温控系统的控制方法及温控系统技术方案

本发明专利技术涉及半导体生产技术领域，尤其涉及一种温控系统的控制方法及温控系统，温控系统的控制方法包括：获取高温级系统的压缩机的吸气口的实际压力值；根据高温级系统的压缩机的吸气口的实际压力值和目标压力值，控制高温级系统的压缩机的输出频率与高温级系统的热气旁通阀的开度。本发明专利技术针对使用复叠式制冷系统的温控设备，使其在常规复叠制冷系统的结构下，满足快速升温和高温工况下的稳定控温运行的两项需求，相较于现有控制方法及温控系统需要在高温级系统中增加支路蒸发器，在高温工况下仅开启高温级系统对循环液控温的方式，本发明专利技术简化温控系统的结构，降低成本。降低成本。降低成本。

【技术实现步骤摘要】
温控系统的控制方法及温控系统


[0001]本专利技术涉及半导体生产
，尤其涉及一种温控系统的控制方法及温控系统。

技术介绍

[0002]在当前储存芯片的制造工艺中，多层堆叠是主流开发方向，其在刻蚀制程环节，需要实现较大的刻蚀深度。但随着制造工艺往28nm或更低的方向发展，就需要控制良好的宽深比。要实现这一工艺要求，就要使加工腔温度更低，目前国内先进工艺对刻蚀过程的温度需求已达到
‑
70℃，半导体专用温控装置主流是采用常规的R404a/R23复叠制冷系统实现低温控温。但刻蚀设备需要进行定期保养，保养时需要温控装置尽快将刻蚀腔维持在常温状态。所以，温控装置的控温范围需要满足
‑
70～40℃的宽温域。
[0003]对于半导体用温控装置，采用常规复叠制冷系统的工艺及控制方案即可实现
‑
70℃的低温需求，但当需要运行常温工况时，常规的复叠制冷控制方式，低温级R23制冷剂系统无法满足常温工况的稳定运行。当前应用的温控系统，主要是采用双蒸发器的方式实现高温工况的需求，即高温级系统中并联一路蒸本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种温控系统的控制方法，其特征在于：包括：S1，获取高温级系统的压缩机的吸气口的实际压力值；S2，根据高温级系统的压缩机的吸气口的实际压力值和目标压力值，控制高温级系统的压缩机的输出频率与高温级系统的热气旁通阀的开度。2.根据权利要求1所述的温控系统的控制方法，其特征在于：在步骤S2中，当所述实际压力值小于所述目标压力值时，减小所述高温级系统的压缩机的输出频率，增大所述高温级系统的热气旁通阀的开度，当所述实际压力值大于所述目标压力值时，增大所述高温级系统的压缩机的输出频率，减小所述高温级系统的热气旁通阀的开度。3.根据权利要求1所述的温控系统的控制方法，其特征在于：还包括：S3，获取所述高温级系统的压缩机的吸气过热度；S4，根据所述高温级系统的压缩机的吸气过热度和设定过热度范围调节所述高温级系统的主路膨胀阀的开度。4.根据权利要求3所述的温控系统的控制方法，其特征在于：步骤S3包括：S31，获取所述高温级系统的压缩机的吸气口的实际压力值和实际温度值；S32，根据所述高温级系统的压缩机的吸气口的实际压力值和实际温度值计算获得所述吸气过热度。5.根据权利要求3所述的温控系统的控制方法，其特征在于：在步骤S4中，当所述吸气过热度大于所述设定过热度范围的上限时，增大所述高温级系统的主路膨胀阀的开度，当所述吸气过热度小于所述设定过热度范围的下限时，减小所述高温级系统的主路膨胀阀的开度。6.根据权利要求3所述的温控系统的控制方法，其特征在于：还包括：S5，获取所述低温级系统的蒸发冷凝器的出口的过冷度；S6，根据所述低温级系统的蒸发冷凝器的出口的过冷度和设定过冷度调节所述高温级系统的压缩机的吸气口的目标压力值。7.根据权利要求6所述的温控系统的控制方法，其特征在于：步骤S5包括：S51，获取所述低温级系统的蒸发冷凝器的出口的实际温度值和压缩机的排气口的实际压力值；S52，根据所述低温级系统的蒸发冷凝器的出口的实际温度值和压缩机的排气口的实际压力值计算获得所述过冷度。8.根据权利要求6所述的温控系统的控制方法，其特征在于：在步骤S6中，当所述过冷度小于所述设定过冷度时，减小所述高温级系统的压缩机的排气口的目标压力值。9.根据权利要求6所述的温控系统的控制方法，其特征在于：还包括：S7，根据所述低温级系统的压缩机的排气口的实际温度值与设定温度值，控制所述高温级系统的压缩机的吸气口的目标压力值。10.根据权利要求9所述的温控系统的控制方法，其特征在于：在步骤S7中，当所述低温级系统的压缩机的排气口的实际温度值...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘紫阳，
申请(专利权)人：北京京仪自动化装备技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：