接合用铜糊料、接合体的制造方法及接合体技术

接合用铜糊料含有铜粒子、熔点为120℃以下的聚羧酸及分散介质。接合体的制造方法具备：第1工序，准备依次层叠有第1构件、接合用铜糊料及第2构件的层叠体；及第2工序，在氢浓度为45％以下的气体气氛下加热层叠体来烧结接合用铜糊料。接合体具备第1构件、第2构件、及接合第1构件和第2构件的接合用铜糊料的烧结体。合第1构件和第2构件的接合用铜糊料的烧结体。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】接合用铜糊料、接合体的制造方法及接合体


[0001]本专利技术涉及一种接合用铜糊料、接合体的制造方法及接合体。

技术介绍

[0002]电子器件中的电接合通常使用钎焊接合。例如，在微型器件的倒装片接合中，在微型器件与基板上的电极焊盘的接合中使用钎焊球、钎焊糊料等。
[0003]近年来，在倒装片接合中，随着端子的窄间距化，使用在微型器件上形成金属柱状物、将该金属柱状物与基板上的电极焊盘进行钎焊接合的方法。但是，钎焊接合中存在以下问题：(1)在钎焊料与电极焊盘之间、以及钎焊料与金属柱状物之间产生柯肯达尔空洞、(2)在接合后再次进行回流焊工序时钎焊熔融而发生接合不良、(3)产生因异种金属界面上的阻抗不一致所导致的信号的反射等。
[0004]对此，正在研究使用除钎焊料以外的金属进行接合的方法。例如，在下述专利文献1中提出了使用混合有铜微米粒子和铜纳米粒子的接合剂(铜糊料)将设置于微型器件上的铜柱状物与基板上的铜焊盘之间进行接合的方法。
[0005]以往技术文献
[0006]专利文献
[0007]专利文献1：美国专利本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种接合用铜糊料，其含有铜粒子、熔点为120℃以下的聚羧酸及分散介质。2.根据权利要求1所述的接合用铜糊料，其中，以所述铜粒子的总量为基准，所述聚羧酸的含量为0.01～1.5质量％。3.根据权利要求1或2所述的接合用铜糊料，其中，作为所述聚羧酸，包含由下述通式(1)表示的二羧酸，HOOC
‑
R
‑
COOH
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(1)式(1)中，R表示2价的碳原子数2～10的直链或支链的饱和或不饱和烃基。4.根据权利要求1至3中任一项所述的接合用铜糊料，其中，作为所述聚羧酸，包含熔点为100℃以下的聚羧酸。5.根据权利要求1至4中任一项所述的接合用铜糊料，其中，作为所述聚羧酸，包含二甲基戊二酸。6.根据权利要求1至5中任一项所述的接合用铜糊料，其中，作为所述分散介质，包含二氢松油醇。7.根据权利要求1至6中任一项所述的接合用铜糊料，其中，作为所述铜粒子，包含体积平均粒径为0.12～0.8μm的亚微米铜粒子及最大直径为2～50μm且纵横比为3.0以上的片状微米铜粒子。8.根据权利要求7所述的接合用铜糊料，其中，以所述铜粒子的总质量为基准，所述亚微米铜粒子的含量为30～90质量％，以所述铜粒子的总质量为基准，所述微米铜粒子的含量为10～70质量％。9.根据权利要求1至8中任一项所述的接合用铜糊料，其用于无加压接合。10.一种接合体的制造方法，其具备：第1工序，准备依次层叠有第1构件、权利要求1至8中任一项所述的接合用铜糊料及第2构件的层叠体；及第2工序，在氢浓度为45％以下的气体气氛下加热所述层叠体来烧结所述接合用铜糊料。11.根据权利要求10所述的接合体的制造方法，其中，所述气体气氛为氮气气氛。12.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：川名祐贵，江尻芳则，中子伟夫，名取美智子，根岸征央，石川大，须镰千绘，
申请(专利权)人：昭和电工材料株式会社，
类型：发明
国别省市：