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本实用新型公开了半导体元器件技术领域，具体为：一种复合式高压集成场效应管，包括外壳，所述外壳内侧端部设置有半导体芯片，所述外壳后端外壁固定连接有散热组件，所述半导体芯片底端外壁固定连接有引脚固定座，所述半导体芯片通过电性线与引脚固定座电性连...
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