一种复合式高压集成场效应管制造技术

本实用新型专利技术公开了半导体元器件技术领域，具体为：一种复合式高压集成场效应管，包括外壳，所述外壳内侧端部设置有半导体芯片，所述外壳后端外壁固定连接有散热组件，所述半导体芯片底端外壁固定连接有引脚固定座，所述半导体芯片通过电性线与引脚固定座电性连接，半导体芯片两侧端部均固定连接有缓冲组件，本实用新型专利技术中，当设置的半导体芯片因为外部环境导致其受到振动时，可通过设置的缓冲部件、支撑部件和夹持部件之间的配合作用能有效降低受到的振动，进而能解决当场效应管受到较大的振动时，其内部的半导体芯片容易受到损伤，导致其无法在进行正常使用的问题。无法在进行正常使用的问题。无法在进行正常使用的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种复合式高压集成场效应管


[0001]本技术涉及半导体元器件
，具体为一种复合式高压集成场效应管。

技术介绍

[0002]场效应管是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管，其优势在于，首先驱动场效应管应用电路比较简单，需要的驱动电流小得多，而且通常可以直接由CMOS或者集电极开路TTL驱动电路驱动其次开关速度比较迅速，能够以较高的速度工作，因为没有电荷存储效应，在消费电子、工业产品、机电设备、智能手机以及其他便携式数码电子产品中随处可见。
[0003]然而，随着科学技术的发展，人们开始追求电子产品小型化，因此会将电器元件的体积逐渐降低，而电器元件体积降低时，其功率就会降低，因此，为了避免场效应管的功率降低，科研人员研发出复合式高压集成式场效应管来解决上述问题。
[0004]复合式高压集成式场效应管是将半导体芯片进行复合集成，使得效应管体积降低的同时，其功率不会降低太多，从而满足一些小型化电子产品的需求，但是，现有的复合式高压集成式场效应管其不具备缓冲减震功能，这就导致场效应管受到较大的振动时，其内部的半导体芯片本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种复合式高压集成场效应管，包括外壳(100)，所述外壳(100)内侧端部设置有半导体芯片(200)，所述外壳(100)后端外壁固定连接有散热组件，所述半导体芯片(200)底端外壁固定连接有引脚固定座(300)，所述半导体芯片(200)通过电性线与引脚固定座(300)电性连接，其特征在于：所述半导体芯片(200)两侧端部均固定连接有缓冲组件(400)；所述缓冲组件(400)包括夹持部件、缓冲部件和支撑部件，所述夹持部件侧端外壁与半导体芯片(200)两侧端外壁连接，所述夹持部件远离半导体芯片(200)的一侧外壁中心处固定连接有支撑组件，所述支撑组件上下端部均设置有缓冲部件，所述缓冲部件与夹持部件侧端外壁上下端部转动连接。2.根据权利要求1所述的一种复合式高压集成场效应管，其特征在于：所述夹持部件为支撑座(420)，所述支撑座(420)靠近半导体芯片(200)侧端外壁的一端开设有储存槽，所述储存槽内通过镶嵌的方式固定连接有散热减震垫(421)，所述散热减震垫(421)内填充有冷却液。3.根据权利要求1所述的一种复合式高压集成场效应管，其特征在于：所述缓冲部件包括支杆(430)和滑道(410)，所述滑道(410)与外壳(100)两侧端内壁固定连接，所述支杆(430)靠近支撑座(420)的一端与支撑座(420)侧端外壁转动连接，所述支杆(430)远离支撑座(420)的一端通过铰接连接的方式连接有滑块(431)。4.根据权利要求3所述的一种复合式高压集成场效应管，其特征在于：所述滑道(410)在与滑块(431)连接处开设有滑槽(433)，所述滑块(431)通过滑动连接的方式与滑槽(433)连接，所述滑块(431)远离滑道(410)中心处的一端固定连接有弹簧(432)，所述弹簧(432)远离滑块(431)的...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡志龙，
申请(专利权)人：深圳市嘉鑫微科技有限公司，
类型：新型
国别省市：