一种高电阻率的复合衬底及其制备方法技术

本申请提供一种高电阻率的复合衬底及其制备方法，包括对硅衬底表面进行等离子体处理，将等离子体处理后的硅衬底置于含有水分的环境中，形成表面吸附有水分子的硅衬底层和在吸附有水分子的硅衬底表面上制备多晶硅层，在硅衬底层与多晶硅层之间生成介质层，获得复合衬底。本申请通过采用等离子体处理与制备多晶硅相结合的方式在硅衬底与多晶硅界面制备氧化硅薄膜介质层，抑制在后续的高温制备工艺中多晶硅层晶粒重构的程度，保持多晶硅层的稳定和载流子陷阱的富集，使多晶硅层保持较高的载流子捕获能力。流子捕获能力。流子捕获能力。

【技术实现步骤摘要】
一种高电阻率的复合衬底及其制备方法


[0001]本申请涉及复合衬底制备
，尤其涉及一种高电阻率的复合衬底及其制备方法。

技术介绍

[0002]复合薄膜能够满足电子元器件向小型化、低功耗、高性能方向发展的要求，因此，在当今半导体产业中成为越来越重要的材料。近年来，一种被称为绝缘体上的薄膜结构材料引起了工业界的重视，该材料主要包括半导体材料构成的有源层、绝缘材料构成的绝缘层和衬底层，其中，有源层与绝缘层为主要的功能层，实现光、电、声等信号的传播。这种绝缘体上的薄膜结构材料在CPU芯片、存储器、放大器、滤波器、调制器等器件中都展现出良好的应用性能。
[0003]当绝缘材料构成的有源层与半导体材料构成的绝缘层直接接触时，在界面处的绝缘层中会存在很多的缺陷能级，所述缺陷能级能够吸引载流子，半导体衬底层中的载流子被绝缘层中的缺陷能级吸引至二者界面附近，从而在半导体衬底层产生表面寄生电导效应(Parasitic Surface Conductance，PSC)。这使靠近界面附近衬底有效电阻率大幅降低超过一个量级，给基于该绝缘体衬底制得的薄膜结构本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高电阻率的复合衬底制备方法，其特征在于，包括：对硅衬底表面进行等离子体处理；将等离子体处理后的硅衬底置于含有水分的环境中，形成表面吸附有水分子的硅衬底层；在吸附有水分子的硅衬底表面上制备多晶硅层，在硅衬底层与多晶硅层之间生成介质层，获得复合衬底。2.根据权利要求1所述的一种高电阻率的复合衬底制备方法，其特征在于，对复合衬底进行退火处理，所述退火处理的温度为900～1100℃。3.根据权利要求1所述的一种高电阻率的复合衬底制备方法，其特征在于，所述等离子体为氩、氮或氢。4.根据权利要求1所述的一种高电阻率的复合衬底制备方法，其特征在于，所述介质层为非晶态，所述介质层的材质为氧化硅，所述介质层的厚度为0.5nm～20nm。5.根据权利要求1所述的一种高电阻率的复合衬底制备方法，其特征在于，所述多晶硅层的电阻率大于5000Ω﹒cm，所述硅衬底与多晶硅层之间的电阻率大于5000Ω﹒cm。6.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨超，胡文，李真宇，孔霞，刘亚明，
申请(专利权)人：济南晶正电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：