改善等离子体诱发损伤的图像传感器制造技术

本实用新型专利技术提供的改善等离子体诱发损伤的图像传感器中，衬底包括像素区和测试器件形成区，像素区的衬底背面一侧形成有背面接地结构，测试器件形成区形成有测试器件；互连层形成于衬底的正面一侧，互连层的互连结构与测试器件的栅极结构电连接；金属焊盘凹槽位于像素区和测试器件形成区之间且贯穿衬底，金属焊盘凹槽底部的互连层中形成有导通孔；金属焊盘的一部分位于金属焊盘凹槽内且填满导通孔以与互连结构电连接，且金属焊盘的另一部分跨越至像素区并与背面接地结构电连接。如此，等离子体刻蚀形成金属焊盘而产生的电荷能够通过背面接地结构释放，可以改善甚至消除等离子体诱发损伤对测试器件的影响。发损伤对测试器件的影响。发损伤对测试器件的影响。

【技术实现步骤摘要】
改善等离子体诱发损伤的图像传感器


[0001]本技术涉及图像传感器
，特别涉及一种改善等离子体诱发损伤的图像传感器。

技术介绍

[0002]图1为一种图像传感器的剖面示意图。如图1所示，目前的图像传感器中，铝焊盘14'(Al Pad)通过互连结构112与复位晶体管(RST)、源跟随器晶体管(SF)和行选择管(RS)等测试器件13(Device)的栅极结构(gate)连接。在等离子体刻蚀铝材料层形成铝焊盘14'的过程中，等离子体刻蚀产生的电荷会直接累积在测试器件13的栅极结构与衬底10的界面(即Si/SiO2界面)，产生等离子体诱发损伤(Plasma Induced Damage，PID)，导致测试器件13在图像传感器的晶圆验收测试(Wafer Acceptance Test，WAT)中出现阈值电压数值异常，影响图像传感器的验收合格率。
[0003]为了消除等离子体诱发损伤对测试器件13的影响，一种方案是：如图1所示，在图像传感器的衬底10的正面设置保护二极管(Protection diode)，该保护二极管由P型掺杂区15和与P型本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种改善等离子体诱发损伤的图像传感器，其特征在于，包括：衬底，所述衬底具有相对应的正面和背面，所述衬底包括像素区和测试器件形成区，所述像素区对应的衬底背面一侧形成有背面接地结构，所述测试器件形成区形成有测试器件，所述测试器件包括位于所述衬底正面一侧的栅极结构以及位于所述衬底中的源漏区；互连层，所述互连层形成于所述衬底的正面一侧，所述互连层包括互连结构，且所述互连结构与所述测试器件的栅极结构电连接；金属焊盘凹槽，所述金属焊盘凹槽位于所述像素区和所述测试器件形成区之间且贯穿所述衬底，所述金属焊盘凹槽底部的所述互连层中形成有导通孔；金属焊盘，一部分所述金属焊盘位于所述金属焊盘凹槽内且填满所述导通孔以与所述互连结构电连接，另一部分所述金属焊盘跨越至所述像素区并与所述背面接地结构电连接。2.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述图像传感器还包括：高介电常数材料层，所述高介电常数材料层形成于所述像素区对应的衬底背面一侧，所述高介电常数材料层具有露出所述衬底的开口；所述背面接地结构位于所述高介电常数材料层上，且穿过所述开口与所述像素区对应的衬底连接；其中，在所述开口的侧边，所述衬底与所述高介电常数材料层接触的表层感应形成有P型导电区，所述P型...

【专利技术属性】
技术研发人员：饶金华，肖海波，李全宝，施喆天，戴辛志，
申请(专利权)人：豪威科技上海有限公司，
类型：新型
国别省市：