一种热电堆传感器及其红外温度计制造技术

本发明专利技术提供一种热电堆传感器及其红外温度计，其中，红外温度计包括外壳以及安装于外壳的热电堆传感器。热电堆传感器包括基座、管帽、热电堆探测器芯片、热电堆探测器芯片和管帽均安装于基座的顶面；热电堆探测器芯片收容在管帽与基座围合形成的空间内。热电堆探测器芯片包括硅框架、设于硅框架上的热电堆。热电堆包括冷端区以及热端区，冷端区和热端区采用同种材料和相同的工艺制备而成；冷端区到硅框架的距离与热端区到硅框架的距离相同。冷端区设有冷端反射层，热端区设有热端反射层，且冷端反射层与热端反射层呈180

【技术实现步骤摘要】
一种热电堆传感器及其红外温度计


[0001]本专利技术涉及涉及温度检测设备
，尤其涉及一种热电堆传感器及红外温度计。

技术介绍

[0002]现有的红外温度计在变化环境条件下使用时，红外温度计的壳体与热电堆传感器之间容易出现温度差，导致红外温度计里的热电堆传感器出现温度梯度，从而影响了测量结果。
[0003]此外，现有的热电堆传感器由于不同种材料的热容量/热导率的比值较难完全一致，受限于材料本身的特性，温度热梯度导致的测量误差无法完全消除，从而影响了测量结果。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供一种对自身温度变化不敏感，有效提高测量精确度的热电堆传感器及红外温度计。
[0005]本专利技术采用的技术方案为：一种热电堆传感器，包括：基座、管帽、热电堆探测器芯片、热敏电阻；所述热电堆探测器芯片和所述热敏电阻粘接于所述基座的顶面；所述管帽的底部安装于所述基座的顶面，所述热电堆探测器芯片和所述热敏电阻均收容在所述管帽与所述基座围合形成的空间内；
[0006]所述热电堆探测器芯片包括硅框架、设于所述硅框架本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种热电堆传感器，其特征在于，包括：基座、管帽、热电堆探测器芯片、热敏电阻；所述热电堆探测器芯片和所述热敏电阻粘接于所述基座的顶面；所述管帽的底部安装于所述基座的顶面，所述热电堆探测器芯片和所述热敏电阻均收容在所述管帽与所述基座围合形成的空间内；所述热电堆探测器芯片包括硅框架、设于所述硅框架上的支撑膜以及设于所述支撑膜上的热电堆；所述热电堆包括至少一个冷端区以及至少一个热端区；所述冷端区和所述热端区采用同种材料以及相同的工艺制备而成，且所述冷端区到所述硅框架的距离与所述热端区到所述硅框架的距离相同；所述冷端区设有冷端反射层，所述热端区设有热端反射层，且所述冷端反射层和所述热端反射层的设置位置呈180
°
旋转对称。2.如权利要求1所述的热电堆传感器，其特征在于：所述热端反射层为铝层、钽层、钛层、镉层或铬层。3.如权利要求1所述的热电堆传感器，其特征在于：所述冷端区从上往下依次设有冷端第一钝化层、冷端反射层、冷端第二钝化层、冷端热偶层、冷端第三钝化层以及冷端支撑层；所述热端区从上往下依次设有热端第一钝化层、热端第二钝化层、热端热偶层、热端第三钝化层、热端反射层以及热端支撑层。4.如权利要求1所述的热电堆传感器，其特征在于：所述冷端区从上往下依次设有冷端第一钝化层、冷端反射层、冷端第二钝化层、冷端第一热偶层、冷端第三钝化层、冷端第二热偶层、冷端第四钝化层以及冷端支撑层；所述热端区从上往下依次设有热端第一钝化层、热端第二钝化层、热端第一热偶层、热端第三钝化层、热端第二热偶层、热端第四钝化层、热端反射层以及热端支撑层。5.如权利要求1所述的热电堆传感器，其特征在于：所述热电堆包括两个所述冷端区以及两个所述热端区；两个所述冷端区以及两个所述热端区呈矩形排列，且两个所述热...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘雷，吴伟杰，肖青青，
申请(专利权)人：广州市极限传感科技有限公司，
类型：发明
国别省市：