多环芳香族化合物、反应性化合物、有机器件用材料、油墨组合物、及有机电致发光元件制造技术

本发明专利技术提供一种新颖的多环芳香族化合物、反应性化合物、高分子化合物或高分子交联体、悬挂型高分子化合物或悬挂型高分子交联体、有机器件用材料、油墨组合物、有机电致发光元件、以及显示装置或照明装置。通过制作将新颖的多环芳香族化合物例如用作掺杂剂材料的有机EL元件，提供一种发光光谱的半值宽度窄且颜色纯度优异的有机EL元件，进而提供一种量子效率、元件寿命优异的有机EL元件。元件寿命优异的有机EL元件。元件寿命优异的有机EL元件。

【技术实现步骤摘要】
多环芳香族化合物、反应性化合物、有机器件用材料、油墨组合物、及有机电致发光元件


[0001]本专利技术涉及一种多环芳香族化合物、使用所述多环芳香族化合物的有机电致发光元件、有机场效晶体管、有机薄膜太阳电池及波长转换滤光器等有机器件、以及显示装置及照明装置。此外，本说明书中有时将“有机电致发光元件”表述为“有机EL(Electroluminescence)元件”或简单表述为“元件”，尤其涉及一种多环芳香族化合物、反应性化合物、有机器件用材料、油墨组合物、及有机电致发光元件。

技术介绍

[0002]从前，使用进行电致发光的发光元件的显示装置因能够实现省电力化或薄型化而得到各种研究，进而，包含有机材料的有机电致发光元件因容易轻量化或大型化而得到积极研究。特别是，关于具有作为光的三原色之一的蓝色或绿色等的发光特性的有机材料的开发，以及具备空穴、电子等的电荷传输能力(具有成为半导体或超导体的可能性)的有机材料的开发，迄今为止不论是高分子化合物还是低分子化合物均得到积极研究。
[0003]有机EL元件具有如下结构，所述结构包括：包含阳极及阴极的一对本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多环芳香族化合物，由下述通式(1A)或通式(1B)表示，所述式(1A)或式(1B)中，R
a
为氢或取代基，a环中的
“‑
C(
‑
R
a
)＝”可经取代为
“‑
N＝”，B环、C环、D环、E环、F环、及G环分别独立地为芳基环或杂芳基环，这些环中的至少一个氢可经取代，Y1、Y2、及Y3分别独立地为＞B
‑
、＞P
‑
、＞P(＝O)
‑
、＞P(＝S)
‑
、＞Al
‑
、＞Ga
‑
、＞As
‑
、＞C(
‑
R)
‑
、＞Si(
‑
R)
‑
、或＞Ge(
‑
R)
‑
，所述＞C(
‑
R)
‑
的R、＞Si(
‑
R)
‑
的R、及＞Ge(
‑
R)
‑
的R分别独立地为可经取代的芳基、可经取代的杂芳基、可经取代的烷基、或可经取代的环烷基，X1及X2分别独立地为＞N
‑
R、＞O、＞S、＞C(
‑
R)2、＞Si(
‑
R)2、或＞Se，所述＞N
‑
R的R、＞C(
‑
R)2的R、及＞Si(
‑
R)2的R分别独立地为氢、可经取代的芳基、可经取代的杂芳基、可经取代的烷基、或可经取代的环烷基，所述＞C(
‑
R)2的两个R彼此及＞Si(
‑
R)2的两个R彼此的至少一个可通过单键或连结基而键结，作为X1的所述＞N
‑
R的R、＞C(
‑
R)2的R、或＞Si(
‑
R)2的R可通过单键或连结基而与a环及B环的至少一个键结，作为X2的所述＞N
‑
R的R、＞C(
‑
R)2的R、或＞Si(
‑
R)2的R可通过单键或连结基而与a环及E环的至少一个键结，C环及D环、G环及B环、以及F环及E环可分别独立地通过单键或连结基而键结，其中，在所述式(1A)中，存在C环及D环的CD键、作为X1的＞N
‑
R的R(所述R限于所述可经取代的芳基、所述可经取代的杂芳基、或所述可经取代的环烷基)及B环的X1B键、作为X2的＞N
‑
R的R(所述R限于所述可经取代的芳基、所述可经取代的杂芳基、或所述可经取代的环烷基)及E环的X2E键这三个键中的任一个或两个键，另外，在所述式(1B)中，存在C环及D环的CD键、G环及B环的GB键、F环及E环的FE键这三个键中的任一个或两个键，所述式(1A)或式(1B)所表示的化合物中的B环、C环、D环、E环、F环、G环、芳基、及杂芳基的至少一个可由至少一个环烷烃缩合，所述环烷烃中的至少一个氢可经取代，所述环烷烃中的至少一个
‑
CH2‑
可经
‑
O
‑
取代，所述式(1A)或式(1B)所表示的化合物中的至少一个氢可经氘、氰基、或卤素取代。2.根据权利要求1所述的多环芳香族化合物，其中所述式(1A)或式(1B)中，R
a
为氢、可经取代的芳基、可经取代的杂芳基、可经取代的二芳基氨基、可经取代的二杂芳基氨基、可经取代的芳基杂芳基氨基、可经取代的二芳基硼基(两个芳基可通过单键或连结基而键结)、可经取代的烷基、可经取代的环烷基、可经取代的烷氧基、可经取代的芳氧基、或取代硅烷基，a环中的
“‑
C(
‑
R
a
)＝”可经取代为
“‑
N＝”，
B环、C环、D环、E环、F环、及G环分别独立地为芳基环或杂芳基环，这些环中的至少一个氢可经可经取代的芳基、可经取代的杂芳基、可经取代的二芳基氨基、可经取代的二杂芳基氨基、可经取代的芳基杂芳基氨基、可经取代的二芳基硼基(两个芳基可经由单键或连结基而键结)、可经取代的烷基、可经取代的环烷基、可经取代的烷氧基、可经取代的芳氧基、或取代硅烷基取代，Y1、Y2、及Y3分别独立地为＞B
‑
、＞P
‑
、＞P(＝O)
‑
、＞P(＝S)
‑
、＞Al
‑
、＞Ga
‑
、＞As
‑
、＞C(
‑
R)
‑
、＞Si(
‑
R)
‑
、或＞Ge(
‑
R)
‑
，所述＞C(
‑
R)
‑
的R、＞Si(
‑
R)
‑
的R、及＞Ge(
‑
R)
‑
的R分别独立地为芳基、杂芳基、烷基、或环烷基，所述R中的至少一个氢可经烷基或环烷基取代，X1及X2分别独立地为＞N
‑
R、＞O、＞S、＞C(
‑
R)2、＞Si(
‑
R)2、或＞Se，所述＞N
‑
R的R、＞C(
‑
R)2的R、及＞Si(
‑
R)2的R分别独立地为氢、芳基、杂芳基、烷基、或环烷基，所述R中的至少一个氢可经烷基或环烷基取代，所述＞C(
‑
R)2的两个R彼此及＞Si(
‑
R)2的两个R彼此的至少一个可通过单键、
‑
CH＝CH
‑
、
‑
CR＝CR
‑
、
‑
C≡C
‑
、
‑
N(
‑
R)
‑
、
‑
O
‑
、
‑
S
‑
、
‑
C(
‑
R)2‑
、
‑
Si(
‑
R)2‑
、或
‑
Se
‑
而键结，所述
‑
CR＝CR
‑
的R、
‑
N(
‑
R)
‑
的R、
‑
C(
‑
R)2‑
的R、及
‑
Si(
‑
R)2‑
的R分别独立地为氢、芳基、杂芳基、烷基、烯基、炔基、或环烷基，所述R中的至少一个氢可经烷基或环烷基取代，另外，邻接的两个R彼此可形成环，而形成亚环烷基、亚芳基、或亚杂芳基，作为X1的所述＞N
‑
R的R、＞C(
‑
R)2的R、或＞Si(
‑
R)2的R可通过单键、
‑
CH＝CH
‑
、
‑
CR＝CR
‑
、
‑
C≡C
‑
、
‑
N(
‑
R)
‑
、
‑
O
‑
、
‑
S
‑
、
‑
C(
‑
R)2‑
、
‑
Si(
‑
R)2‑
、或
‑
Se
‑
而与a环及B环的至少一个键结，作为X2的所述＞N
‑
R的R、＞C(
‑
R)2的R、或＞Si(
‑
R)2的R可通过单键、
‑
CH＝CH
‑
、
‑
CR＝CR
‑
、
‑
C≡C
‑
、
‑
N(
‑
R)
‑
、
‑
O
‑
、
‑
S
‑
、
‑
C(
‑
R)2‑
、
‑
Si(
‑
R)2‑
、或
‑
Se
‑
而与a环及E环的至少一个键结，所述
‑
CR＝CR
‑
的R、
‑
N(
‑
R)
‑
的R、
‑
C(
‑
R)2‑
的R、及
‑
Si(
‑
R)2‑
的R分别独立地为氢、芳基、杂芳基、烷基、烯基、炔基、或环烷基，所述R中的至少一个氢可经烷基或环烷基取代，另外，邻接的两个R彼此可形成环，而形成亚环烷基、亚芳基、及亚杂芳基，C环及D环、G环及B环、以及F环及E环可分别独立地通过单键、
‑
CH＝CH
‑
、
‑
CR＝CR
‑
、
‑
C≡C
‑
、
‑
N(
‑
R)
‑
、
‑
O
‑
、
‑
S
‑
、
‑
C(
‑
R)2‑
、
‑
Si(
‑
R)2‑
、或
‑
Se
‑
而键结，所述
‑
CR＝CR
‑
的R、
‑
N(
‑
R)
‑
的R、
‑
C(
‑
R)2‑
的R、及
‑
Si(
‑
R)2‑
的R分别独立地为氢、芳基、杂芳基、烷基、烯基、炔基、或环烷基，所述R中的至少一个氢可经烷基或环烷基取代，另外，邻接的两个R彼此可形成环，而形成亚环烷基、亚芳基、及亚杂芳基，其中，在所述式(1A)中，存在C环及D环的CD键、作为X1的＞N
‑
R的R(所述R限于可经所述烷基或环烷基取代的所述芳基、所述杂芳基、或者所述环烷基)及B环的X1B键、作为X2的＞N
‑
R的R(所述R限于可经所述烷基或环烷基取代的所述芳基、所述杂芳基、或者所述环烷基)及E环的X2E键这三个键中的任一个或两个键，另外，在所述式(1B)中，存在C环及D环的CD键、G环及B环的GB键、F环及E环的FE键这三个键中的任一个或两个键，所述式(1A)或式(1B)所表示的化合物中的B环、C环、D环、E环、F环、G环、芳基、及杂芳基的至少一个可由至少一个环烷烃缩合，所述环烷烃中的至少一个氢可经取代，所述环烷烃中的至少一个
‑
CH2‑
可经
‑
O
‑
取代，所述式(1A)或式(1B)所表示的化合物中的至少一个氢可经氘、氰基、或卤素取代。3.根据权利要求1所述的多环芳香族化合物，由下述通式(2A)或下述通式(2B)表示，
所述式(2A)或式(2B)中，R
a
为氢、芳基、杂芳基、二芳基氨基、二杂芳基氨基、芳基杂芳基氨基、二芳基硼基(两个芳基可通过单键或连结基而键结)、烷基、环烷基、烷氧基、芳氧基、三芳基硅烷基、三烷基硅烷基、三环烷基硅烷基、二烷基环烷基硅烷基、或烷基二环烷基硅烷基，所述R
a
中的至少一个氢可经芳基、杂芳基、烷基、或环烷基取代，a环中的
“‑
C(
‑
R
a
)＝”可经取代为
“‑
N＝”，R
b
、R
c
、R
d
、R
e
、R
f
、及R
g
分别独立地为氢、芳基、杂芳基、二芳基氨基、二杂芳基氨基、芳基杂芳基氨基、二芳基硼基(两个芳基可通过单键或连结基而键结)、烷基、环烷基、烷氧基、芳氧基、三芳基硅烷基、三烷基硅烷基、三环烷基硅烷基、二烷基环烷基硅烷基、或烷基二环烷基硅烷基，所述R
b
、R
c
、R
d
、R
e
、R
f
、及R
g
中的至少一个氢可经芳基、杂芳基、烷基、或环烷基取代，另外R
b
、R
c
、R
d
、R
e
、R
f
、及R
g
中的邻接的基彼此可键结并分别与b环、c环、d环、e环、f环、及g环一起形成芳基环或杂芳基环，所形成的环中的至少一个氢可经芳基、杂芳基、二芳基氨基、二杂芳基氨基、芳基杂芳基氨基、二芳基硼基(两个芳基可通过单键或连结基而键结)、烷基、环烷基、烷氧基、芳氧基、三芳基硅烷基、三烷基硅烷基、三环烷基硅烷基、二烷基环烷基硅烷基、或烷基二环烷基硅烷基取代，这些取代基中的至少一个氢可经芳基、杂芳基、烷基、或环烷基取代，b环、c环、d环、e环、f环、及g环中的任意的
“‑
C(
‑
R)＝”(此处R为R
b
、R
c
、R
d
、R
e
、R
f
、或R
g
)可经取代为
“‑
N＝”，任意的
“‑
C(
‑
R)＝C(
‑
R)
‑”
(此处R为R
b
、R
c
、R
d
、R
e
、R
f
、或R
g
)可经取代为
“‑
N(
‑
R)
‑”
、
“‑
O
‑”
、
“‑
S
‑”
、
“‑
C(
‑
R)2‑”
、
“‑
Si(
‑
R)2‑”
、或
“‑
Se
‑”
，所述
“‑
N(
‑
R)
‑”
的R、
“‑
C(
‑
R)2‑”
的R、及
“‑
Si(
‑
R)2‑”
的R为氢、芳基、杂芳基、烷基、或环烷基，所述R中的至少一个氢可经烷基或环烷基取代，所述
“‑
C(
‑
R)2‑”
的两个R彼此及
“‑
Si(
‑
R)2‑”
的两个R彼此的至少一个可通过单键、
‑
CH＝CH
‑
、
‑
CR＝CR
‑
、
‑
C≡C
‑
、
‑
N(
‑
R)
‑
、
‑
O
‑
、
‑
S
‑
、
‑
C(
‑
R)2‑
、
‑
Si(
‑
R)2‑
、或
‑
Se
‑
而键结，所述
‑
CR＝CR
‑
的R、
‑
N(
‑
R)
‑
的R、
‑
C(
‑
R)2‑
的R、及
‑
Si(
‑
R)2‑
的R分别独立地为氢、芳基、杂芳基、烷基、烯基、炔基、或环烷基，所述R中的至少一个氢可经烷基或环烷基取代，另外，邻接的两个R彼此可形成环，而形成亚环烷基、亚芳基、或亚杂芳基，Y1、Y2、及Y3分别独立地为＞B
‑
、＞P
‑
、＞P(＝O)
‑
、＞P(＝S)
‑
、＞Al
‑
、＞Ga
‑
、＞As
‑
、＞C(
‑
R)
‑
、＞Si(
‑
R)
‑
、或＞Ge(
‑
R)
‑
，所述＞C(
‑
R)
‑
的R、＞Si(
‑
R)
‑
的R、及＞Ge(
‑
R)
‑
的R分别独立地为芳基、杂芳基、烷基、或环烷基，所述R中的至少一个氢可经烷基或环烷基取代，X1及X2分别独立地为＞N
‑
R、＞O、＞S、＞C(
‑
R)2、＞Si(
‑
R)2、或＞Se，所述＞N
‑
R的R、＞C(
‑
R)2的R、及＞Si(
‑
R)2的R分别独立地为氢、芳基、杂芳基、烷基、或环烷基，所述R中的至少
一个氢可经烷基或环烷基取代，所述＞C(
‑
R)2的两个R彼此及＞Si(
‑
R)2的两个R彼此的至少一个可通过单键、
‑
CH＝CH
‑
、
‑
CR＝CR
‑
、
‑
C≡C
‑
、
‑
N(
‑
R)
‑
、
‑
O
‑
、
‑
S
‑
、
‑
C(
‑
R)2‑
、
‑
Si(
‑
R)2‑
、或
‑
Se
‑
而键结，所述
‑
CR＝CR
‑
的R、
‑
N(
‑
R)
‑
的R、
‑
C(
‑
R)2‑
的R、及
‑
Si(
‑
R)2‑
的R分别独立地为氢、芳基、杂芳基、烷基、烯基、炔基、或环烷基，所述R中的至少一个氢可经烷基或环烷基取代，另外，邻接的两个R彼此可形成环，而形成亚环烷基、亚芳基、或亚杂芳基，作为X1的所述＞N
‑
R的R、＞C(
‑
R)2的R、或＞Si(
‑
R)2的R可通过单键、
‑
CH＝CH
‑
、
‑
CR＝CR
‑
、
‑
C≡C
‑
、
‑
N(
‑
R)
‑
、
‑
O
‑
、
‑
S
‑
、
‑
C(
‑
R)2‑
、
‑
Si(
‑
R)2‑
、或
‑
Se
‑
而与a环及b环的至少一个键结，作为X2的所述＞N
‑
R的R、＞C(
‑
R)2的R、或＞Si(
‑
R)2的R可通过单键、
‑
CH＝CH
‑
、
‑
CR＝CR
‑
、
‑
C≡C
‑
、
‑
N(
‑
R)
‑
、
‑
O
‑
、
‑
S
‑
、
‑
C(
‑
R)2‑
、
‑
Si(
‑
R)2‑
、或
‑
Se
‑
而与a环及e环的至少一个键结，所述
‑
CR＝CR
‑
的R、
‑
N(
‑
R)
‑
的R、
‑
C(
‑
R)2‑
的R、及
‑
Si(
‑
R)2‑
的R分别独立地为氢、芳基、杂芳基、烷基、烯基、炔基、或环烷基，所述R中的至少一个氢可经烷基或环烷基取代，另外，邻接的两个R彼此可形成环，而形成亚环烷基、亚芳基、及亚杂芳基，c环及d环、g环及b环、以及f环及e环可分别独立地通过单键、
‑
CH＝CH
‑
、
‑
CR＝CR
‑
、
‑
C≡C
‑
、
‑
N(
‑
R)
‑
、
‑
O
‑
、
‑
S
‑
、
‑
C(
‑
R)2‑
、
‑
Si(
‑
R)2‑
、或
‑
Se
‑
而键结，所述
‑
CR＝CR
‑
的R、
‑
N(
‑
R)
‑
的R、
‑
C(
‑
R)2‑
的R、及
‑
Si(
‑
R)2‑
的R分别独立地为氢、芳基、杂芳基、烷基、烯基、炔基、或环烷基，所述R中的至少一个氢可经烷基或环烷基取代，另外，邻接的两个R彼此可形成环，而形成亚环烷基、亚芳基、及亚杂芳基，其中，在所述式(2A)中，存在c环及d环的cd键、作为X1的＞N
‑
R的R(所述R限于可经所述烷基或环烷基取代的所述芳基、所述杂芳基、或者所述环烷基)及b环的X1b键、作为X2的＞N
‑
R的R(所述R限于可经所述烷基或环烷基取代的所述芳基、所述杂芳基、或者所述环烷基)及e环的X2e键这三个键中的任一个或两个键，另外，在所述式(2B)中，存在c环及d环的cd键、g环及b环的gb键、f环及e环的fe键这三个键中的任一个或两个键，所述式(2A)或式(2B)所表示的化合物中的所述b环、所述c环、所述d环、所述e环、所述f环、所述g环、所述所形成的环、所述芳基、及所述杂芳基的至少一个可由碳数3～24的至少一个环烷烃缩合，所述环烷烃中的至少一个氢可经碳数6～30的芳基、碳数2～30的杂芳基、碳数1～24的烷基、或碳数3～24的环烷基取代，所述环烷烃中的至少一个
‑
CH2‑
可经
‑
O
‑
取代，所述式(2A)或式(2B)所表示的化合物中的至少一个氢可经氘、氰基、或卤素取代。4.根据权利要求3所述的多环芳香族化合物，其中所述式(2A)或式(2B)中，R
a
为氢、碳数6～30的芳基、碳数2～30的杂芳基、二芳基氨基(其中芳基为碳数6～12的芳基)、二芳基硼基(其中芳基为碳数6～12的芳基，两个芳基可通过单键或连结基而键结)、碳数1～24的烷基、或者碳数3～24的环烷基，所述R
a
中的至少一个氢可经碳数6～12的芳基、碳数2～15的杂芳基、碳数1～6的烷基、或碳数3～14的环烷基取代，a环中的
“‑
C(
‑
R
a
)＝”可经取代为
“‑
N＝”，R
b
、R
c
、R
d
、R
e
、R
f
、及R
g
分别独立地为氢、碳数6～30的芳基、碳数2～30的杂芳基、二芳基氨基(其中芳基为碳数6～12的芳基)、二芳基硼基(其中芳基为碳数6～12的芳基，两个芳基可通过单键或连结基而键结)、碳数1～24的烷基、或者碳数3～24的环烷基，所述R
b
、R
c
、R
d
、R
e
、R
f
、及R
g
中的至少一个氢可经碳数6～12的芳基、碳数2～15的杂芳基、碳数1～6的烷基、
或碳数3～14的环烷基取代，另外，R
b
、R
c
、R
d
、R
e

【专利技术属性】
技术研发人员：畠山琢次，川角亮介，諌山康平，近藤靖宏，
申请(专利权)人：爱思开新材料捷恩智株式会社，
类型：发明
国别省市：