一种MEMS硅压阻式压力敏感芯片制造技术

本实用新型专利技术公开了一种MEMS硅压阻式压力敏感芯片，涉及到压力敏感芯片技术领域，包括基板，所述基板的上方设置有硅片衬底，所述基板的上表面固定连接有封装环，且硅片衬底的底端位于封装环内部，所述封装环的内侧壁固定连接有第一散热膜，且硅片衬底的外侧壁与第一散热膜的内侧表面贴合，所述封装环的外侧壁固定连接有第二散热膜，所述封装环的内部贯穿设置有多个呈环形阵列分布的散热孔。本实用新型专利技术芯片工作时产生的热量会通过硅片衬底转移至第一散热膜内部，第一散热膜内部的热量被多个填充有导热硅脂的散热孔转移至第二散热膜内部，通过第二散热膜将热量散发至芯片外部，提高了散热效率，避免热量积聚影响芯片的正常工作。避免热量积聚影响芯片的正常工作。避免热量积聚影响芯片的正常工作。

【技术实现步骤摘要】
一种MEMS硅压阻式压力敏感芯片


[0001]本技术涉及压力敏感芯片
，特别涉及一种MEMS硅压阻式压力敏感芯片。

技术介绍

[0002]压阻式压力传感器是利用单晶硅的压阻效应而构成，采用单晶硅片为弹性元件，在单晶硅膜片上利用集成电路的工艺，在单晶硅的特定方向扩散一组等值电阻，并将电阻接成桥路，单晶硅片置于传感器腔内，当压力发生变化时，单晶硅产生应变，使直接扩散在上面的应变电阻产生与被测压力成正比的变化，再由桥式电路获相应的电压输出信号，压阻式传感器是用于这方面的较理想的传感器，现有的压力敏感芯片的散热效果不理想，导致热量积聚从而影响芯片的使用，因此，专利技术一种MEMS硅压阻式压力敏感芯片来解决上述问题很有必要。

技术实现思路

[0003]本技术的目的在于提供一种MEMS硅压阻式压力敏感芯片，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0004]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种MEMS硅压阻式压力敏感芯片，包括基板，所述基板的上方设置有硅片衬底，所述基板的上表面固定连接有封装环，且硅片衬底的底端位于封装环内部，所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种MEMS硅压阻式压力敏感芯片，包括基板(1)，其特征在于：所述基板(1)的上方设置有硅片衬底(2)，所述基板(1)的上表面固定连接有封装环(3)，且硅片衬底(2)的底端位于封装环(3)内部，所述封装环(3)的内侧壁固定连接有第一散热膜(4)，且硅片衬底(2)的外侧壁与第一散热膜(4)的内侧表面贴合，所述封装环(3)的外侧壁固定连接有第二散热膜(5)，所述封装环(3)的内部贯穿设置有多个呈环形阵列分布的散热孔(6)，且散热孔(6)内部填充有导热硅脂，所述第一散热膜(4)和第二散热膜(5)均与导热硅脂贴合，所述硅片衬底(2)的下表面固定连接有第一绝缘层(7)。2.根据权利要求1所述的一种MEMS硅压阻式压力敏感芯片，其特征在于：所述基板(1)的上表面固定连接有缓冲层(8)，且缓冲层(8)位于硅片衬底(2)的正下方，所述第一散热膜(4)的底端表面与缓冲层(8)的...

【专利技术属性】
技术研发人员：任强，朱丰，张琦，郑杨，
申请(专利权)人：浙江芯动科技有限公司，
类型：新型
国别省市：