一种负/零热猝灭荧光材料及其制备方法技术

本发明专利技术属于光致发光材料技术领域，具体涉及一例负/零热猝灭荧光材料CP1的性质及其制备方法。其技术要点为：荧光材料CP1的分子式为[Cu2I2(bidpe)]n，bidpe是配体，化学名称为4,4'

【技术实现步骤摘要】
一种负/零热猝灭荧光材料及其制备方法


[0001]本专利技术属于光致发光
，涉及一种负/零热猝灭荧光材料及其制备方法。

技术介绍

[0002]光致发光材料在LED方面的应用十分广泛，光致发光材料的性能对LED的性能至关重要。除此之外，光致发光材料在荧光、传感、防伪等领域具有潜在的应用前景，并能够应用于生物标签、显示器和发光二极管等领域。但是有机或金属有机发光材料的光致发光强度会受到热猝灭的影响，随着温度的升高，其发光强度下降，发射光谱红移，严重阻碍了应用。
[0003]现有技术中，通常通过分子设计优化发光金属有机框架或配位聚合物的电子和光学性质，以此来提高光致发光量子产率。但是配位聚合物中具有共轭结构的有机配体通过多种振动和电子激发态显示出各种非辐射内驰豫途径，在非辐射驰豫过程中，发生热猝灭行为，降低环境温度下的发光效率。另一种方法是合成基于热激活延迟发光材料，激发单重态在高温下高效发光，但是绝大多数基于热激活延迟发光的材料依然无法避免由于非辐射驰豫过程而发生的猝灭行为，依然无法解决环境温度下如何提高发光效率的技术问题，大大限制了本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种负/零热猝灭荧光材料，其特征在于，所述材料CP1的分子式为[Cu2I2(bidpe)]
n
，bidpe是配体，化学名称为4,4'
‑
双(咪唑
‑1‑
基)二苯醚；所述配位聚合物CP1的分子结构式如下：2.根据权利要求1所述的一种负/零热猝灭荧光材料，其特征在于，所述材料CP1在100K时，为二维层状结构。3.根据权利要求1或2所述的一种负/零热猝灭荧光材料，其特征在于，所述配位聚合物CP1中的Cu2I2以四核铜
‑
碘簇的结构存在，且在100K时，所述四核铜
‑
碘簇的结构存在两种具有不同几何对称性和桥连原子的Cu(I)中心，Cu1和Cu3的配位环境相同，分别与一个μ2‑
I、一个μ3‑
I，和一个来自咪唑基团的N原子配位，形成了平面三角形构型；Cu2和Cu4的配位环境相同，分别与一个μ2‑
I、两个μ3‑
I，和一个来自咪唑基团的N原子配位，形成了扭曲的四面体配位中心。4.根据权利要求3所述的一种负/零热猝灭荧光材料，其特征在于，所述Cu(Ⅰ)原子通过μ2‑
I或μ3‑
I桥连形成菱形Cu
‑
I2‑
Cu单元。5.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴大雨，黄薇，李淼，
申请(专利权)人：常州大学，
类型：发明
国别省市：