振荡器及芯片制造技术

本申请实施例提供了一种振荡器及芯片，振荡器包括：第一逆F类振荡器及第二逆F类振荡器，所述第一逆F类振荡器包括第一谐振腔、第一N型金属氧化物半导体晶体管及第一P型金属氧化物半导体晶体管；所述第二逆F类振荡器包括第二谐振腔、第二N型金属氧化物半导体晶体管及第二P型金属氧化物半导体晶体管，所述第一N型金属氧化物半导体晶体管的栅极与所述第二P型金属氧化物半导体晶体管的栅极连接，所述第一P型金属氧化物半导体晶体管的栅极与所述第二N型金属氧化物半导体晶体管的栅极连接。这样，能增大谐振腔在二次谐波频率的品质因子Q值，并且不会降低谐振腔在基频的品质因子Q值，优化振荡器的相位噪声和质量因子(FoM)。优化振荡器的相位噪声和质量因子(FoM)。优化振荡器的相位噪声和质量因子(FoM)。

【技术实现步骤摘要】
振荡器及芯片


[0001]本申请涉及通信
，尤其涉及一种振荡器及芯片。

技术介绍

[0002]随着振荡器技术的不断发展，现有无线系统可以从低相位噪声高频带的本地振荡器中受益，能够在宽信号带宽上使用密集调制方案。当本地振荡器频率从射频上升到毫米波时，容性器件往往会主导压控振荡器的谐振回路品质因子，从而导致需要在相位噪声和频率调谐范围之间的严峻折衷。同时，在先进工艺下，这种折衷被进一步加剧，这是由于先进的工艺节点需要更多的金属层来以更高的密度连接晶体管，金属厚度因此减小，导致金属氧化物金属电容器的品质因子降低。此外，先进工艺节点中，金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal
‑
Oxide
‑
Semiconductor Field
‑
Effect Transistor，MOSFET)不断恶化的闪烁噪声是压控振荡器相位噪声性能面临的另一个挑战。因此，相较于近期65纳米和40纳米[5]互补式金属氧化物半导体(CMOS)工艺下的压控振荡器，28纳米CMOS工艺下压控振荡器的相位噪声和质量因子(FoM本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种振荡器，其特征在于，包括：第一逆F类振荡器及第二逆F类振荡器，所述第一逆F类振荡器包括第一谐振腔、第一N型金属氧化物半导体晶体管及第一P型金属氧化物半导体晶体管，所述第一谐振腔的各端口分别与所述第一N型金属氧化物半导体晶体管的漏极和栅极、所述第一P型金属氧化物半导体晶体管的漏极和栅极连接；所述第二逆F类振荡器包括第二谐振腔、第二N型金属氧化物半导体晶体管及第二P型金属氧化物半导体晶体管，所述第二谐振腔的各端口分别与所述第二N型金属氧化物半导体晶体管的漏极和栅极、第二P型金属氧化物半导体晶体管的漏极和栅极连接；所述第一N型金属氧化物半导体晶体管的栅极与所述第二P型金属氧化物半导体晶体管的栅极连接，所述第一P型金属氧化物半导体晶体管的栅极与所述第二N型金属氧化物半导体晶体管的栅极连接；所述第一N型金属氧化物半导体晶体管和所述第二N型金属氧化物半导体晶体管的源极分别接地，所述第一P型金属氧化物半导体晶体管和所述第二P型金属氧化物半导体晶体管的源极分别与电源连接。2.根据权利要求1所述的振荡器，其特征在于，所述第一谐振腔包括第一初级谐振腔及第一次级谐振腔；所述第一初级谐振腔的第一端与所述第一N型金属氧化物半导体晶体管的漏极连接于第一漏极结点；所述第一初级谐振腔的第二端与所述第一P型金属氧化物半导体晶体管的漏极连接于第二漏极结点；所述第一次级谐振腔的第一端与所述第一N型金属氧化物半导体晶体管的栅极连接于第一栅极结点；所述第一次级谐振腔的第二端与所述第一P型金属氧化物半导体晶体管的栅极连接于第二栅极结点。3.根据权利要求2所述的振荡器，其特征在于，所述第二谐振腔包括第二初级谐振腔及第二次级谐振腔；所述第二初级谐振腔的第一端与所述第二N型金属氧化物半导体晶体管的漏极连接于第三漏极结点；所述第二初级谐振腔的第二端与所述第二P型金属氧化物半导体晶体管的漏极连接于第四漏极结点；所述第二次级谐振腔的第一端与所述第二N型金属氧化物半导体晶体管的栅极连接于第三栅极结点；所述第二次级谐振腔的第二端与所述第二P型金属氧化物半导体晶体管的栅极连接于第四栅极结点。4.根据权利要求3所述的振荡器，其特征在于，所述第一栅极结点与所述第四栅极结点连接；所述第二栅极结点与所述第三栅极结点连接。5.根据权利要求4所述的振荡器，其特征在于，还包括：第一电压输出端及...

【专利技术属性】
技术研发人员：殷俊，孟茜，麦沛然，马许愿，
申请(专利权)人：澳门大学，
类型：发明
国别省市：