一种低功耗MOS场效应管制造技术

本实用新型专利技术公开的属于MOS场效应管技术领域，具体为一种低功耗MOS场效应管，包括底座和顶盖，所述底座的顶部设有MOS场效应管本体，所述顶盖的内壁设有MOS场效应管本体，且顶盖的内壁开设有若干散热孔，所述底座与所述顶盖通过限位组件相连接，并再通过固定组件相固定，所述底座上设有顶出组件，且顶出组件的一端位于固定组件上，所述底座与所述顶盖的两端均设有定位组件，所述固定组件包括凹槽、固定板和固定杆，所述底座的顶端内壁开设有若干凹槽，本实用新型专利技术通过限位组件和定位组件对底座和顶盖的位置进行限定，限定后，再通过固定组件进行固定，不仅会便于MOS场效应管进行安装，还会大大提高安装效率。会大大提高安装效率。会大大提高安装效率。

A low power MOS FET

【技术实现步骤摘要】
一种低功耗MOS场效应管


[0001]本技术涉及MOS场效应管
，具体为一种低功耗MOS场效应管。

技术介绍

[0002]MOS场效应管即金属
‑
氧化物
‑
半导体型场效应管，属于绝缘栅型，其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻(最高可达1015Ω)，它也分N沟道管和P沟道管，通常是将衬底(基板)与源极S接在一起。
[0003]现有的中国专利CN210092060U公开了一种功率沟槽式MOS场效应管，虽然该专利解决了目前市场上的功率沟槽式MOS场效应管，在使用时存在一些缺陷，例如，拆装不便，当效应管损坏时，拆卸难度大，维修效率低，另外效应管长时间使用容易产生热量，容易导致效应管高温损坏，影响其使用寿命的问题，但是该专利在安装时，会在弹簧的作用下容易使连接在底座上的锁紧杆与锁紧槽发生错开的现象，这就导致锁紧杆不易插入到锁紧槽中，从而会存在安装不便的现象。
[0004]为此，我们提出一种低功耗MOS场效应管。

技术实现思路

[0005]鉴于上述和/或现有一种低功耗MOS场效应管中存在的问题，提出了本技术。
[0006]因此，本技术的目的是提供一种低功耗MOS场效应管，能够解决上述提出现有的问题。
[0007]为解决上述技术问题，根据本技术的一个方面，本技术提供了如下技术方案：
[0008]一种低功耗MOS场效应管，其包括底座和顶盖，所述底座的顶部设有MOS场效应管本体，所述顶盖的内壁设有MOS场效应管本体，且顶盖的内壁开设有若干散热孔，所述底座与所述顶盖通过限位组件相连接，并再通过固定组件相固定，所述底座上设有顶出组件，且顶出组件的一端位于固定组件上，所述底座与所述顶盖的两端均设有定位组件。
[0009]作为本技术所述的一种低功耗MOS场效应管的一种优选方案，其中：所述固定组件包括凹槽、固定板和固定杆，所述底座的顶端内壁开设有若干凹槽，所述顶盖的底部固定安装若干固定板，且固定板的内壁开设有螺纹孔，所述凹槽的内腔设有固定板，所述固定杆的一端经过底座螺纹连接在螺纹孔的内壁上，且固定杆远离螺纹孔的一端固定安装第一驱动块，所述顶出组件的一端位于凹槽的内腔。
[0010]作为本技术所述的一种低功耗MOS场效应管的一种优选方案，其中：所述顶出组件包括转轴，所述底座的内壁通过轴承转动连接若干转轴，且转轴的一端位于凹槽的内腔，所述转轴的一端固定安装挤压板，且挤压板的形状设置成椭圆形，所述挤压板位于固定板的下方，所述转轴远离挤压板的一端固定安装第二驱动块。
[0011]作为本技术所述的一种低功耗MOS场效应管的一种优选方案，其中：所述限位组件包括连接杆、卡接块、滑槽和卡接槽，所述底座的顶部固定安装若干连接杆，且连接杆
位于凹槽的两侧，所述连接杆的顶部固定安装卡接块，所述卡接块的形状设置成半球形，且材料设置成橡胶；
[0012]所述顶盖的内壁开设若干滑槽和卡接槽，且滑槽和卡接槽相连通，所述卡接槽的形状与所述卡接块的形状相匹配。
[0013]作为本技术所述的一种低功耗MOS场效应管的一种优选方案，其中：所述滑槽的内壁滑动连接连接杆，所述卡接块经过滑槽卡接在卡接槽的内壁上。
[0014]作为本技术所述的一种低功耗MOS场效应管的一种优选方案，其中：所述定位组件包括支撑板和定位板，所述底座的两端均固定安装支撑板，所述顶盖的两端均固定安装定位板，所述支撑板的顶部固定安装定位杆，且定位板的内壁滑动连接定位杆。
[0015]与现有技术相比：
[0016]1.通过限位组件和定位组件对底座和顶盖的位置进行限定，限定后，再通过固定组件进行固定，不仅会便于MOS场效应管进行安装，还会大大提高安装效率；
[0017]2.通过顶出组件将底座与顶盖进行分离，不仅会便于MOS场效应管进行拆卸，还会提高拆卸效率。
附图说明
[0018]图1为本技术结构剖视示意图；
[0019]图2为本技术图1中A处结构放大示意图；
[0020]图3为本技术底座结构俯视示意图；
[0021]图4为本技术图3中B处结构放大示意图；
[0022]图5为本技术结构正视示意图；
[0023]图6为本技术底座与顶盖局部分开示意图。
[0024]图中：底座2、顶盖3、散热孔31、MOS场效应管本体4、凹槽51、固定板52、螺纹孔53、固定杆54、第一驱动块55、转轴61、挤压板62、第二驱动块63、连接杆71、卡接块72、滑槽73、卡接槽74、支撑板81、定位杆82、定位板83。
具体实施方式
[0025]为使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本技术的实施方式作进一步地详细描述。
[0026]本技术提供一种低功耗MOS场效应管，请参阅图1
‑
图6，包括底座2和顶盖3，底座2的顶部设有MOS场效应管本体4，顶盖3的内壁设有MOS场效应管本体4，MOS场效应管本体4即金属
‑
氧化物
‑
半导体型场效应管，属于绝缘栅型，在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻(最高可达1015Ω)，它也分N沟道管和P沟道管，通常是将衬底(基板)与源极S接在一起，根据导电方式的不同，MOS场效应管又分增强型、耗尽型，所谓增强型是指：当VGS＝0时管子是呈截止状态，加上正确的VGS后，多数载流子被吸引到栅极，从而“增强”了该区域的载流子，形成导电沟道；耗尽型则是指，当VGS＝0时即形成沟道，加上正确的VGS时，能使多数载流子流出沟道，因而“耗尽”了载流子，使管子转向截止，且顶盖3的内壁开设有若干散热孔31，通过散热孔31具有实现散热的作用，底座2与顶盖3通过限位组件相连接，并再通过固定组件相固定，底座2上设有顶出组件，且顶出组件的一端
位于固定组件上，底座2与顶盖3的两端均设有定位组件。
[0027]固定组件包括凹槽51、固定板52和固定杆54，底座2的顶端内壁开设有若干凹槽51，顶盖3的底部固定安装若干固定板52，且固定板52的内壁开设有螺纹孔53，凹槽51的内腔设有固定板52，固定杆54的一端经过底座2螺纹连接在螺纹孔53的内壁上，且固定杆54远离螺纹孔53的一端固定安装第一驱动块55，第一驱动块55位于底座2的外侧，顶出组件的一端位于凹槽51的内腔。
[0028]顶出组件包括转轴61，底座2的内壁通过轴承转动连接若干转轴61，且转轴61的一端位于凹槽51的内腔，转轴61的一端固定安装挤压板62，且挤压板62的形状设置成椭圆形，挤压板62位于固定板52的下方，转轴61远离挤压板62的一端固定安装第二驱动块63，第二驱动块63位于底座2的外侧。
[0029]限位组件包括连接杆71、卡接块72、滑槽73和卡接槽74，底座2的顶部固定安装若干连接杆71，且连本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低功耗MOS场效应管，包括底座(2)和顶盖(3)，所述底座(2)的顶部设有MOS场效应管本体(4)，所述顶盖(3)的内壁设有MOS场效应管本体(4)，且顶盖(3)的内壁开设有若干散热孔(31)，其特征在于：所述底座(2)与所述顶盖(3)通过限位组件相连接，并再通过固定组件相固定，所述底座(2)上设有顶出组件，且顶出组件的一端位于固定组件上，所述底座(2)与所述顶盖(3)的两端均设有定位组件。2.根据权利要求1所述的一种低功耗MOS场效应管，其特征在于，所述固定组件包括凹槽(51)、固定板(52)和固定杆(54)，所述底座(2)的顶端内壁开设有若干凹槽(51)，所述顶盖(3)的底部固定安装若干固定板(52)，且固定板(52)的内壁开设有螺纹孔(53)，所述凹槽(51)的内腔设有固定板(52)，所述固定杆(54)的一端经过底座(2)螺纹连接在螺纹孔(53)的内壁上，且固定杆(54)远离螺纹孔(53)的一端固定安装第一驱动块(55)，所述顶出组件的一端位于凹槽(51)的内腔。3.根据权利要求2所述的一种低功耗MOS场效应管，其特征在于，所述顶出组件包括转轴(61)，所述底座(2)的内壁通过轴承转动连接若干转轴(61)，且转轴(61)的一端位于凹槽(51)的内腔，所述转轴(61)的一端固定安装挤压板(6...

【专利技术属性】
技术研发人员：余朝阳，
申请(专利权)人：深圳市嘉鑫微科技有限公司，
类型：新型
国别省市：