共轭二烯系接枝聚合物及其制造方法技术

提供具有高透明性、耐热性、耐候性的共轭二烯系接枝聚合物和该共轭二烯系接枝聚合物的制造方法。共轭二烯系接枝聚合物的制造方法，其包括如下工序：使特定的活性末端聚合物与侧链具有官能团的特定的官能团改性共轭二烯系聚合物反应而制作共轭二烯系接枝聚合物的工序；以及将所得的共轭二烯系接枝聚合物回收的工序，所述共轭二烯系接枝聚合物借助作为分枝点的价数为3以上的杂原子Z而在主链（a）上键合有侧链（b），所述主链（a）包含含有共轭二烯单元的聚合物，所述侧链（b）包含含有选自共轭二烯单元和芳香族乙烯基化合物单元中的至少1种单体单元的聚合物。种单体单元的聚合物。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】共轭二烯系接枝聚合物及其制造方法


[0001]本专利技术涉及透明性、热稳定性和耐候性优异的共轭二烯系接枝聚合物及其制造方法。

技术介绍

[0002]以往已知：具有分枝的聚合物与相同分子量的线状聚合物相比流动性高，加工性与力学特性的平衡优异。例如已知：通过使利用硅氢化而接枝有甲硅烷基氯基的聚丁二烯与具有活性阴离子聚合的活性末端的活性聚合物发生反应，从而形成共轭二烯系接枝聚合物的方法（参照非专利文献1）。
[0003]现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2003
‑
252927号公报非专利文献非专利文献1：Macromolecules,1997,30,5602。

技术实现思路

[0004]专利技术所要解决的问题然而，关于非专利文献1记载的共轭二烯系接枝聚合物，在聚合物中含有作为副产物的卤化物。从导致燃烧时产生有害产物等环境方面的问题出发，要求降低卤化物在聚合物中的含量（参照专利文献1）。此外可知：卤化物的含量多的非专利文献1记载的共轭二烯系接枝聚合物在透明性、耐热性、耐候性方面存在问题。上述非专利文献中，针对降低聚合物中的卤化物含量的手段，未作任何研究。
[0005]本专利技术是鉴于上述情况而作出的，其目的在于，提供具有高透明性、耐热性、耐候性的共轭二烯系接枝聚合物和该共轭二烯系接枝聚合物的制造方法。
[0006]用于解决问题的方案本专利技术人等进行深入研究的结果发现：通过包括使特定的活性末端聚合物与具有包含特定官能团的部分作为支链的官能团改性共轭二烯系聚合物发生反应这一工序的制造方法而制造的共轭二烯系接枝聚合物具有高透明性、耐热性、耐候性，从而完成了本专利技术。
[0007]即，本专利技术提供以下的[1]~[11]。
[0008][1] 共轭二烯系接枝聚合物的制造方法，其包括如下工序：（A
‑
1）使下述式（I）所示的活性末端聚合物（以下，将该聚合物称为活性末端聚合物（I））与具有包含下述式（II）所示的官能团的部分作为支链的官能团改性共轭二烯系聚合物（以下，将该聚合物称为官能团改性共轭二烯系聚合物（F））反应而制作共轭二烯系接枝聚合物的工序，以及（B）将所得的共轭二烯系接枝聚合物回收的工序，
P
‑
X
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（I）（式（I）中，P表示包含选自共轭二烯单元和芳香族乙烯基化合物单元中的至少1种单体单元的聚合物链，X表示阴离子聚合的活性末端）[化1]（式（II）中，V表示烷氧基或羟基，Z为Si、Sn、Ge、Pb、P、B或Al，R1表示碳原子数6~12的芳基、碳原子数1~12的烷基或氢原子，N表示前述Z的价数，n为满足下述式（1）的整数，1≤n≤N
‑1ꢀꢀꢀ
（1）n为2以上时，V任选相同或不同，N
‑
n为2以上时，R1任选相同或不同，相对于主链包含多个支链时，Z任选相同或不同）；所述共轭二烯系接枝聚合物借助作为分枝点的价数为3以上的杂原子Z而在主链（a）上键合有侧链（b），所述主链（a）包含含有共轭二烯单元的聚合物，所述侧链（b）包含含有选自共轭二烯单元和芳香族乙烯基化合物单元中的至少1种单体单元的聚合物。
[0009][2] 根据[1]所述的共轭二烯系接枝聚合物的制造方法，其中，在工序（B）之前还包括如下工序：（A
‑
2）对前述共轭二烯系接枝聚合物中的选自烷氧基和羟基中的至少1种残留官能团的至少一部分进行去活化的工序。
[0010][3] 根据[1]或[2]所述的共轭二烯系接枝聚合物的制造方法，其中，前述式（II）中的Z为Si。
[0011][4] 根据[1]~[3]中任一项所述的共轭二烯系接枝聚合物的制造方法，其中，前述式（II）中的官能团V为烷氧基。
[0012][5] 根据[1]~[4]中任一项所述的共轭二烯系接枝聚合物的制造方法，其中，与1个分枝点键合的侧链（b）的平均条数为0.5条以上。
[0013][6] 共轭二烯系接枝聚合物，其借助1个作为分枝点的价数为3以上的杂原子而在主链（a）上键合有侧链（b），所述主链（a）包含含有共轭二烯单元的聚合物，所述侧链（b）包含含有选自共轭二烯单元和芳香族乙烯基化合物单元中的至少1种单体单元的聚合物，前述主链（a）直接或借助连接链而与分枝点键合，前述侧链（b）直接键合于分枝点，前述杂原子为选自Si、Sn、Ge、Pb、P、B和Al中的至少1种，卤素含量为1000ppm以下。
[0014][7] 根据[6]所述的共轭二烯系接枝聚合物，其通过[1]~[5]中任一项所述的制造方法而得到。
[0015][8] 根据[6]或[7]所述的共轭二烯系接枝聚合物，其中，前述分枝点的杂原子为Si。
[0016][9] 根据[6]~[8]中任一项所述的共轭二烯系接枝聚合物，其中，与1个分枝点直接键合的侧链（b）的平均条数为0.5条以上。
[0017][10] 聚合物组合物，其含有[6]~[9]中任一项所述的共轭二烯系接枝聚合物。
[0018][11] 成形品，其是将[10]所述的聚合物组合物成形而成的。
[0019]专利技术效果根据本专利技术，提供具有高透明性、热稳定性、耐候性的共轭二烯系接枝聚合物和该共轭二烯系接枝聚合物的制造方法。
具体实施方式
[0020]本专利技术的共轭二烯系接枝聚合物的制造方法包括下述工序（A
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1）和工序（B）。需要说明的是，本专利技术中，接枝聚合物是指具有由高分子链形成的主链作为干、具有由高分子链形成的侧链作为枝的聚合物，构成成为主链的高分子链的单体单元与构成成为侧链的高分子链的单体单元可以相同也可以不同。
[0021]（A
‑
1）使下述式（I）所示的活性末端聚合物（I）与具有包含下述式（II）所示的官能团的部分作为支链的官能团改性共轭二烯系聚合物（F）反应而制作共轭二烯系接枝聚合物的工序。
[0022]P
‑
X
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（I）（式（I）中，P表示包含选自共轭二烯单元和芳香族乙烯基化合物单元中的至少1种单体单元的聚合物链，X表示阴离子聚合的活性末端。）[化2]（式（II）中，V表示烷氧基或羟基，Z为Si、Sn、Ge、Pb、P、B或Al，R1表示碳原子数6~12的芳基、碳原子数1~12的烷基或氢原子，N表示前述Z的价数，n为满足下述式（1）的整数；1≤n≤N
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（1）n为2以上时，V任选相同或不同，N
‑
n为2以上时，R1任选相同或不同，相对于主链包含多个支链时，Z任选相同或不同。）；以及（B）将所得的共轭二烯系接枝聚合物回收的工序。
[0023]需要说明的是，官能团改性共轭二烯系聚合物（F）的支链是指官能团改性共轭二烯系聚合物（F）的除主链之外的部分，该主链是指源自包含构成主链的共轭二烯单元在内的全部单体单元的部分整体。例如，通过后述方法由作为前体的未改性的共轭二烯系聚合物（F'）制造官能团改性共轭二烯系聚合物本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.共轭二烯系接枝聚合物的制造方法，其包括如下工序：（A
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1）使下述式（I）所示的活性末端聚合物与具有包含下述式（II）所示的官能团的部分作为支链的官能团改性共轭二烯系聚合物反应而制作共轭二烯系接枝聚合物的工序，以及（B）将所得的共轭二烯系接枝聚合物回收的工序，P
‑
X
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（I）式（I）中，P表示包含选自共轭二烯单元和芳香族乙烯基化合物单元中的至少1种单体单元的聚合物链，X表示阴离子聚合的活性末端，式（II）中，V表示烷氧基或羟基，Z为Si、Sn、Ge、Pb、P、B或Al，R1表示碳原子数6~12的芳基、碳原子数1~12的烷基或氢原子，N表示所述Z的价数，n为满足下述式（1）的整数，1≤n≤N
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（1）n为2以上时，V任选相同或不同，N
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n为2以上时，R1任选相同或不同，相对于主链包含多个支链时，Z任选相同或不同；所述共轭二烯系接枝聚合物借助作为分枝点的价数为3以上的杂原子Z而在主链（a）上键合有侧链（b），所述主链（a）包含含有共轭二烯单元的聚合物，所述侧链（b）包含含有选自共轭二烯单元和芳香族乙烯基化合物单元中的至少1种单体单元的聚合物。2.根据权利要求1所述的共轭二烯系接枝聚合物的制造方法，其中，在工序（B）之前还包括如下工序：（A
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2）对所述共轭二烯系接枝聚合物中的选自烷...

【专利技术属性】
技术研发人员：上野庆和，神原浩，稻富敦，高井顺矢，马昭明，
申请(专利权)人：株式会社可乐丽，
类型：发明
国别省市：