一种量子点发光二极管及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种量子点发光二极管及其制备方法，其中，所述量子点发光二极管包括阴极、阳极以及设置在所述阴极和所述阳极之间的量子点发光层，所述量子点发光层材料包括铅系量子点以及包覆在所述铅系量子点表面的嵌段聚合物。本发明专利技术通过引入一种嵌段聚合物对铅系量子点进行表面修饰改性，从而在铅系量子点的表面形成一层由所述嵌段聚合物组成的包覆层。所述嵌段聚合物一方面有利于铅系量子点的稳定性，减弱铅系量子点的团簇，降低铅系量子点之间的Dexter能量转移，减少能量的损耗；另一方面，所述嵌段聚合物的疏水性及其包覆层结构可以减弱水氧的侵蚀，对量子点发光二极管的发光效率和使用寿命均有提升。光效率和使用寿命均有提升。光效率和使用寿命均有提升。

【技术实现步骤摘要】
一种量子点发光二极管及其制备方法


[0001]本专利技术涉及量子点领域，尤其涉及一种量子点发光二极管及其制备方法。

技术介绍

[0002]近年来，随着显示技术的快速发展，以半导体量子点(QDs)材料作为发光层的量子点发光二极管(QLED)受到了广泛的关注。量子点发光二极管色纯度高、发光效率高、发光颜色可调以及器件稳定等良好的特点，使得其在平板显示、固态照明等领域具有广泛的应用前景。
[0003]目前研究的QLED通常采用三明治结构，器件中包括阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层以及阴极。其中，量子点发光层是由一层纳米颗粒形成的，目前存在的问题是：若纳米颗粒浓度过低，则无法形成一层致密的量子点层，即出现孔洞，会导致漏电流的发生；若纳米颗粒浓度过高，则出现纳米颗粒的堆积，即有团簇生成，会导致Dexter能量转移(Dexter能量转移属于非辐射能量转移)，降低器件的发光效率；除此之外，水和氧对量子点发光层的侵蚀会破坏量子点的稳定性，从而造成器件发光效率和使用寿命的下降。
[0004]因此，现有技术还有待于改进。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种量子点发光二极管，包括阴极、阳极以及设置在所述阴极和所述阳极之间的量子点发光层，其特征在于，所述量子点发光层材料包括铅系量子点以及包覆在所述铅系量子点表面的嵌段聚合物。2.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述量子点发光层材料由铅系量子点以及包覆在所述铅系量子点表面的嵌段聚合物组成。3.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述嵌段聚合物与所述铅系量子点特异性结合。4.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述嵌段聚合物含有孤电子，所述嵌段聚合物通过所述孤电子与所述铅系量子点中铅离子的空电子轨道匹配结合。5.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述嵌段聚合物为聚苯乙烯-聚(4-乙烯嘧啶)、聚4-甲基苯乙烯-聚(4-乙烯嘧啶)以及聚3-甲基苯乙烯-聚(4-乙烯嘧啶)中的一种或多种。6.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述铅系量子点为硫化铅、硒化铅和碲化铅中的一种或多种。7.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述量子点发光层的厚度为10-60nm。8.一种量子点发光二极管的制备方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡忠宇，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：