双频段压控振荡器、超再生接收机及通信设备制造技术

本实用新型专利技术实施例公开了一种双频段压控振荡器，包括第一PMOS管P1、第二PMOS管P2，第一NMOS管N1、第二NMOS管N2和变压器T，其中晶体管P1和P2构成互补型交叉耦合晶体管，晶体管N1和N2构成互补型交叉耦合晶体管，变压器T包括初级线圈T1和次级线圈T2，初级线圈T1横跨在构成互补型交叉耦合晶体管的两个晶体管之间，所述开关S的两端分别与所述次级线圈T2的两端连接，通过开关S的作用，可实现压控振荡器的双频段切换。段切换。段切换。

【技术实现步骤摘要】
双频段压控振荡器、超再生接收机及通信设备


[0001]本技术涉及电子
，尤其涉及一种双频段压控振荡器、超再生接收机及通信设备。

技术介绍

[0002]超再生接收机具有设计线路简单、生产方便、生产成本低、体积小以及功效低等特点，所以被广泛使用于通信系统中。超再生接收机一般由低噪声放大器、再生振荡器、包络检波器、低频放大器和整形输出电路等组成，再生振荡器是超再生接收机的核心组成部分，主要用于提供本振信号，而能够通过电压调节本振信号频率范围的振荡器称之为压控振荡器。现代通信系统通常包含多种通信频段，而现有的压控振荡器调谐范围较窄，通常只适用于一种通信频段，无法满足需求。

技术实现思路

[0003]本技术实施例提供一种双频段压控振荡器，有助于扩大振荡器的调谐范围，提高收发机的工作带宽，从而满足多频段的通信系统。
[0004]为了解决上述技术问题，第一方面，本技术提供一种双频段压控振荡器，包括第一PMOS管P1、第二PMOS管P2，第一NMOS管N1、第二NMOS管N2、变压器T、第一电容C1、第二电容C2以及尾电流源，所述变压本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种双频段压控振荡器，其特征在于，包括第一PMOS管P1、第二PMOS管P2，第一NMOS管N1、第二NMOS管N2、变压器T、第一电容C1、第二电容C2以及尾电流源，所述变压器T包括初级线圈T1、次级线圈T2和开关S；所述第一PMOS管P1的源极和所述第二PMOS管P2的源极与电源电压VDD连接，所述第一PMOS管P1的栅极与所述第二PMOS管P2的漏极、所述初级线圈T1的第一端、所述第二电容C2的第二端、所述第一NMOS管N1的栅极以及所述第二NMOS管N2的漏极连接，所述第二PMOS管P2的栅极与所述第一PMOS管P1的漏极、所述初级线圈T1的第二端、所述第一电容C1的第一端、所述第一NMOS管N1的漏极以及所述第二NMOS管N2的栅极连接，所述第一NMOS管N1的源极和所述第二NMOS管N2的源极相连接且通过所述尾电流源接地；所述第一电容C1的第二端与所述第二电容C2的第一端连接并用于输入控制电压Vctrl，所述开关S的第一端和第二端分别与所述次级线圈T2的第一端和第二端连接。2.根据权利要求1所述的双频段压控振荡器，其特征在于，还包括电容阵列Cbank，所述电容阵列Cbank的第一端与所述第一PMOS管P1的漏极连接，所述电容阵列Cbank的第二端与所述第二PMOS管P2的漏极连接。3.根据权利要求1所述的压控振荡器，其特征在于，所述第一电容C1和所述第二电容C2为可变电容器。4.根据权利要求1所述的双频段压控振荡器，其特征在于，所述尾电流源为第三NMOS管N3，所述第三NMOS管N3的栅极输入第一偏置电压Vb1，所述第三NMOS管N3的漏极与所述第一NMOS管N1的源极和所述第二NMOS管N2的源极连接，所述第三NMOS管N3的源极接地。5.根据权利要求1所述的双频段压控振荡器，其特征在于，还包括第三电容C3，所述第三电容C3的第一端与所述第二NMOS管N2的源极连接，所述第三电容C3的第二端接地。6.一种超再生接收机，其特征在于，包括压控振荡器和包络检波器；所述压控振荡器包括第一PMOS管P1、第二PMOS管P2，第一NMOS管N1、第二NMOS管N2、变压器T、第一电容C1、第二电容C2以及尾电流源，所述变压器T包括初级线圈T1、次级线圈T2和开关S；所述第一PMOS管P1的源极和所述第二PMOS管P2的源极与电源电压VDD连接，所述第一PMOS管P1的栅极与所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：逄凯旋，郭嘉帅，
申请(专利权)人：深圳飞骧科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：