高压横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法技术

本发明专利技术实施例提供一种高压横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法，属于芯片领域。所述高压横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，包括半导体衬底、源极区、漏极区、栅极区、浅槽隔离区、P型体区、N型阱区、P型阱区和N型漂移区，所述高压横向双扩散金属氧化物半导体场效应管还包括：硅局部氧化隔离区，位于所述N型漂移区，用于隔离所述N型漂移区上的所述漏极区，所述硅局部氧化隔离区通过多晶硅缓冲层而被形成。本发明专利技术实施例通过制作多晶硅缓冲层（poly buffer），形成硅局部氧化隔离区（LOCOS），以缩短LOCOS的鸟嘴长度，同时可以形成多晶硅栅极（Poly Gate），工艺简单实用。工艺简单实用。工艺简单实用。

【技术实现步骤摘要】
高压横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法


[0001]本专利技术涉及芯片
，具体地涉及一种高压横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法。

技术介绍

[0002]高压高压横向双扩散金属氧化物半导体场效应管（Lateral Double
‑
diffused MOSFET，LDMOSFET）的制造时，需要在漏端漂移区里面做厚介质层，以承受偏移区电场，偏移区上有poly场板或金属场板。
[0003]漂移区的介质隔离层，比较常见的是硅局部氧化隔离（Local Oxidation of Silicon，LOCOS），但是通常LOCOS的鸟嘴长度较长，占用面积较大。再有，浅槽隔离（shallow trench isolation，STI）工艺较复杂，会产生圆角问题，不适合用于高压场景。

技术实现思路

[0004]本专利技术实施例的目的是提供一种高压横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，该高压横向双扩散金属氧化物半导体场效应管能够缩短LOCOS的鸟嘴长度。
[0005]为了实现上述目的，本专本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高压横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，包括半导体衬底、源极区、漏极区、栅极区、浅槽隔离区、P型体区、N型阱区、P型阱区和N型漂移区，其特征在于，所述高压横向双扩散金属氧化物半导体场效应管还包括：硅局部氧化隔离区，位于所述N型漂移区，用于隔离所述N型漂移区上的所述漏极区，所述硅局部氧化隔离区通过多晶硅缓冲层而被形成。2.根据权利要求1所述的高压横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，其特征在于，所述栅极区为多晶硅栅电极，所述栅极区通过所述多晶硅缓冲层而被形成。3.根据权利要求1或2所述的高压横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，其特征在于，所述多晶硅缓冲层包括掺杂多晶硅薄膜和氮化硅薄膜。4.根据权利要求1所述的高压横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，其特征在于，所述高压横向双扩散金属氧化物半导体场效应管还包括N型埋层和P型外延层，其中，所述N型埋层位于所述N型阱区的下方，所述P型外延层位于所述P型阱区的下方。5.根据权利要求4所述的高压横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，其特征在于，所述P型阱区包括第一P型阱区、第二P型阱区，所述第一P型阱区和所述第二P型阱区分别位于所述N型阱区的两侧并与所述N型阱区连接，所述高压横向双扩散金属氧化物半导体场效应管还包括第三P型阱区，位于所述N型阱区的上方。6.根据权利要求5所述的高压横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，其特征在于，所述P型体区和所述N型漂移区位于所述第三P型阱区的上方。7.根据权利要求6所述的高压横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，其特征在于，所述N型漂移区包括第一N型漂移区和第二N型漂移区，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：余山，赵东艳，王于波，陈燕宁，付振，刘芳，王凯，吴波，邓永峰，刘倩倩，郁文，
申请(专利权)人：北京智芯微电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：