一种用于改善浅沟槽隔离表面毛刺的方法技术

本发明专利技术涉及一种用于改善浅沟槽隔离表面毛刺的方法，该方法具体是在第一隔离结构上刻蚀出浅沟槽，剥离第一隔离结构的一部分形成第二隔离结构。该方法还包括氧化所述第二隔离结构，以用于在所述第二隔离结构上形成氧化层。剥离所述氧化层。本发明专利技术方法中由于硅毛刺暴露的表面积相比于浅沟槽的平坦区域大，因此采用臭氧可以实现在硅毛刺表面快速接触并且更快速的形成氧化层，利用氢氟酸溶液对上述氧化层去除，进而达到改善硅毛刺的效果。由于硅片的顶部为氮化硅层，因此不易受到臭氧及氢氟酸的影响，其有效避免了浅沟槽内硅毛刺断裂后掉落污染酸槽，进一步避免对后续的工艺造成影响。进一步避免对后续的工艺造成影响。进一步避免对后续的工艺造成影响。

【技术实现步骤摘要】
一种用于改善浅沟槽隔离表面毛刺的方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种用于改善浅沟槽隔离表面毛刺的方法。

技术介绍

[0002]在半导体工艺制程中，浅沟槽(STI)隔离技术被广泛应用于集成电路中。所述浅沟槽隔离技术具体是利用干法刻蚀技术在隔离区域刻蚀出浅沟槽，其中干法刻蚀后的浅沟槽表面会存在硅毛刺(Si Grass)的情况，若后续经过酸槽清洗回刻，会存在问题如下：
[0003](一)浅沟槽内硅毛刺易断裂而污染酸槽。
[0004](二)酸槽内的酸液是周期性更换的，若硅毛刺断裂落入酸槽内部会交叉感染后续经过酸槽清洗的产品，进而影响产品的良率及器件的可靠性。

技术实现思路

[0005]针对上述现有技术的缺点，本专利技术的目的是提供一种用于改善浅沟槽隔离表面毛刺的方法，以解决现有技术中的一个或多个问题。
[0006]为实现上述目的，本专利技术的技术方案如下：
[0007]一种用于改善浅沟槽隔离表面毛刺的方法，包括以下步骤：
[0008]第一隔离结构上刻蚀出浅沟槽；
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于改善浅沟槽隔离表面毛刺的方法，包括以下步骤：在第一隔离结构上刻蚀出浅沟槽；剥离第一隔离结构的一部分形成第二隔离结构；其特征在于还包括以下步骤：氧化所述第二隔离结构，以用于在所述第二隔离结构上形成氧化层；剥离所述氧化层。2.如权利要求1所述的一种用于改善浅沟槽隔离表面毛刺的方法，其特征在于：对所述第二隔离结构的氧化采用臭氧气体。3.如权利要求1所述的一种用于改善浅沟槽隔离表面毛刺的方法，其特征在于：对所述第二隔离结构的氧化采用含氧化性的酸液。4.如权利要求1所述的一种用于改善浅沟槽隔离表面毛刺的方法，其特征在于：对所述氧化层的剥离采用酸性溶液，所述酸性溶液为氢氟酸溶液。5.如权利要求2所述的一种用于改善浅沟槽隔离表面毛刺的方法，其特征在于：所述臭氧气体的浓度为15ppm～30ppm。6.如权利要求5所述的一种用于改善浅...

【专利技术属性】
技术研发人员：ꢀ七四专利代理机构，
申请(专利权)人：上海芯物科技有限公司，
类型：发明
国别省市：