一种复合式高压集成场效应管制造技术

本实用新型专利技术公开了半导体元器件技术领域，具体为：一种复合式高压集成场效应管，包括外壳，所述外壳内侧端部设置有半导体芯片，所述外壳后端外壁固定连接有散热组件，所述半导体芯片底端外壁固定连接有引脚固定座，所述半导体芯片通过电性线与引脚固定座电性连接，半导体芯片两侧端部均固定连接有缓冲组件，本实用新型专利技术中，当设置的半导体芯片因为外部环境导致其受到振动时，可通过设置的缓冲部件、支撑部件和夹持部件之间的配合作用能有效降低受到的振动，进而能解决当场效应管受到较大的振动时，其内部的半导体芯片容易受到损伤，导致其无法在进行正常使用的问题。无法在进行正常使用的问题。无法在进行正常使用的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种复合式高压集成场效应管


[0001]本技术涉及半导体元器件
，具体为一种复合式高压集成场效应管。

技术介绍

[0002]场效应管是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管，其优势在于，首先驱动场效应管应用电路比较简单，需要的驱动电流小得多，而且通常可以直接由CMOS或者集电极开路TTL驱动电路驱动其次开关速度比较迅速，能够以较高的速度工作，因为没有电荷存储效应，在消费电子、工业产品、机电设备、智能手机以及其他便携式数码电子产品中随处可见。
[0003]然而，随着科学技术的发展，人们开始追求电子产品小型化，因此会将电器元件的体积逐渐降低，而电器元件体积降低时，其功率就会降低，因此，为了避免场效应管的功率降低，科研人员研发出复合式高压集成式场效应管来解决上述问题。
[0004]复合式高压集成式场效应管是将半导体芯片进行复合集成，使得效应管体积降低的同时，其功率不会降低太多，从而满足一些小型化电子产品的需求，但是，现有的复合式高压集成式场效应管其不具备缓冲减震功能，这就导致场效应管受到较大的振动时，其内部的半导体芯片容易受到损伤，导致其无法在进行正常使用。
[0005]因此需要研发一种复合式高压集成场效应管很有必要。

技术实现思路

[0006]本技术的目的在于提供一种复合式高压集成场效应管，以解决上述
技术介绍
中提出现有的复合式高压集成式场效应管其不具备缓冲减震功能，这就导致场效应管受到较大的振动时，其内部的半导体芯片容易受到损伤，导致其无法在进行正常使用的问题。
>[0007]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种复合式高压集成场效应管，包括外壳，所述外壳内侧端部设置有半导体芯片，所述外壳后端外壁固定连接有散热组件，所述半导体芯片底端外壁固定连接有引脚固定座，所述半导体芯片通过电性线与引脚固定座电性连接，所述半导体芯片两侧端部均固定连接有缓冲组件；
[0008]所述缓冲组件包括夹持部件、缓冲部件和支撑部件，所述夹持部件侧端外壁与半导体芯片两侧端外壁连接，所述夹持部件远离半导体芯片的一侧外壁中心处固定连接有支撑组件，所述支撑组件上下端部均设置有缓冲部件，所述缓冲部件与夹持部件侧端外壁上下端部转动连接。
[0009]优选的，所述夹持部件为支撑座，所述支撑座靠近半导体芯片侧端外壁的一端开设有储存槽，所述储存槽内通过镶嵌的方式固定连接有散热减震垫，所述散热减震垫内填充有冷却液。
[0010]优选的，所述缓冲部件包括支杆和滑道，所述滑道与外壳两侧端内壁固定连接，所述支杆靠近支撑座的一端与支撑座侧端外壁转动连接，所述支杆远离支撑座的一端通过铰接连接的方式连接有滑块。
[0011]优选的，所述滑道在与滑块连接处开设有滑槽，所述滑块通过滑动连接的方式与滑槽连接，所述滑块远离滑道中心处的一端固定连接有弹簧，所述弹簧远离滑块的一端与滑槽侧端内壁固定连接。
[0012]优选的，所述支撑部件包括密封套筒，所述密封套筒远离支撑座的一端与滑道侧端外壁中心处固定连接，所述密封套筒靠近支撑座的一端通过滑动连接的方式套接有连杆，所述连杆远离密封套筒的一端与支撑座侧端外壁中心处固定连接，所述连杆设置在密封套筒内的一端固定连接有密封塞。
[0013]优选的，所述引脚固定座底端外壁左侧端部通过电性连接的方式固定有漏极引脚，所述漏极引脚右侧端部设置有栅极引脚，所述栅极引脚右侧端部设置有源极引脚，所述栅极引脚与源极引脚顶端部与引脚固定座底端外壁固定连接。
[0014]优选的，所述散热组件包括金属散热衬底，所述金属散热衬底与外壳后端外壁固定连接，所述金属散热衬底前端外壁上端部开设有安装孔，所述外壳后端外壁在与金属散热衬底连接处开设有散热槽a。
[0015]优选的，所述金属散热衬底在与散热槽a对应位置处开设有散热槽b，所述散热槽b与散热槽a尺寸相同，所述散热槽b内侧端壁固定连接有散热鳍片，所述散热鳍片远离金属散热衬底的一端穿过散热槽a与半导体芯片底端外壁连接。
[0016]与现有技术相比，本技术的有益效果是：
[0017]本技术中，当设置的半导体芯片因为外部环境导致其受到振动时，可通过设置的缓冲部件、支撑部件和夹持部件之间的配合作用能有效降低受到的振动，进而能解决当场效应管受到较大的振动时，其内部的半导体芯片容易受到损伤，导致其无法在进行正常使用的问题。
附图说明
[0018]图1为本技术正视方向的外部结构示意图；
[0019]图2为本技术正视方向的剖视结构示意图；
[0020]图3为本技术图2中A处放大的结构示意图；
[0021]图4为本技术图2中B处放大的结构示意图；
[0022]图5为本技术支撑座的剖视结构示意图；
[0023]图6为本技术中侧视方向的部分剖视结构示意图；
[0024]图7为本技术中金属散热衬底的立体结构示意图。
[0025]图中：100、外壳；110、散热槽a；200、半导体芯片；300、引脚固定座；310、漏极引脚；320、栅极引脚；330、源极引脚；400、缓冲组件；410、滑道；420、支撑座；421、散热减震垫；430、支杆；431、滑块；432、弹簧；433、滑槽；440、密封套筒；441、连杆；442、密封塞；500、金属散热衬底；510、安装孔；520、散热槽b；521、散热鳍片。
具体实施方式
[0026]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下
所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0027]本技术提供如下技术方案：一种复合式高压集成场效应管，在使用的过程中可以有效的提高对半导体芯片固定和缓冲效果，避免场效应管外部产生振动导致半导体芯片受到损伤，请参阅图1
‑
7，包括外壳100，设置的外壳100是为了对半导体芯片200进行保护，避免半导体芯片200裸露在外部受到损伤，外壳100内侧端部设置有半导体芯片200，外壳100后端外壁固定连接有散热组件，设置的散热组件是为了提高对半导体芯片200的散热效果，半导体芯片200底端外壁固定连接有引脚固定座300，设置的引脚固定座300是为了将场效应管安装在电路板上，半导体芯片200通过电性线与引脚固定座300电性连接，半导体芯片200两侧端部均固定连接有缓冲组件400，设置的缓冲组件400是为了对半导体芯片200进行支撑和缓冲，缓冲组件400包括夹持部件、缓冲部件和支撑部件，夹持部件侧端外壁与半导体芯片200两侧端外壁连接，夹持部件为支撑座420，支撑座420靠近半导体芯片200侧端外壁的一端开设有储存槽，储存槽内通过镶嵌的方式固定连接有散热减震垫421，散热减震垫421内填充有冷却液，设置的支撑座本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种复合式高压集成场效应管，包括外壳(100)，所述外壳(100)内侧端部设置有半导体芯片(200)，所述外壳(100)后端外壁固定连接有散热组件，所述半导体芯片(200)底端外壁固定连接有引脚固定座(300)，所述半导体芯片(200)通过电性线与引脚固定座(300)电性连接，其特征在于：所述半导体芯片(200)两侧端部均固定连接有缓冲组件(400)；所述缓冲组件(400)包括夹持部件、缓冲部件和支撑部件，所述夹持部件侧端外壁与半导体芯片(200)两侧端外壁连接，所述夹持部件远离半导体芯片(200)的一侧外壁中心处固定连接有支撑组件，所述支撑组件上下端部均设置有缓冲部件，所述缓冲部件与夹持部件侧端外壁上下端部转动连接。2.根据权利要求1所述的一种复合式高压集成场效应管，其特征在于：所述夹持部件为支撑座(420)，所述支撑座(420)靠近半导体芯片(200)侧端外壁的一端开设有储存槽，所述储存槽内通过镶嵌的方式固定连接有散热减震垫(421)，所述散热减震垫(421)内填充有冷却液。3.根据权利要求1所述的一种复合式高压集成场效应管，其特征在于：所述缓冲部件包括支杆(430)和滑道(410)，所述滑道(410)与外壳(100)两侧端内壁固定连接，所述支杆(430)靠近支撑座(420)的一端与支撑座(420)侧端外壁转动连接，所述支杆(430)远离支撑座(420)的一端通过铰接连接的方式连接有滑块(431)。4.根据权利要求3所述的一种复合式高压集成场效应管，其特征在于：所述滑道(410)在与滑块(431)连接处开设有滑槽(433)，所述滑块(431)通过滑动连接的方式与滑槽(433)连接，所述滑块(431)远离滑道(410)中心处的一端固定连接有弹簧(432)，所述弹簧(432)远离滑块(431)的...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡志龙，
申请(专利权)人：深圳市嘉鑫微科技有限公司，
类型：新型
国别省市：