闸极偏压可调式的静电放电防护电路制造技术

本发明专利技术提供一种闸极偏压可调式的静电放电防护电路，耦接于接收第一及第二供应电压的第一及第二接合垫之间，包括一二极管、电阻、电容、以及第一、第二、第三晶体管。电阻耦接于二极管的负极及第一接合垫之间。电容耦接于二极管的负极与第二接合垫之间。第一晶体管具有第一导电性，其闸极耦接至二极管的负极，汲极耦接至二极管的正极，源极则耦接至第二接合垫。第二晶体管具有第二导电性，其闸极耦接至二极管的负极，汲极耦接至二极管的正极，源极则耦接至第一接合垫。第三晶体管具有第一导电性，其闸极耦接至二极管的正极，汲极耦接至第一接合垫，源极则耦接至第二接合垫。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种静电放电防护电路，特别有关于一种闸极偏压可调式的静电放电防护电路。
技术介绍
闸极驱动(gate-driven)或门极耦合(gate-coupled)的技术是广泛地用于传统的静电放电防护电路设计中。这两种静电放电防护电路的设计，可以使静电放电防护组件在受到静电放电脉冲袭击时，获得一闸极偏压，而降低导通静电放电防护组件的触发电位，并提高其导通的均匀度与效率。图1是一传统闸极耦合输入静电放电防护电路。其包括了一NMOS晶体管MNESD、一PMOS晶体管MPESD、电阻R1及R2、电容C1及C2。晶体管MNESD的源极与汲极分别耦接至VSS及一输入接合垫。晶体管MPESD的源极与汲极分别耦接至VDD及输入接合垫。电阻R1及R2分别耦接于晶体管MNESD的闸极与VSS之间、以及晶体管MPESD的闸极与VDD之间。电容C1及C2则分别耦接于晶体管MNESD的闸极与输入接合垫之间、以及晶体管MPESD的闸极与输入接合垫之间。电容C1及C2的作用在于将输入接合垫上的静电放电瞬时电压耦合至晶体管MNESD及MPESD的闸极上。藉由此一闸极耦合电压，静电放电防护晶体管MNES本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种闸极偏压可调式的静电放电防护电路，耦接于一第一及第二接合垫之间，该第一及第二接合垫分别是用以接收一第一及第二供应电压，该静电放电防护电路包括：一二极管，具有一正极及负极；一电阻，耦接于该二极管的负极及该第一接合垫之间；一电容，耦接于该二极管的负极与该第二接合垫之间；一第一晶体管，具有一第一导电性，其闸极耦接至该二极管的负极，汲极耦接至该二极管的正极，源极则耦接至该第二接合垫；一第二晶体管，具有一第二导电性，其闸极耦接至该二极管的负极，汲极耦接至该二极管的正极，源极则耦接至该第一接合垫；以及一第三晶体管，具有该第一导电性，其闸极耦接至该二极管的正极，汲极耦接至该第一接合垫，源极则耦接至该第二...

【技术特征摘要】
US 2003-5-19 10/440,0831.一种闸极偏压可调式的静电放电防护电路，耦接于一第一及第二接合垫之间，该第一及第二接合垫分别是用以接收一第一及第二供应电压，该静电放电防护电路包括一二极管，具有一正极及负极；一电阻，耦接于该二极管的负极及该第一接合垫之间；一电容，耦接于该二极管的负极与该第二接合垫之间；一第一晶体管，具有一第一导电性，其闸极耦接至该二极管的负极，汲极耦接至该二极管的正极，源极则耦接至该第二接合垫；一第二晶体管，具有一第二导电性，其闸极耦接至该二极管的负极，汲极耦接至该二极管的正极，源极则耦接至该第一接合垫；以及一第三晶体管，具有该第一导电性，其闸极耦接至该二极管的正极，汲极耦接至该第一接合垫，源极则耦接至该第二接合垫。2.根据权利要求1所述的闸极偏压可调式的静电放电防护电路，其中该第一晶体管更包括一耦接至该第二接合垫的基极，该第二晶体管更包括一耦接至该第一接合垫的基极，该第三晶体管更包括一耦接至该第二接合垫的基极，该二极管是一第四晶体管，具有该第一导电性，其汲极做为该正极使用，源极做为该负极使用，基极耦接至该第二接合垫，闸极则与汲极耦接，该二极管亦可为一第五晶体管，具有该第二导电性，其汲极做为该负极使用，源极做为该正极使用，基极耦接至该第一接合垫，闸极则与汲极耦接。3.一种闸极偏压可调式的静电放电防护电路，耦接于一第一及第二接合垫之间，该第一及第二接合垫分别是用以接收一第一及第二供应电压，该静电放电防护电路包括一列同向串连的二极管，两端具有一正极及负极；一电阻，耦接于该列二极管的负极及该第一接合垫之间；一电容，耦接于该列二极管的负极与该第二接合垫之间；一第一晶体管，具有一第一导电性，其闸极耦接至该列二极管的负极，汲极耦接至该列二极管的正极，源极则耦接至该第二接合垫；一第二晶体管，具有一第二导电性，其闸极耦接至该列二极管的负极，汲极耦接至该列二极管的正极，源极则耦接至该第一接合垫；以及一第三晶体管，具有该第一导电性，其闸极耦接至该列二极管的正极，汲极耦接至该第一接合垫，源极则耦接至该第二接合垫。4.根据权利要求3所述的闸极偏压可调式的静电放电防护电路，其中该第一晶体管更包括一耦接至该第二接合垫的基极，该第二晶体管更包括一耦接至该第一接合垫的基极，该第三晶体管更包括一耦接至该第二接合垫的基极，该列二极管之一是一第四晶体管，具有该第一导电性，其汲极做为正极使用，源极做为负极使用，基极耦接至该第二接合垫，闸极则与汲极耦接，该列二极管的一亦可为一第五晶体管，具有该第二导电性，其汲极做为负极使用，源极做为正极使用，基极耦接至该第一接合垫，闸极则与汲极耦接。5.一种闸极偏压可调式的静电放电防护电路，耦接于一第一及第二接合垫之间，该第一及第二接合垫分别是用以接收一第一及第二供应电压，该静电放电防护电路包括一第一二极管；一第二二极管，其负极耦接至该第一二极管的负极；一电阻，耦接于该第二二极管的正极及该第一接合垫之间；一电容，耦接于该第二二极管的正极与该第二接合垫之间；一第一晶体管，具有一第一导电性，其闸极耦接至该第一二极管的负极，汲极耦接至该第一二极管的正极，源极则耦接至该第二接合垫；一第二晶体管，具有一第二导电性，其闸极耦接至该第二二极管的正极，汲极耦接至该第一二极管的正极，源极则耦接至该第一接合垫；以及一第三晶体管，具有该第一导电性，其闸极耦接至该第一二极管的正极，汲极耦接至该第一接合垫，源极则耦接至该第二接合垫。6.根据权利要求5所述的闸极偏压可调式的静电放电防护电路，其中该第一晶体管更包括一耦接至该第二接合垫的基极，该第二晶体管更包括一耦接至该第一接合垫的基极，该第三晶体管更包括一耦接至该第二接合垫的基极，该第一与第二二极管之一是一第四晶体管，具有该第一导电性，其汲极做为该正极使用，源极做为该负极使用，基极耦接至该第二接合垫，闸极则与汲极耦接，该第一与第二二极管的一亦可为一第五晶体管，具有该第二导电性，其汲极做为该负极使用，源极做为该正极使用，基极耦接至该第一接合垫，闸极则与汲极耦接。7.一种闸极偏压可调式的静电放电防护电路，耦接于一第一及第二接合垫之间，该第一及第二接合垫分别是用以接收一第一及第二供应电压，该静电放电防护电路包括一列同向串连的第一二极管，两端具有一正极及负极；一第二二极管，其负极耦接至该列第一二极管的负极；一电阻，耦接于该第二二极管的正极及该第一接合垫之间；一电容，耦接于该第二二极管的正极与该第二接合垫之间；一第一晶体管，具有一第一导电性，其闸极耦接至该列第一二极管的负极，汲极耦接至该列第一二极管的正极，源极则耦接至该第二接合垫；一第二晶体管，具有一第二导电性，其闸极耦接至该第二二极管的正极，汲极耦接至该列第一二极管的正极，源极则耦接至该第一接合垫；以及一第三晶体管，具有该第一导电性，其闸极耦接至该列第一二极管的正极，汲极耦接至该第一接合垫，源极则耦接至该第二接合垫。8.根据权利要求7所述的闸极偏压可调式的静电放电防护电路，其中该第一晶体管更包括一耦接至该第二接合垫的基极，该第二晶体管更包括一耦接至该第一接合垫的基极，该第三晶体管更包括一耦接至该第二接合垫的基极，该些第一与第二二极管之一是一第四晶体管，具有该第一导电性，其汲极做为该正极使用，源极做为该负极使用，基极耦接至该第二接合垫，闸极则与汲极耦接，该些第一与第二二极管的一亦可为一第五晶体管，具有该第二导电性，其汲极做为该负极使用，源极做为该正极使用，基极耦接至该第一接合垫，闸极则与汲极耦接。9.一种闸极偏压可调式的静电放电防护电路，耦接于一第一及第二接合垫之间，该第一及第二接合垫...

【专利技术属性】
技术研发人员：柯明道，罗文裕，
申请(专利权)人：矽统科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[]