【技术实现步骤摘要】
应力补偿电路及磁场感测系统
[0001]本技术设计磁场感测
,尤其涉及一种应力补偿电路及磁场感测系统。
技术介绍
[0002]磁场感测元件广泛应用于日常生活、工业领域、能源领域等,通过感测当前磁场状态,从而实现方位判断、触点开闭和数据量测等功能,但由于工艺的限制,通用
中多用来进行磁场感测的霍尔半导体器件,在工作时会受到环境物理参数的影响而使得输出产生允许范围以外的误差,所述物理参数典型地包括机械应力。
[0003]现有技术中为了补偿机械应力的影响,会在磁场感测系统中设置应力补偿电路,通过将参考电阻受到应力作用后阻值的变化镜像到霍尔器件一侧,从而实现对磁场感测元件的补偿。但此种实施方式,产生的镜像电流往往不足以补偿霍尔器件受应力的影响,且镜像比例的调节只能通过调整镜像电路的硬件结构来实现,存在补偿范围窄、输出补偿电压值无法量化计算的技术问题。
技术实现思路
[0004]本技术的目的之一在于提供一种应力补偿电路,以解决现有技术中应力补偿电路调节范围窄、调节过程复杂以及输出补偿电压值无法量化计算的 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种应力补偿电路,用于对磁场感测元件进行机械应力的补偿,其特征在于,包括电流发生器、第一参考电阻、第二参考电阻、电路输出端,以及相互并联的第一镜像支路和第二镜像支路;所述电流发生器连接所述第一镜像支路,所述第一镜像支路依次通过所述第一参考电阻和所述第二参考电阻接地,所述第二镜像支路分别连接所述第二参考电阻未接地一端以及所述电路输出端。2.根据权利要求1所述的应力补偿电路,其特征在于,所述第二镜像支路配置为,相对于所述第一镜像支路具有可调节的镜像比例系数;所述第一参考电阻和所述第二参考电阻配置为具有不同的压阻系数。3.根据权利要求1所述的应力补偿电路,其特征在于,所述第一镜像支路和所述第二镜像支路分别包括第一P沟道场效应管和第二P沟道场效应管;所述第一P沟道场效应管配置为源极连接工作电压、漏极连接所述第一参考电阻和所述电流发生器,且栅极连接漏极和所述第二P沟道场效应管的栅极;所述第二P沟道场效应管配置为源极连接所述工作电压,且漏极连接所述第二参考电阻未接地一端和所述电路输出端。4.根据权利要求1所述的应力补偿电路,其特征在于,所述磁场感测元件中感测平均电流在第一平面内流动,所述第一参考电阻内部具有第一平均电流,所述第二参考电阻内部具有第二平均电流;所述第一平均电流和所述第二平均电流配置为,其中之一在所述第一平面内流动,且其中另一在垂直于所述第一平面的方向上流动。5.根据权利要求1所述的应力补偿电路,其特征在于,所述电流发生器包括参考电压源、运算放大器和第一N沟道场效应管;所述运算放大器配置为正相输入端连接所述参考电压源、反相输入端连接所述第一参...
【专利技术属性】
技术研发人员:秦文辉,袁辅德,
申请(专利权)人:苏州纳芯微电子股份有限公司,
类型:新型
国别省市:
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