表面处理装置(1a)在等离子体生成装置(40)(表面处理机构)或溅镀装置(70)(表面处理机构)对被处理件(W)进行表面处理时，通过伺服马达(120)(搅拌机构)使收容单元(100)摆动。由此，将收容在收容单元(100)中的被处理件(W)搅拌，对被处理件(W)的表面整体均匀地进行表面处理。因而，即使作为表面处理的对象的被处理件(W)是较小的立体形状，也能够对表面整体均匀地进行表面处理。匀地进行表面处理。匀地进行表面处理。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】表面处理装置
[0001]本专利技术涉及进行对被处理件照射等离子体等的表面处理的表面处理装置。
技术介绍
[0002]以往，已知有通过使用等离子体进行被处理件的表面的清洗或改性来形成金属催化剂层或功能基等的表面处理装置、或使用溅镀装置进行溅镀的表面处理装置。
[0003]例如，在专利文献1所记载的等离子体成膜装置中，设置被作为阳极电极使用的多个基板支架，在该多个基板支架之间形成多个阴极电极。并且，在电极间导入反应气体并向电极间供给交流电力，使反应气体成为等离子体状态，在基板上生成薄膜。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献1：日本特许第5768890号公报
技术实现思路
[0006]专利技术要解决的课题
[0007]在专利文献1的等离子体成膜装置中，虽然适合于将较薄的板状的零件大量地成膜，但不能在较小的立体形状的零件的表面上均匀地照射等离子体，所以不能在较小的立体形状的零件的表面整体上均匀地成膜。
[0008]本专利技术是鉴于上述而做出的，目的是提供一种即使作为表面处理的对象的被处理件是较小的立体形状也能够对表面整体均匀地进行表面处理的表面处理膜装置。
[0009]用来解决课题的手段
[0010]为了解决上述的课题、达到目的，有关本专利技术的表面处理装置的特征在于，具备：收容单元，收容被处理件；表面处理机构，对收容在上述收容单元中的上述被处理件进行表面处理；以及搅拌机构，在上述表面处理机构对上述被处理件进行表面处理时将上述被处理件搅拌。
[0011]专利技术效果
[0012]有关本专利技术的表面处理装置起到即使在作为表面处理的对象的被处理件是较小的立体形状的零件的情况下也能够对表面整体均匀地进行表面处理的效果。
附图说明
[0013]图1是表示有关第1实施方式的表面处理装置的装置结构的示意图。
[0014]图2是图1的A—A截面示意图。
[0015]图3是等离子体生成装置位于腔室内的情况下的示意图。
[0016]图4是溅镀装置位于腔室内的情况下的示意图。
[0017]图5是等离子体生成装置的详细图。
[0018]图6是图5的B—B剖视图。
[0019]图7是溅镀装置的详细图。
[0020]图8是图7的C—C剖视图。
[0021]图9是等离子体生成装置位于腔室内时的收容单元周边的结构的说明图。
[0022]图10是溅镀装置位于腔室内时的收容单元周边的结构的说明图。
[0023]图11是图9的D—D剖视图。
[0024]图12是图10的E—E剖视图。
[0025]图13是收容单元的立体图。
[0026]图14是表示图11所示的收容单元及收容单元支承部件摆动的状态的说明图。
[0027]图15是表示图12所示的收容单元及收容单元支承部件摆动的状态的说明图。
[0028]图16是表示收容单元的形状的一例的正视图及侧视图。
[0029]图17是图1所示的泵单元的详细图。
[0030]图18是将图17从F—F方向观察的升降轴、涡轮千斤顶部详细图。
[0031]图19是图17的截面示意图。
[0032]图20是表示图19所示的升降阀将开口部打开的状态的说明图。
[0033]图21是表示由有关实施方式的表面处理装置进行被处理件的表面处理时的次序的流程图。
[0034]图22是另一形态的收容单元的立体图。
[0035]图23是图22的收容单元的俯视图及侧视图。
[0036]图24是说明有关第2实施方式的表面处理装置的硬件结构的硬件框图。
[0037]图25是表示摆动样式的具体例的图。
具体实施方式
[0038]以下，基于附图详细地说明有关本专利技术的表面处理装置的实施方式。另外，并不由该实施方式限定该专利技术。此外，在下述实施方式的构成要素中，包括本领域技术人员能够替换且能够容易地想到者、或实质上相同者。
[0039][1.第1实施方式][0040]本专利技术的第1实施方式，是通过向例如由树脂材料成形的被处理件W的表面照射等离子体、在被处理件W的表面上生成功能基、然后在通过功能基的生成而皮膜的密接性提高的被处理件W的表面上通过溅镀形成薄膜的表面处理装置1a的例子。
[0041][1
‑
1.表面处理装置的结构的说明][0042]图1是表示有关第1实施方式的表面处理装置的装置结构的示意图。图2是图1的A—A截面示意图。另外，在以下的说明中，将表面处理装置1a的通常的使用状态下的上下方向设为表面处理装置1a的上下方向Z进行说明，将表面处理装置1a的通常的使用状态下的上侧设为表面处理装置1a的上侧、将表面处理装置1a的通常的使用状态下的下侧设为表面处理装置1a的下侧进行说明。此外，将表面处理装置1a的通常的使用状态下的水平方向设为表面处理装置1a的水平方向进行说明。进而，将水平方向中的收容单元支承部件110的摆动轴111的延伸方向设为表面处理装置1a的长度方向Y、将表面处理装置1a的与上下方向Z和长度方向Y这两者正交的方向设为表面处理装置1a的宽度方向X而进行说明。
[0043]有关本实施方式的表面处理装置1a具有：腔室10，被形成为在内部能够收容被处理件W；等离子体生成装置40，是对被处理件W进行表面处理的表面处理机构的一例；溅镀装
置70，是对被处理件W进行与等离子体生成装置40不同的表面处理的表面处理机构的一例；收容单元100，收容被处理件W；以及泵单元140，将腔室10内的压力减压。另外，被处理件W是由例如塑料树脂等的树脂材料成形的较小的立体形状的工件。
[0044]等离子体生成装置40生成等离子体，通过将所生成的等离子体向被处理件W照射，对被处理件W进行表面处理。更具体地讲，通过对被处理件W的表面照射等离子体而生成功能基。由此，提高生成作为在后工序中向被处理件W的表面镀层加工的基底的薄膜时的薄膜的密接性。
[0045]溅镀装置70通过对由等离子体生成装置40表面处理后的被处理件W进行溅镀，对被处理件W进行形成作为镀层加工的基底的薄膜的表面处理。另外，等离子体生成装置40和溅镀装置70如后述那样，通过切换配置在腔室10内的一侧的装置，能够对相同的被处理件W进行不同的表面处理(参照图3、图4)。
[0046]另外，图1、图2由于表示等离子体生成装置40或溅镀装置70位于腔室10内的情况下的腔室10中的位置关系，所以为在位于腔室10内的一侧的装置是等离子体生成装置40和溅镀装置70的哪种的情况下都能够应用的示意图。腔室10由中空的大致长方体的形状形成，等离子体生成装置40及溅镀装置70被安装在作为上侧的壁面的上壁12上，被配置在腔室10内。此外，在腔室10中，在腔室10的侧壁13上配置有使在溅镀装置70进行溅镀时使用的气体向腔室10内流入的气体流入部16。
[0047]此外，收容单元100在被收容单元支承部件本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种表面处理装置，其特征在于，具备：收容单元，收容被处理件；表面处理机构，对收容在上述收容单元中的上述被处理件进行表面处理；以及搅拌机构，在上述表面处理机构对上述被处理件进行表面处理时将上述被处理件搅拌。2.如权利要求1所述的表面处理装置，其特征在于，上述搅拌机构使上述收容单元绕摆动轴摆动。3.如权利要求2所述的表面处理装置，其特征在于，上述收容单元设置在上述表面处理机构的下方，上述搅拌机构使上述收容单元绕在与上述表面处理机构平行的方向上贯穿的上述摆动轴摆动。4.如权利要求1或2所述的表面处理装置，其特征在于，上述搅拌机构使上述收容单元和上述表面处理机构一体地摆动。5.如权利要求2～4中任一项所述的表面处理装置，其特征在于，还具备指示上述收容单元、或上述收容单元及上述表面处理机构的摆动样式的指示机构，上述搅拌机构按照上述指示机构所指示的摆动样式搅拌上述被处理件。6.如权利要求2～5中任一项所述的表面处理装置，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：福山聪，栗原义明，难波武志，能势功一，
申请(专利权)人：芝浦机械株式会社，
类型：发明
国别省市：
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