本发明专利技术实施例提供了一种轻质、高导电薄膜的制备装置和制备工艺，该设备包括设置在真空室中的蒸镀腔室、过渡腔室和磁控溅射腔室，过渡腔室位于蒸镀腔室和磁控溅射腔室之间，蒸镀腔室、过渡腔室和磁控溅射腔室通过隔离板在真空室中隔离而成，蒸镀腔室用于对需要进行蒸发的基膜进行蒸镀，蒸镀后的基膜通过过渡腔室进入磁控溅射腔室对蒸发后的薄膜进行磁控溅射镀膜。本发明专利技术不仅成本较低，而且还能够使得镀膜后的薄膜表面的金属更加紧密，提高薄膜的导电性能。电性能。电性能。
【技术实现步骤摘要】
一种轻质、高导电薄膜的制备装置和制备工艺
[0001]本专利技术属于新能源动力电池的先进制造
，特别涉及一种应用于新能源动力电池制造的一种轻质、高导电薄膜的制备装置和制备工艺。
技术介绍
[0002]真空镀膜技术作为一种产生特定膜层的技术，在现实生活中有着广泛的应用。真空镀膜技术的形式有多种，包括真空离子蒸发，磁控溅射，MBE分子束外延，PLD激光溅射沉积等。目前应用较多的是真空蒸发镀膜和磁控溅射镀膜两种。对于真空蒸发镀膜一般是加待蒸镀材料材使表面组分以原子团或离子形式被蒸发出来，并且沉降在基片表面，通过成膜过程形成薄膜，镀膜厚度均匀性主要取决于基片材料与待镀材料的晶格匹配程度、基片表面温度、蒸发功率、速率、真空度和镀膜时间等。由于蒸发镀膜组分均匀性不是很容易保证，而磁控溅射镀膜组分均匀性容易保持，因此，现有技术中心常常将真空蒸发镀膜与磁控溅射镀膜相结合，但是现有技术中心的薄膜生产设备中真空蒸镀和磁控溅射镀膜的设备往往是分开设立的，在真空蒸发镀膜完成后或者磁控溅射镀膜完成后需要运输到下一个工序，在这个过程中薄膜上面的金属有可能被氧化，以及附着上水汽等影响薄膜质量，并且运输还会加大生产成本。
技术实现思路
[0003]有鉴于此，本专利技术实施例的目的在于提供一种轻质、高导电薄膜的制备装置和制备工艺，以解决现有技术蒸镀与磁控溅射镀膜设备分开，导致在运输过程中导致薄膜氧化以及运输增加成本的技术问题。
[0004]为达上述目的，第一方面，本专利技术实施例提供了一种轻质、高导电薄膜的制备装置，包括：设置在真空室中的蒸镀腔室、过渡腔室和磁控溅射腔室，所述过渡腔室位于蒸镀腔室和磁控溅射腔室之间，所述蒸镀腔室、所述过渡腔室和所述磁控溅射腔室通过隔离板在真空室中隔离而成，所述蒸镀腔室用于对需要进行蒸发的基膜进行蒸镀，蒸镀后的基膜通过过渡腔室进入所述磁控溅射腔室对蒸镀后的基膜进行磁控溅射镀膜。
[0005]在一些可能的实施方式中，所述蒸镀腔室包括：
[0006]第一真空架和第二真空架，竖直的设置在所述蒸镀腔室的底部；
[0007]第一蒸镀源和第二蒸镀源，所述第一蒸镀源和所述第二蒸镀源的两端分别安装在所述第一真空架和所述第二真空架上，且所述第一蒸镀源在竖直方向上的安装高度低于所述第二蒸镀源；
[0008]放卷辊和第一转向辊，分别垂直安装于所述第一真空架和所述第二真空架上，且位于所述第一蒸镀源和所述第二蒸镀源之间；
[0009]第二转向辊和第三转向辊，分别垂直的安装于所述第一真空架和所述第二真空架上，且位于所述第二蒸镀源之间。
[0010]在一些可能的实施方式中，所述放卷辊和所述第一转向辊在竖直方向上的安装高
度相同；
[0011]所述第二转向辊和所述第三转向辊在竖直方向上的安装高度相同。
[0012]在一些可能的实施方式中，所述过渡腔室包括：
[0013]过渡柱，以及垂直安装于所述过渡柱上的收卷辊。
[0014]在一些可能的实施方式中，所述过渡腔室包括：
[0015]过渡辊，垂直安装于所述过渡柱上，且位于所述收卷辊的上方。
[0016]在一些可能的实施方式中，所述磁控溅射腔室包括：
[0017]第一展平机构和第二展平机构，安装于所述磁控溅射腔室的侧壁上，所述第一展平机构在竖直方向上的安装高度高于所述第二展平机构；
[0018]第一磁控溅射机构，位于所述第一展平机构的下方并安装于所述磁控溅射腔室的侧壁上；
[0019]第二磁控溅射机构，位于所述第二展平机构的下方并安装于所述磁控溅射腔室的侧壁上；
[0020]转向机构，位于所述第一展平机构和所述第二展平机构之间。
[0021]在一些可能的实施方式中，所述第一展平机构包括：第一展平辊和第二展平辊，所述第一展平辊和所述第二展平辊在竖直方向上的安装高度相等；
[0022]所述第二展平机构包括：第三展平辊和第四展平辊，所述第三展平辊和所述第四展平辊在竖直方向上的安装高度相等。
[0023]在一些可能的实施方式中，所述转向机构包括第四转向辊，所述第四转向辊在竖直方向上的安装高度位于所述第一展平辊和所述第三展平辊之间。
[0024]在一些可能的实施方式中，所述第一磁控溅射机构包括：第一靶材和第二靶材，所述第一靶材和所述第二靶材在竖直方向上的安装高度相同；
[0025]所述第二磁控溅射机构包括：第三靶材和第二靶材，所述第三靶材和所述第四靶材在竖直方向上的安装高度相同。
[0026]在一些可能的实施方式中，在所述蒸镀腔室、所述过渡腔室和所述磁控溅射腔室上分别安装有抽真空系统。
[0027]第二方面，本专利技术提供了一种制备轻质、高导电薄膜的制备工艺，所述制备轻质、高导电薄膜的制备工艺基于上述任意一种所述的轻质、高导电薄膜的制备装置，所述工艺包括如下步骤：
[0028]通过蒸镀腔室对待蒸镀的基膜绕卷后进行蒸镀；
[0029]蒸镀后的基膜通过过渡腔室进入磁控溅射腔室，通过磁控溅射腔室对蒸镀后的基膜进行磁控溅射镀膜；
[0030]将磁控溅射镀膜后的基膜通过过渡腔室进行收卷。
[0031]本专利技术实施例提供的一种轻质、高导电薄膜的制备装置和制备工艺，包括设置在真空室中的蒸镀腔室、过渡腔室和磁控溅射腔室，过渡腔室位于蒸镀腔室和磁控溅射腔室之间，蒸镀腔室、过渡腔室和磁控溅射腔室通过隔离板在真空室中隔离而成，蒸镀腔室用于对需要进行蒸发的基膜进行蒸镀，蒸镀后的基膜通过过渡腔室进入磁控溅射腔室对蒸镀后的薄膜进行磁控溅射镀膜。本专利技术不仅成本较低，而且还能够使得镀膜后的薄膜表面的金属更加紧密，提高薄膜的导电性能。
附图说明
[0032]为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0033]图1是本专利技术实施例提供的一种轻质、高导电薄膜的制备装置的结构框图；
[0034]图2是本专利技术实施例提供的一种蒸镀腔室的主视图；
[0035]图3是本专利技术实施例提供的一种过渡腔室的主视图；
[0036]图4是本专利技术实施例提供的另一种过渡腔室的主视图；
[0037]图5是本专利技术实施例提供的一种磁控溅射腔室的主视图；
[0038]图6是本专利技术实施例提供的一种轻质、高导电薄膜的制备装置的主视图；
[0039]图7是本专利技术实施例提供的一种轻质、高导电薄膜的制备工艺的流程图。
[0040]附图标号说明：
[0041]1、蒸镀腔室；2、过渡腔室；3、磁控溅射腔室；4、隔离板；5、抽真空系统；121、第一蒸镀源；122、第二蒸镀源；111、第一真空架；112、第二真空架；13、放卷辊；141、第一转向辊；142、第二转向辊；143、第三转向辊；21、过渡柱；22、收卷辊；23、过渡辊；本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种轻质、高导电薄膜的制备装置，其特征在于，包括：设置在真空室中的蒸镀腔室(1)、过渡腔室(2)和磁控溅射腔室(3)，所述过渡腔室(2)位于所述蒸镀腔室(1)和所述磁控溅射腔室(3)之间，所述蒸镀腔室(1)、所述过渡腔室(2)和所述磁控溅射腔室(3)通过隔离板(4)在真空室中隔离而成，所述蒸镀腔室(1)用于对需要进行蒸发的基膜进行蒸镀，蒸镀后的基膜通过所述过渡腔室(2)进入所述磁控溅射腔室(3)，所述磁控溅射腔室(3)对蒸镀后的基膜进行磁控溅射镀膜。2.根据权利要求1所述的一种轻质、高导电薄膜的制备装置，其特征在于，所述蒸镀腔室(1)包括：第一真空架(111)和第二真空架(112)，竖直的设置在所述蒸镀腔室(1)的底部；第一蒸镀源(121)和第二蒸镀源(122)，所述第一蒸镀源(121)和所述第二蒸镀源(122)的两端分别安装在所述第一真空架(111)和所述第二真空架(112)上，且所述第一蒸镀源(121)在竖直方向上的安装高度低于所述第二蒸镀源(122)；放卷辊(13)和第一转向辊(141)，分别垂直安装于所述第一真空架(111)和所述第二真空架(112)上，且位于所述第一蒸镀源(121)和所述第二蒸镀源(122)之间；第二转向辊(142)和第三转向辊(143)，分别垂直安装于所述第一真空架(111)和所述第二真空架(112)上，且分别位于所述第二蒸镀源(122)的上方。3.根据权利要求2所述的一种轻质、高导电薄膜的制备装置，其特征在于，所述放卷辊(13)和所述第一转向辊(141)在竖直方向上的安装高度相同；所述第二转向辊(142)和所述第三转向辊(143)在竖直方向上的安装高度相同。4.根据权利要求1所述的一种轻质、高导电薄膜的制备装置，其特征在于，所述过渡腔室(2)包括：过渡柱(21)，以及垂直安装于所述过渡柱(21)上的收卷辊(22)；过渡辊(23)，垂直安装于所述过渡柱(21)上，且位于所述收卷辊(22)的上方。5.根据权利要求1所述的一种轻质、高导电薄膜的制备装置，其特征在于，所述磁控溅射腔室(3)包括：第一展平机构和第二展平机构，安装于所述磁控溅射腔室(3)的侧壁上，所述第...
【专利技术属性】
技术研发人员：臧世伟，
申请(专利权)人：重庆金美新材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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