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本发明实施例提供一种高压横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法，属于芯片领域。所述高压横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，包括半导体衬底、源极区、漏极区、栅极区、浅槽隔离区、P型体区、N型阱区、P型阱区和N型漂移区，所述高压横向双扩...
该专利属于北京智芯微电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京智芯微电子科技有限公司授权不得商用。

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