具有隔离吸收器的多模光波导结构制造技术

本公开涉及半导体结构，更具体地涉及具有隔离吸收器的多模光波导结构和制造方法。该结构包括：波导结构，其包括锥形段；以及至少一个隔离波导吸收器，其沿波导结构的长度邻近波导结构。结构。结构。

【技术实现步骤摘要】
具有隔离吸收器的多模光波导结构


[0001]本公开涉及半导体结构，更具体地涉及具有隔离吸收器的多模光波导结构和制造方法。

技术介绍

[0002]半导体光波导结构(例如光子部件)是集成光电子系统的重要部件。例如，半导体光波导结构能够通过限制光向周围衬底中的扩展而以最小的能量损失引导光波(例如光)。光波导结构可用于许多不同的应用，其中包括例如半导体激光器、滤光器、开关、调制器、隔离器和光电探测器。半导体材料的使用还允许借助已知的制造技术实现到光电子器件中的单片集成。
[0003]光子器件的开放或未连接的端口或其他终端点可导致光信号泄漏或反向散射到芯片中。这还可导致与其他光子器件的串扰，以及光信号的整体干扰。为了防止此类问题发生，吸收器(例如吸收器)被耦合到光子器件的开放或未连接的端口或其他终端点。已知由Ge材料制成的吸收器，因为它们很容易集成到光子器件的制造工艺中。

技术实现思路

[0004]在本公开的一方面，一种结构包括：波导结构，其包括锥形段(tapered segment)；以及至少一个隔离波导吸收器，其沿所述波导结构本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种结构，包括：波导结构，其包括锥形段；以及至少一个隔离波导吸收器，其沿所述波导结构的长度邻近所述波导结构。2.根据权利要求1所述的结构，还包括位于所述波导结构的输出端处的多晶硅材料，其中所述多晶硅材料的边界位于所述波导结构的边界内。3.根据权利要求2所述的结构，其中所述波导结构的半导体材料包括凹槽，并且所述多晶硅材料位于所述凹槽内。4.根据权利要求2所述的结构，其中所述波导结构包括Si材料，并且所述至少一个隔离波导吸收器包括Si材料和Ge材料。5.根据权利要求4所述的结构，其中所述Ge材料凹陷到所述至少一个隔离波导吸收器的所述Si材料中。6.根据权利要求2所述的结构，还包括绝缘体材料，所述绝缘体材料将所述多晶硅材料与所述波导结构的半导体材料分隔开。7.根据权利要求1所述的结构，其中所述至少一个隔离波导吸收器包括沿所述波导结构的长度的多个波导吸收器。8.根据权利要求7所述的结构，其中所述多个波导吸收器中的每一个包括锥形输入端。9.根据权利要求8所述的结构，其中所述多个波导吸收器中的每一个的所述锥形输入端相对于所述波导结构的所述锥形段偏移。10.根据权利要求1所述的结构，其中所述至少一个隔离波导吸收器包括沿所述波导结构的长度的单个连续的波导吸收器，并且所述单个连续的波导吸收器包括Si材料和Ge材料。11.根据权利要求1所述的结构，其中所述波导结构包括在与所述至少一个隔离波导吸收器不同的层级上的SiN...

【专利技术属性】
技术研发人员：A，
申请(专利权)人：格芯美国集成电路科技有限公司，
类型：发明
国别省市：