【技术实现步骤摘要】
太阳能电池的制备方法及太阳能电池
[0001]本申请涉及太阳能电池生产
,尤其涉及一种太阳能电池的制备方法及太阳能电池。
技术介绍
[0002]近年,随着光伏技术与市场的快速发展,业内对太阳能电池的转换效率也提出越来越高的需求。TOPCon(Tunnel Oxide Passivated Contact,隧穿氧化层钝化接触)电池通过在表面制备一层超薄的隧穿氧化层和一层掺杂多晶硅层,提高表面钝化性能,有效提升电池的开路电压与短路电流。上述TOPCon电池生产过程中通常包括将硅基底表面清洗、抛光,再依次沉积制备上述隧穿氧化层与掺杂多晶硅层,所述硅基底的表面形态对其表面膜层性能影响较大。业内还公开一种POLO-IBC电池,将上述电池钝化结构与背电池设计相结合,以提高电池转换效率。但整体生产工艺较为复杂,工艺精度要求也比较严格,电池生产成本也较高,产业化应用较为困难。
[0003]鉴于此,有必要提供一种新的太阳能电池的制备方法及太阳能电池。
技术实现思路
[0004]本专利技术的目的在于提供一种太阳能电 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池的制备方法,其特征在于:对硅基底进行第一次制绒;在硅基底的背面制备隧穿层与本征非晶硅层;在所述硅基底背面的第一区域、第二区域分别设置第一掺杂源层、第二掺杂源层;退火,使得第一区域、第二区域分别形成第一掺杂多晶硅层与第二掺杂多晶硅层,所述第一掺杂多晶硅层与第二掺杂多晶硅层两者的掺杂类型相反;对硅基底的正面进行第二次制绒;依次进行清洗、镀膜与金属化。2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:所述第一次制绒与第二次制绒均采用碱溶液对硅基底进行刻蚀,所述第一次制绒过程控制所述硅基底的背面的绒面高度介于0.5~1.5μm;所述第二次制绒过程控制所述硅基底的正面的绒面高度介于2~4μm。3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:所述“在所述硅基底背面的第一区域、第二区域分别设置第一掺杂源层、第二掺杂源层”是指在所述硅基底背面的第一区域的本征非晶硅层上设置硼浆,并在所述硅基底背面的第二区域的本征非晶硅层上设置磷浆。4.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于:所述第一区域包括若干第一条形区,所述第二区域包括若干第二条形区,所述第一条形区与第二条形区依次交替排布且呈相互间隔设置;所述第一条形区与第二条形区两者的宽度均设置为40~500μm,相邻所述第一条形区与第二条形区的间隙宽度...
【专利技术属性】
技术研发人员:李兵,邵亚辉,罗宇驰,邓伟伟,蒋方丹,
申请(专利权)人:嘉兴阿特斯技术研究院有限公司,
类型:发明
国别省市:
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