包括具有可调谐折射率的材料的边缘耦合器制造技术

本申请涉及包括具有可调谐折射率的材料的边缘耦合器，揭示了包括边缘耦合器的结构以及制造包括边缘耦合器的结构的方法。该边缘耦合器包括波导芯，该波导芯具有邻近衬底的边缘终止的端部表面。该波导芯包含的材料具有第一状态以及第二状态，该第一状态具有响应施加刺激的第一折射率，该第二状态具有不同于该第一折射率的第二折射率。折射率的第二折射率。折射率的第二折射率。

【技术实现步骤摘要】
包括具有可调谐折射率的材料的边缘耦合器


[0001]本专利技术涉及光子芯片，尤其涉及包括边缘耦合器的结构以及制造包括边缘耦合器的结构的方法。

技术介绍

[0002]光子芯片用于许多应用及系统中，这些系统包括数据通信系统及数据计算系统。光子芯片将光学组件(例如波导、光学开关、边缘耦合器、以及偏振片)与电子组件(例如场效应晶体管)集成于统一的平台中。除其它因素以外，布局面积、成本以及操作开销可通过集成两种类型的组件来减小。
[0003]边缘耦合器通常用于在光纤与光子芯片上的光学组件之间耦合激光。该边缘耦合器可包括一段狭窄的波导芯，其模式尺寸显着小于该光纤所发射的激光束。尽管光纤可以不同的模式尺寸制造，但传统的边缘耦合器具有固定的模式尺寸，其限制了兼容性。由于不匹配的模式尺寸，以及模式形状的差异，可能发生光纤与边缘耦合器之间的光耦合效率低下。此外，引起封装误差的制造瑕疵可导致光纤与边缘耦合器之间的未对齐。这些效率低下等问题可导致严重的耦合损失。遗憾的是，传统的边缘耦合器是不可调谐的，从而无法顾及具有不同模式尺寸的光纤或减轻制造及封装误差的负面本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种结构，包括：衬底，具有边缘；以及边缘耦合器，包括第一波导芯，该第一波导芯具有邻近该衬底的该边缘终止的端部表面，该第一波导芯由第一材料组成，该第一材料具有第一状态以及第二状态，该第一状态具有响应施加刺激的第一折射率，该第二状态具有不同于该第一折射率的第二折射率。2.如权利要求1所述的结构，其中，该第一波导芯的该第一材料为氧化铟锡。3.如权利要求1所述的结构，其中，该第一波导芯的该第一材料为氧化钒或锗
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锑
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碲。4.如权利要求1所述的结构，其中，该边缘耦合器包括第一电极及第二电极，且该第一波导芯包括位于该第一电极与该第二电极间的部分。5.如权利要求4所述的结构，还包括：介电层，位于该第一波导芯上方；第一接触件，位于该介电层中，该第一接触件与该第一电极耦接；以及第二接触件，位于该介电层中，该第一接触件与该第二电极耦接。6.如权利要求5所述的结构，还包括：电源，通过该第一接触件与该第一电极耦接并通过该第二接触件与该第二电极耦接，该电源经配置以施加偏置电压作为针对该第一电极及该第二电极的该施加刺激，以提供该第一状态，以及自该第一电极及该第二电极移除该偏置电压，以提供该第二状态。7.如权利要求1所述的结构，还包括：介电层，位于该第一波导芯上方；以及电阻加热器，位于邻近该第一波导芯的该介电层中，该电阻加热器经配置以产生热，该热通过该介电层传递，作为针对该第一波导芯的该第一材料的该施加刺激。8.如权利要求1所述的结构，其中，该第一波导芯包括由该端部表面终止的锥形区段，且该锥形区段具有随着与该端部表面的距离增加而增加的宽度尺寸。9.如权利要求8所述的结构，其中，该第一波导芯包括纵轴，且该第一波导芯的该锥形区段包括沿该纵轴设置的多个片段。...

【专利技术属性】
技术研发人员：卞宇生，
申请(专利权)人：格芯美国集成电路科技有限公司，
类型：发明
国别省市：