光检测装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种光检测装置包括晶体管及电荷存储元件。晶体管包括栅极、源极与漏极。电荷存储元件电性连接于晶体管且包括上电极与下电极。晶体管的源极及漏极与电荷存储元件的下电极由一半导体层所形成。下电极由一半导体层所形成。下电极由一半导体层所形成。

【技术实现步骤摘要】
光检测装置


[0001]本专利技术涉及一种光检测装置，尤其涉及一种具有晶体管与电荷存储元件的光检测装置。

技术介绍

[0002]随着光检测装置的发展，人类对光检测装置的品质或效能要求逐渐提高，光检测装置通常使用薄膜晶体管作为开关元件，而薄膜晶体管的性能会影响光检测装置效能。故对于如何提高光检测装置的检测效能或降低制造流程或成本已成为现今业界的关注的议题。

技术实现思路

[0003]本公开的光检测装置包括晶体管及电荷存储元件。晶体管包括栅极、源极与漏极。电荷存储元件电性连接于晶体管且包括上电极与下电极。晶体管的源极及漏极与电荷存储元件的下电极由一半导体层所形成。
[0004]本公开的光检测装置中以相同的半导体层实现晶体管与电荷存储元件，而有助于缩减制作步骤、简化结构设计及降低成本。
附图说明
[0005]图1为本公开一实施例的光检测装置的上视示意图；
[0006]图2为图1的光检测装置沿A-B-C-D线的剖面示意图；
[0007]图3为图1的光检测装置100中的接垫PD1的一实施例的剖面示意本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光检测装置，其特征在于，包括：晶体管，包括栅极、源极与漏极；以及电荷存储元件，电性连接于所述晶体管且包括上电极与下电极；其中所述晶体管的所述源极及所述漏极与所述电荷存储元件的下电极是由半导体层所形成。2.根据权利要求1所述的光检测装置，其特征在于，所述晶体管包括通道，设置于所述源极及所述漏极之间，其中，所述通道、所述源极及所述漏极同层。3.根据权利要求2所述的光检测装置，其特征在于，所述栅极设置于所述通道上。4.根据权利要求1所述的光检测装置，其特征在于，所述半导体层的材料包括金属氧化物。5.根据权利要求1所述的光检测装置，其特征在于，所述光检测装置为X光检测装置。6.根据权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：林信宏，
申请(专利权)人：睿生光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：