一种发光芯片制造方法、发光芯片和发光装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种发光芯片制造方法、发光芯片和发光装置。发光芯片制造方法包括：提供一外延片，外延片包括衬底和外延层，外延层形成有台阶结构；在外延片上沉积绝缘层；图案化绝缘层，使对应于发光芯片的第一电极和第二电极的区域具有等高的电极设置面，以及形成导电通道，第一导电通道远离衬底的一端位于第一电极对应的电极设置面内；在对应于第一电极和第二电极的区域沉积形成第一电极和第二电极。该发光芯片制造方法使得外延片满足了在不影响转移和使用的前提下同时沉积形成第一电极和第二电极的条件，有利于简化发光芯片的电极制作流程，且利于降低金属材料的成本。且利于降低金属材料的成本。且利于降低金属材料的成本。

【技术实现步骤摘要】
一种发光芯片制造方法、发光芯片和发光装置


[0001]本专利技术涉及芯片制造领域，尤其涉及一种发光芯片制造方法、发光芯片和发光装置。

技术介绍

[0002]Micro LED(Micro Light Emitting Diode，微型发光二极管)显示技术是指以自发光的微米量级的LED(Light Emitting Diode，发光二极管)为发光像素单元，将其组装到驱动面板上形成高密度LED阵列的显示技术。由于Micro LED芯片尺寸小、集成度高和自发光等特点,在显示方面与LCD(Liquid Crystal Display，液晶显示器)、OLED(Organic Light Emitting Diode，有机发光二极管)相比在亮度、分辨率、对比度、能耗、使用寿命、响应速度和热稳定性等方面具有更大的优势.
[0003]例如传统Micro LED制造等一些发光芯片的制作过程中，电极只能够分开进行制作，其工序多、且成本高。
[0004]因此，如何降低发光芯片的电极制作成本是亟需解决的问题。

技术实现思路

[0005]鉴于上述相关技术的不足，本申请的目的在于提供一种发光芯片制造方法、发光芯片和发光装置，旨在解决发光芯片的两个电极只能够分别制作，工序多且成本高的问题。
[0006]一种发光芯片制造方法，包括：
[0007]提供一外延片，所述外延片包括衬底和设于所述衬底的一侧上的外延层，所述外延层依次远离衬底包括第一半导体层、有源层以及第二半导体层，所述外延层形成有台阶结构以使所述第一半导体层的部分区域露出以设置发光芯片的第一电极；
[0008]在所述外延片上沉积绝缘层，所述绝缘层的厚度不小于所述台阶结构的底部所处平面至所述外延层最远离所述衬底的平面的距离，所述绝缘层沉积后，在对应于所述台阶结构处形成凹陷区域；
[0009]图案化所述绝缘层，使对应于所述发光芯片的所述第一电极和第二电极的区域具有等高的电极设置面，以及至少还形成对应于所述第一电极的第一导电通道，所述第一导电通道的截面积小于所述凹陷区域，所述第一导电通道靠近所述衬底的一端使所述第一半导体层露出，所述第一导电通道远离所述衬底的一端位于所述第一电极对应的所述电极设置面内；
[0010]在对应于所述第一电极和所述第二电极的区域沉积形成所述第一电极和所述第二电极。
[0011]上述发光芯片制造方法，通过对较厚的绝缘层进行造型，消除了外延层的台阶结构导致的电极的显著高度差，使得外延片满足了在不影响转移和使用的前提下同时沉积形成第一电极和第二电极的条件，而能够同时沉积形成第一电极和第二电极，显然有利于简化发光芯片的电极制作流程且由此减少了工艺步骤也能够提高发光芯片的电极制作的良
率。另一方面，在每次沉积的过程，均需要消耗金属，减少沉积的次数也减少了对于金属材料的消耗，可见，使得第一电极和第二电极在实际应用时能够被同时沉积制作还有利于降低金属材料的成本。
[0012]可选地，在对应于所述第一电极和所述第二电极的区域沉积形成所述第一电极和所述第二电极，包括：
[0013]同时沉积形成所述第一电极和所述第二电极。
[0014]通过同时沉积第一电极和第二电极，使得两个电极等厚等高，简化发光芯片的电极制作流程且由此减少了工艺步骤也能够提高发光芯片的电极制作的良率，降低制造电极时所需的金属材料的成本。
[0015]基于同样的专利技术构思，本申请还提供一种发光芯片，所述发光芯片通过上述的发光芯片制造方法制成，所述发光芯片的所述第一电极与所述第二电极的厚度相同。
[0016]上述采用上述的发光芯片制造方法制成，其第一电极和第二电极具有等高的电极设置面，且第一电极与第二电极的厚度相同，因此，该发光芯片的第一电极与第二电极可以被同时沉积形成，从而有利于简化其电极制作流程且由此减少了工艺步骤也能够提高电极制作的良率。另一方面，还有利于降低金属材料的成本。
[0017]基于同样的专利技术构思，本申请还提供一种发光装置，所述发光装置包括电路基板以及发光芯片，所述发光芯片为上述的发光芯片，所述发光芯片键合于所述电路基板的固晶区。
[0018]上述发光装置所采用的发光芯片的电极制作流程简单，电极品质好，且制作电极所需的金属材料成本低。
附图说明
[0019]图1为本专利技术实施例提供的发光芯片制造方法的流程示意图；
[0020]图2为本专利技术实施例提供的外延片的结构示意图；
[0021]图3为本专利技术实施例提供的外延片的制作过程的流程示意图；
[0022]图4为本专利技术实施例提供的外延片的制作过程的示意图一；
[0023]图5为本专利技术实施例提供的外延片的制作过程的示意图二；
[0024]图6为本专利技术实施例提供的外延片沉积绝缘层的结构示意图；
[0025]图7为本专利技术实施例提供的图案化绝缘层的流程示意图；
[0026]图8为本专利技术实施例提供的沉积形成电极的流程示意图；
[0027]图9为本专利技术实施例提供的示例一的绝缘层的图案化结构示意图；
[0028]图10为本专利技术实施例提供的示例一的光刻胶层的图案化结构示意图；
[0029]图11为本专利技术实施例提供的示例一的光刻掩模版的结构示意图；
[0030]图12为本专利技术实施例提供的示例一沉积电极的结构示意图；
[0031]图13为本专利技术实施例提供的示例二的绝缘层的图案化结构示意图；
[0032]图14为本专利技术实施例提供的示例二的光刻胶层的图案化结构示意图；
[0033]图15为本专利技术实施例提供的示例二的光刻掩模版的结构示意图；
[0034]图16为本专利技术实施例提供的示例二沉积电极的结构示意图；
[0035]图17为本专利技术实施例提供的示例三的绝缘层的图案化结构示意图；
[0036]图18为本专利技术实施例提供的示例三的光刻胶层的图案化结构示意图；
[0037]图19为本专利技术实施例提供的示例三的光刻掩模版的结构示意图；
[0038]图20为本专利技术实施例提供的示例三沉积电极的结构示意图；
[0039]图21为本专利技术实施例提供的发光装置的结构示意图；
[0040]附图标记说明：
[0041]1‑
衬底；21
‑
第一半导体层；22
‑
有源层；23
‑
第二半导体层；24
‑
台阶结构；25
‑
透明导电层；26
‑
切割道；27
‑
绝缘层；271
‑
凹陷区域；281
‑
第一电极图形；282
‑
第二电极图形；291
‑
第一导电通道；292
‑
第二导电通道；31
‑
光刻胶层上与凹陷区域互补的图形；32
‑
光刻胶层上对应于导电通道的图形；33
‑
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光芯片制造方法，其特征在于，包括：提供一外延片，所述外延片包括衬底和设于所述衬底的一侧上的外延层，所述外延层依次远离衬底包括第一半导体层、有源层以及第二半导体层，所述外延层形成有台阶结构以使所述第一半导体层的部分区域露出以设置发光芯片的第一电极；在所述外延片上沉积绝缘层，所述绝缘层的厚度不小于所述台阶结构的底部所处平面至所述外延层最远离所述衬底的平面的距离，所述绝缘层沉积后，在对应于所述台阶结构处形成凹陷区域；图案化所述绝缘层，使对应于所述发光芯片的所述第一电极和第二电极的区域具有等高的电极设置面，以及至少还形成对应于所述第一电极的第一导电通道，所述第一导电通道的截面积小于所述凹陷区域，所述第一导电通道靠近所述衬底的一端使所述第一半导体层露出，所述第一导电通道远离所述衬底的一端位于所述第一电极对应的所述电极设置面内；在对应于所述第一电极和所述第二电极的区域沉积形成所述第一电极和所述第二电极。2.如权利要求1所述的发光芯片制造方法，其特征在于，所述图案化所述绝缘层包括：在所述绝缘层上设置光刻胶层；图案化所述光刻胶层，使所述光刻胶层在对应于所述凹陷区域的位置形成与所述凹陷区域互补的图形，使所述光刻胶层在对应于导电通道的位置形成有与所述导电通道对应的图形，且使所述光刻胶层对应于所述第一电极和所述第二电极的其余区域处于同一平面；基于所述光刻胶层对所述绝缘层进行刻蚀；去除所述光刻胶层剩余的部分。3.如权利要求2所述的发光芯片制造方法，其特征在于，所述使对应于所述发光芯片的所述第一电极和第二电极的区域具有等高的电极设置面包括：使所述绝缘层对应于所述第一电极的区域形成第一电极设置面，所述绝缘层对应于所述第二电极的区域形成与所述第一电极设置面等高的第二电极设置面以及对应于所述第二电极的第二导电通道，所述第二导电通道靠近所述衬底的一端使所述第二半导体层露出，所述第二导电通道远离所述衬底的一端位于所述第二电极对应的所述电极设置面内。4.如权利要求3所述的发光芯片制造方法，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：戴广超，马非凡，曹进，赵世雄，王子川，
申请(专利权)人：重庆康佳光电技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：