用于射频应用的包括埋置多孔层的半导体结构制造技术

本发明专利技术涉及一种用于射频应用的半导体结构(10)，包括：

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于射频应用的包括埋置多孔层的半导体结构
专利

[0001]本专利技术涉及用于微电子部件的半导体材料领域。本专利技术具体涉及包括埋置中孔(mesoporous)硅层的SOI衬底结构，其特别是在特别在热稳定性和线性方面适用于高性能射频器件。

技术介绍

[0002]射频(RF)器件广泛用于电信领域(蜂窝电话、Wi
‑
Fi、蓝牙等)。这些器件在晶片形式的衬底上生产，晶片主要用作用于器件制造的支撑体。然而，这些RF器件的集成度和预期性能的增加已经导致其性能与其所形成在的衬底的属性间越来越紧密的联系。
[0003]作为器件/衬底耦合的示例，通过RF器件传播的高频信号产生的电磁场穿透到衬底的主体中，并与在那里发现的任何电荷载流子相互作用。这导致信号中的非线性失真(谐波)、通过插入损耗的信号的一些功率的浪费消耗以及设备之间可能的串扰的问题。
[0004]因此，在涉及射频信号(10MHz到100GHz)的发送或接收的大多数应用中，RF器件制造需要满足日益苛刻的一组规范的衬底，特别是由移动电话标准(2G、3G、LTE、LTE Ad本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于射频应用的半导体结构(10)，所述半导体结构包括：
‑
承载衬底(2)，其由硅制成，包括中孔层(3)；
‑
介电层(4)，其设置在所述中孔层(3)上；
‑
表面层(5)，其设置在所述介电层(4)上；所述半导体结构(10)的特征在于：
‑
所述中孔层(3)包括中空孔，所述中空孔的内壁涂覆有氧化物，并且该层的厚度在3μm至40μm之间，并且该层的电阻率在其整个厚度上超过20千欧姆
·
厘米；
‑
所述承载衬底(2)的电阻率在0.5欧姆
·
厘米至4欧姆
·
厘米之间。2.根据前一权利要求所述的半导体结构(10)，其中，所述中孔层(3)的厚度小于20μm。3.根据前述权利要求中任一项所述的半导体结构(10)，其中，所述承载衬底(2)的电阻率在1欧姆
·
厘米至2欧姆
·
厘米之间。4.根据前述权利要求中任一项所述的半导体结构(10)，其中，所述表面层(5)由选自硅、锗、碳化硅、IV
‑
IV、III
‑
V、或II
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VI半导体化合物和压电材料中的至少一种材料形成。5.根据前述权利要求中任一项所述的半导体结构(10)，其中，所述中孔层(3)的孔隙率为40％至60％之间，优选约50％。6.根据前述权利要求中任一项所述的半导体结构(10)，所述半导体结构包括在所述表面层(5)中和/或所述表面层(5)上生产的射频器件(6)。7.一种用于制造用于射频应用的半导体结构(10)的方法，所述方法包括以下步骤：
‑
步骤a)，提供包括埋置弱化平面(51)的施主衬底(50)，所述埋置弱化平面相对于所述施主衬底(50)的正面界定表面层(5)；
‑
步骤b)，提供呈现0.5欧姆
·
...

【专利技术属性】
技术研发人员：E，
申请(专利权)人：法国原子能和替代能源委员会，
类型：发明
国别省市：