使用阻塞二极管的线性低电容过压保护电路制造技术

技术编号:3332139 阅读:369 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术涉及使用阻塞二极管的线性低电容过压保护电路。低电容过压保护电路(80)向通信线路(12,14)提供保护。二极管桥(46)连接至该通信线路(12,14),以使两极性的过压沿一个方向通过过压保护装置(44)。偏压电压电源(48)通过隔离电阻器(64,66)在半导体过压保护装置(44)两端施加偏压电压,以使该装置(44)的电容独立于通信线路电压的变化。当线路电压超过偏压电压的幅度时,阻塞二极管(82)防止电流沿反方向流过偏压电压电源(48)。

【技术实现步骤摘要】
^W1S二极管的线性低电容,保护电路駄领域[oooi]本专利技术通常涉iyiE保护體和电路,更特另哋,涉及为通信线路 鹏氐电容保护的舰保护电路。 相关申请该非临时专利申请要求2006年10月19日提交的名称为LinearLow C^)acitance Overvoltage Protection Circuit Using Blocking Diode (j^ffi PIS二极管 的线性低电容过压微电路),序列号为No.60/852,895的待决临时申请的权 益。这里并入该临时申请的全部公开内容作为参考。背景駄电子设备中的许多电路都肖辦提供避免受到过压,过流等的有害影 响的保护。这些保护电路通常被设计成常规电子电路的集成部分,并且可以作 为辅助装置或电路增加到其上。保护电路通常构建在硅S^h,例如双极晶体管,二极管或晶闸管。 舰极器件肖^承载駄幅度的电流,从而很好地用于保护电子电路不穀IJ过 压和过流的破坏。所构建的具有结点的固态双极装置具有作为,区宽度函数 的固有电容。半导体结点中的耗尽区起到电容器电介质层的作用。由于耗尽 区的宽度随着在该结点两端施加的电压而变化,双极半导体结点作为本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种过压保护电路,包括:    二极管桥;    连接在所述二极管桥的相对节点之间的过压保护装置;    所述过压保护电路的端子适于连接至偏压电压以使所述过压保护装置的电容特性线性化;以及    在偏压电压端子和所述过压保护装置之间连接的至少一个阻塞二极管,用于防止电流沿反方向流过提供所述偏压电压的偏压电压电源。

【技术特征摘要】
US 2006-10-19 60/852895;US 2007-10-1 11/8651381、一种过压保护电路,包括二极管桥;连接在所述二极管桥的相对节点之间的过压保护装置;所述过压保护电路的端子适于连接至偏压电压以使所述过压保护装置的电容特性线性化;以及在偏压电压端子和所述过压保护装置之间连接的至少一个阻塞二极管,用于防止电流沿反方向流过提供所述偏压电压的偏压电压电源。2、 权利要求1口的过压保;户电路,其中所^lffi旨电路适于,至通信线 路,且其中连接所述P腺二极管使得小于所舰压保护體的转折电压并大于 ^M偏压电压的幅度的通信线路^防止电流^A偏压电压电源。3、 权利要求1的舰保护电路,进一步包職接在偏压电压端子和戶;Mii压^f户^S端子之间的隔离电阻器。4、 权利要求3的过压微电路,其中偏压电压电源包括正端子,所述正端 子iiM^述隔离电阻器连接至所^3i压保护装置,且所述偏压电压电源具有负端子,所述负端子M:第二隔离电阻器连接至0 m压保护錢的第1子。5、 权利要求1的过压1^户电路,其中所述二极管駒括至少四个二极管, 不包括所述腿二极管。6、 权利要求l的过压保护电路,其中戶腐二极管駒括六个二极管,不包 括所述阻塞二极管。7、 权利要求1的腿保护电路,其中所mE傲户縫连接在所述二极管 桥的相对节点之间,5J 述偏压腿耦合至所述相对节点之间。8、 权利要求7的^E保护电路,其中0M二极管桥的第二个节点适于连接 至通信线路的錢导体,且所述二极管桥的第三个节点适于连接至所舰信线 路的环形导体。9、 权利要求8的舰保护电路,其中所述二极管桥的第四个节点适于连接 至电路地。10、 权利要求1的过压f緣电路,其中所i^iBE保护电路适于连接至通信 线路,且其中并未向通信线路施加所述偏压电压。11、 权利要求i的过压f默电路,进1包括封装模块,所^3i压微电 路的部件安装于其上,所,装模块具有正偏压电压端子,其适于连接至偏压电压电源的正电压;负偏压电压端子,其适于连接至偏压电压电源的负电压; 尖塞端子,其适于连接至通信线路的尖塞导体;环形端子,其适于连接至通信 线路的环形导体;以及接地端子,其适于连接至参考电压。12、 权利要求1的过压{辦电路,进一步包括两个P腺二极管,第一P腺 二极管被安排用于防止电流流入偏压电压电源的正端子,以及第二P腺二极管 被安排用于防止电m偏压电压电源的负端子流出。13、 一种舰保护电路,包括舰微體,其响应于舰以被驱动到氐顿传导状态; 导体,用于将DC偏压电压耦合至所^31压微體以斷氐其电容;以及 在所述偏压电压导体中的至少一个阻塞二极管,所述阻塞二极管被正向偏 ...

【专利技术属性】
技术研发人员:KC凯西
申请(专利权)人:力特保险丝有限公司
类型:发明
国别省市:US[美国]

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