度参数小于预设参数时，所述控制器降低所述驱动电阻的阻值。
[0019]进一步，所述驱动电阻包括：并联设置的固定电阻和调节电阻，所述控制器通过控制所述调节电阻所在支路的通断状态以降低或升高所述驱动电阻的阻值。
[0020]进一步，当升高所述驱动电阻的阻值时，所述控制器控制所述调节电阻所在支路断开，所述固定电阻接入所述驱动电路；
[0021]当降低所述驱动电阻的阻值时，所述控制器控制所述调节电路所在支路接通，所述固定电阻和所述调节电阻并联接入所述驱动电路。
[0022]本专利技术还提出了一种电器，所述电器采用IGBT驱动，所述IGBT采用上述控制方法。
[0023]进一步，所述电器为空调，冰向、风扇中的一种。
[0024]与现有技术相比，本专利技术至少具有如下有益效果：
[0025]通过温度检测，调节驱动电阻的阻值，使本专利技术的IGBT能够满足开关速度需求和准确性需求。
附图说明
[0026]为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0027]图1为IGBT结电容上的电流流向；
[0028]图2为IGBT驱动等效电路；
[0029]图3为本专利技术提出的IGBT驱动电路连接示意图；
[0030]图4为温度采样流程图。
具体实施方式
[0031]为了使本专利技术所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。
[0032]由此，本说明书中所指出的一个特征将用于说明本专利技术的一个实施方式的其中一个特征，而不是暗示本专利技术的每个实施方式必须具有所说明的特征。此外，应当注意的是本说明书描述了许多特征。尽管某些特征可以组合在一起以示出可能的系统设计，但是这些特征也可用于其他的未明确说明的组合。由此，除非另有说明，所说明的组合并非旨在限制。
[0033]下面结合附图以及实施例对本专利技术的原理及结构进行详细说明。
[0034]目前MOSFET、IGBT等作为大功率开关器件广泛运用于电力电子行业之中，在普遍意义上，IGBT的开关速度虽然有了较大提升，但是仍然小于MOS器件，且在运行中由于驱动电阻选值的不当往往还会有IGBT误导通的问题。本专利技术的思路在于，提出一种驱动电路的控制方法，其根据温度调节驱动电阻的阻值，使其能够同时兼顾IGBT开关速度和准确性的要求。
[0035]请参见图1，IGBT的集电极
‑
栅极和发射极
‑
栅极之间存在结电容，分别为C
CG
和C
CE
，当IGBT关断时，由于线路中的感性，电流不会立即消失，而是寻找合适的通路，突变的电压
会引起这一电流通路，结电容的存在使得关断电流沿着栅极驱动电阻到地。这一电流足够大时，栅极会产生一个足够高的电压使得IGBT误导通。其中R
Driver
是驱动器的输出等效电阻，R
Gon/off
是IGBT栅极的驱动电阻，R
Giint
是IGBT栅极的等效电阻，开关关断时，开关管两端电压产生突变，变化的电压会在结电容两端产生电流：
[0036][0037]所以，结电容CCG会不断充电，CCG和CCE相互串联，进行分压，电流i
CG
通过C
CG
、R
Gon/off
、G
CE
回到驱动地，栅极电阻两端会产生一个电压：
[0038]v
GE
＝(R
Driver
+R
Gon/off
+R
Gint
)
×
i
CG
[0039]当这一电压大于IGBT开通阈值时，IGBT就会误导通，因此，驱动电阻的选择对于开关管的动态参数影响很大，驱动电阻越小，结电容充放电变快，开关时间变短，也降低了开关通态损耗，但同样也会使dv
CE
/dt变大，产生误导通，因此，从开关速度、准确性和损耗上来说，驱动电阻需要折中选择。
[0040]图2为驱动等效电路，其中，R0为驱动器内阻，Rg
‑
ext为栅极驱动电阻，Rg
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.驱动电路的控制方法，所述驱动电路包括连接于IGBT栅极的驱动器、以及串联于所述驱动器与IGBT栅极之间的驱动电阻，其特征在于，所述控制方法包括：检测所述IGBT的温度参数；根据所述温度参数调节所述驱动电阻的阻值。2.根据权利要求1所述的控制方法，其特征在于，根据所述温度参数调节所述驱动电阻的阻值包括：判断所述温度参数是否大于预设参数；若是，则升高所述驱动电阻的阻值；若否，则降低所述驱动电阻的阻值。3.根据权利要求2所示的控制方法，其特征在于，所示驱动电阻包括：并联设置的固定电阻和调节电阻，所述驱动电阻的阻值通过控制所述调节电阻所在支路的通断状态升高或降低。4.根据权利要求3所述的控制方法，其特征在于，还包括：当升高所述驱动电阻的阻值时，控制所述调节电阻所在支路断开，所述固定电阻接入所述驱动电路；和/或当降低所述驱动电阻的阻值时，控制所述调节电路所在支路接通，所述固定电阻和所述调节电阻并联接入所述驱动电路。5.驱动电路，包括：连接于IGBT栅极的驱动器、以及串联于所述驱动器与IGBT栅极之间的驱动电阻，其特征在于，还包括用于检测...

【专利技术属性】
技术研发人员：马顺利，谭锋，黄银彬，
申请(专利权)人：珠海格力节能环保制冷技术研究中心有限公司，
类型：发明
国别省市：