发光元件和显示器件制造技术

在发光元件中具有：阳极；阴极；发光层，其设置于所述阳极和所述阴极之间；以及空穴输送层，其设置于所述阳极和所述发光层之间；所述空穴输送层包括以层状形成p型半导体材料的p型半导体层和分散于所述p型半导体层的n型半导体材料。导体材料。导体材料。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】发光元件和显示器件


[0001]本专利技术涉及发光元件和显示器件。

技术介绍

[0002]例如，专利文献1中公开了包含半导体纳米晶体的发光元件。而且，记载了该发光元件具备包含由作为无机材料的NiO构成的空穴输送层的发光元件。此外，记载了通过该构成，能够提供具有长的设备寿命的发光元件。现有技术文献专利文献
[0003]专利文献1：日本特开2012
‑
23388号公报

技术实现思路

本专利技术所要解决的技术问题
[0004]在发光层具备量子点的发光元件中，要求通过改善空穴输送层的构成，进一步提高发光效率。用于解决技术问题的技术方案
[0005]本专利技术的一方式的发光元件具有：阳极；阴极；发光层，其设置于所述阳极和所述阴极之间；以及空穴输送层，其设置于所述阳极和所述发光层之间；所述空穴输送层包括以层状形成p型半导体材料的p型半导体层和分散于所述p型半导体层的n型半导体材料。
[0006]另外，本专利技术的一方式的显示器件具有：阳极；阴极；第一发光层，其设置在所述阳极和所述阴极之间，并本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种发光元件，其特征在于，其具有：阳极；阴极；发光层，其设置于所述阳极和所述阴极之间；以及空穴输送层，其设置于所述阳极和所述发光层之间，所述空穴输送层包括以层状形成p型半导体材料的p型半导体层和分散于所述p型半导体层的n型半导体材料。2.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，所述发光层包含量子点。3.根据权利要求1或2所述的发光元件，其特征在于，所述p型半导体层与所述阳极接触。4.根据权利要求3所述的发光元件，其特征在于，所述n型半导体材料与所述阳极接触。5.根据权利要求1～4中任一项所述的发光元件，其特征在于，所述空穴输送层中所含的所述n型半导体材料的量从所述阳极侧到所述发光层侧变少。6.根据权利要求1～5中任一项所述的发光元件，其特征在于，所述空穴输送层中所含的所述n型半导体材料的体积分率为50％以下。7.根据权利要求1～5中任一项所述的发光元件，其特征在于，所述p型半导体层与所述发光层接触，并且从所述发光层侧到所述阳极侧具有不含所述n型半导体材料的区域。8.根据权利要求7所述的发光元件，其特征在于，所述区域中的从所述发光层侧到所述阳极侧的厚度为2nm以上。9.根据权利要求1～8中任一项所述的发光元件，其特征在于，还具有设置在所述空穴输送层和所述发光层之间的中间层。10.根据权利要求9所述的发光元件，其特征在于，所述中间层中的从所述发光层侧到所述阳极侧的厚度为2nm以上。11.根据权利要求1～10中任一项所述的发光元件，其特征在于，所述n型半导体材料是包含第一金属氧化物的纳米粒子。12.根据权利要求11所述的发光元件，其特征在于，所述第一金属氧化物含有MoO3、WO3和V2O5中的任一种。13.根据权利要求1～12中任一项所述的发光元件，其特征在于，所述p型半导体材料包含第二金属氧化物。14.根据权利要求13所述的发光元件，其特征在于，所述第二金属氧化物包含NiO、Cu2O、Mg
x
Ni1‑
x
O、Cr2O3及LaNiO3中的任一个，其中，X为0≤X≤1。15.根据权利要求1～10中任一项所述的发光元件，其特征在于，所述n型半导体材料是包含第一金属氧化物的纳米粒子，所述p型半导体材料包含第二金属氧化物，所述第一金属氧化物含有MoO3，所述第二金属氧化物含有NiO。16.根据权利要求13～15中任一项所述的发光元件，其特征在于，所述p型半导体层包含调整为规定含有率的碳。17.根据权利要求16所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：吐田真一，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：