发光器件和包括该发光器件的电子设备制造技术

提供了发光器件和包括该发光器件的电子设备。所述发光器件包括第一电极；第二电极，面对第一电极；中间层，位于第一电极与第二电极之间且包括发射层；至少一种由式1表示的第一化合物；以及至少一种由式2表示的第二化合物。以及至少一种由式2表示的第二化合物。以及至少一种由式2表示的第二化合物。

【技术实现步骤摘要】
发光器件和包括该发光器件的电子设备
[0001]本申请要求于2020年10月19日在韩国知识产权局提交的第10
‑
2020
‑
0135507号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。


[0002]本公开的实施例涉及一种发光器件和一种包括该发光器件的电子设备。

技术介绍

[0003]有机发光器件是自发射器件，与现有技术的其他器件相比，所述自发射器件具有宽视角、高对比度、短响应时间以及在亮度、驱动电压和响应速度方面的优异特性，并且产生全色图像。
[0004]在示例中，有机发光器件可以包括位于基底上的第一电极以及顺序地堆叠在第一电极上的空穴传输区域、发射层、电子传输区域和第二电极。从第一电极提供的空穴可以通过空穴传输区域朝向发射层移动，并且从第二电极提供的电子可以通过电子传输区域朝向发射层移动。载流子(诸如空穴和电子)在发射层中复合以产生激子。这些激子从激发态转变为基态，从而产生光。

技术实现思路

[0005]本公开的实施例涉及一种发光器件和包括该发光器本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光器件，所述发光器件包括：第一电极；第二电极，面对所述第一电极；中间层，位于所述第一电极与所述第二电极之间且包括发射层；至少一种第一化合物，所述至少一种第一化合物由式1表示；以及至少一种第二化合物，所述至少一种第二化合物由式2表示：式1式2式3其中，在式1、式2和式3中，X
11
为O、S、N(R
11a
)或C(R
11a
)(R
11b
)，Ar
11
为C5‑
C
60
碳环基或C1‑
C
60
杂环基，L
11
、L
12
和L
31
至L
33
均独立地为单键、未被取代的或取代有至少一个R
10a
的C5‑
C
60
碳环基或者未被取代的或取代有至少一个R
10a
的C1‑
C
60
杂环基，a11、a12和a31至a33均独立地为1至3的整数，Y为C或Si，Z1为无键、单键、O、S、N(R
21a
)或C(R
21a
)(R
21b
)，Z2为无键、单键、O、S、N(R
22a
)或C(R
22a
)(R
22b
)，其中，当Z1为O或S时，Z2不为单键，Ar
21
为由式3表示的基团，b21为1至10的整数，
Y
31
为N或C(R
31a
)，Y
32
为N或C(R
32a
)，Y
33
为N或C(R
33a
)，式3中的*表示与相邻原子的结合位，R1至R8、R
11
、R
11a
、R
11b
、R
12
、R
21
、R
21a
、R
21b
、R
22
、R
22a
、R
22b
、R
33
、R
32
、R
31a
、R
32a
和R
33a
均独立地为氢、氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、未被取代的或取代有至少一个R
10a
的C1‑
C
60
烷基、未被取代的或取代有至少一个R
10a
的C2‑
C
60
烯基、未被取代的或取代有至少一个R
10a
的C2‑
C
60
炔基、未被取代的或取代有至少一个R
10a
的C1‑
C
60
烷氧基、未被取代的或取代有至少一个R
10a
的C3‑
C
60
碳环基、未被取代的或取代有至少一个R
10a
的C1‑
C
60
杂环基、未被取代的或取代有至少一个R
10a
的C6‑
C
60
芳氧基、未被取代的或取代有至少一个R
10a
的C6‑
C
60
芳硫基、
‑
Si(Q1)(Q2)(Q3)、
‑
N(Q1)(Q2)、
‑
B(Q1)(Q2)、
‑
C(＝O)(Q1)、
‑
S(＝O)2(Q1)或
‑
P(＝O)(Q1)(Q2)，d11为1至10的整数，d12为1至7的整数，d21为1至10的整数，d22为1至9的整数，d32和d33均为整数1，所述至少一种第一化合物包括至少一个氘，并且R
10a
为：氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基或硝基，均未被取代的或取代有氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基、硝基、C3‑
C
60
碳环基、C1‑
C
60
杂环基、C6‑
C
60
芳氧基、C6‑
C
60
芳硫基、
‑
Si(Q
11
)(Q
12
)(Q
13
)、
‑
N(Q
11
)(Q
12
)、
‑
B(Q
11
)(Q
12
)、
‑
C(＝O)(Q
11
)、
‑
S(＝O)2(Q
11
)、
‑
P(＝O)(Q
11
)(Q
12
)或其任何组合的C1‑
C
60
烷基、C2‑
C
60
烯基、C2‑
C
60
炔基或C1‑
C
60
烷氧基，均未被取代的或取代有氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基、硝基、C1‑
C
60
烷基、C2‑
C
60
烯基、C2‑
C
60
炔基、C1‑
C
60
烷氧基、C3‑
C
60
碳环基、C1‑
C
60
杂环基、C6‑
C
60
芳氧基、C6‑
C
60
芳硫基、
‑
Si(Q
21
)(Q
22
)(Q
23
)、
‑
N(Q
21
)(Q
22
)、
‑
B(Q
21
)(Q
22
)、
‑
C(＝O)(Q
21
)、
‑
S(＝O)2(Q
21
)、
‑
P(＝O)(Q
21
)(Q
22
)或其任何组合的C3‑
C
60
碳环基、C1‑
C
60
杂环基、C6‑
C
60
芳氧基或C6‑
C
60
芳硫基，或者
‑
Si(Q
31
)(Q
32
)(Q
33
)、
‑
N(Q
31
)(Q
32
)、
‑
B(Q
31
)(Q
32
)、
‑
C(＝O)(Q
31
)、
‑
S(＝O)2(Q
31
)或
‑
P(＝O)(Q
31
)(Q
32
)，并且其中，Q1至Q3、Q
11
至Q
13
、Q
21
至Q
23
和Q
31
至Q
33
均独立地为：氢；氘；
‑
F；
‑
Cl；
‑
Br；
‑
I；羟基；氰基；硝基；C1‑
C
60
烷基；C2‑
C
60
烯基；C2‑
C
60
炔基；C1‑
C
60
烷氧基；或者均未被取代的或取代有氘、
‑
F、氰基、C1‑
C
60
烷基、C1‑
C
60
烷氧基、苯基、联苯基或其任何组合的C3‑
C
60
碳环基或C1‑
C
60
杂环基。2.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述发射层包括所述至少一种第一化合物。3.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一电极是阳极，所述第二电极是阴极，所述中间层还包括位于所述发射层与所述第一电极之间的空穴传输区域，所述中间层还包括位于所述发射层与所述第二电极之间的电子传输区域，
式4
‑
4式4
‑
5(EDG)
b41
‑
[(L
44
)
a44
‑
(EWG)
t42
]
s41
式4
‑
6(EWG)
t42
‑
[(L
44
)
a44
‑
(EDG)
b41
]
s42
式4
‑
7(EDG)
b411
‑
(L
44
)
a44
‑
(EWG)
t42
‑
(L
45
)
a45
‑
(EDG)
b412
式4
‑
8(EWG)
t421
‑
(L
44
)
a44
‑
(EDG)
b41
‑
(L
45
)
a45
‑
(EWG)
t422
式4
‑
9A
41
‑
[(L
44
)
a44
‑
(EDG)
b41
]
s43
，其中，在式4
‑
1中，A
41
为未被取代的或取代有至少一个R
10a
的C3‑
C
60
碳环基或者未被取代的或取代有至少一个R
10a
的C1‑
C
60
杂环基，L
41
至L
43
均独立地为单键、未被取代的或取代有至少一个R
10a
的C3‑
C
60
碳环基或者未被取代的或取代有至少一个R
10a
的C1‑
C
60
杂环基，a41至a43均独立地为1至3的整数，
Ar
41
和Ar
42
均独立地为未被取代的或取代有至少一个R
10a
的C3‑
C
60
碳环基、未被取代的或取代有至少一个R
10a
的C1‑
C
60
杂环基或者未被取代的或取代有至少一个R
10a
的C6‑
C
60
芳氧基，并且m41为1至6的整数，在式4
‑
2至式4
‑
4中，X
41
至X
45
均独立地为单键、O、S、N(R
46
)、B(R
46
)、C(R
46
)(R
47
)或Si(R
46
)(R
47
)，n41和n42均独立地为0、1或2，其中，当n41为0时，A
41
和A
42
彼此不连接，并且当n42为0时，A
44
和A
45
彼此不连接，Y
41
和Y
42
均独立地为N、B或P，Z
41
和Z
42
均独立地为N、C(R
48
)或Si(R
48
)，A
41
至A
45
均独立地选自于C3‑
C
30
碳环基和C1‑
C
30
杂环基，R
41
至R
48
均独立地为氢、氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基、硝基、未被取代的或取代有至少一个R
10a
的C1‑
C
60
烷基、未被取代的或取代有至少一个R
10a
的C2‑
C
60
烯基、未被取代的或取代有至少一个R
10a
的C2‑
C
60
炔基、未被取代的或取代有至少一个R
10a
的C1‑
C
60
烷氧基、未被取代的或取代有至少一个R
10a
的C3‑
C
60
碳环基、未被取代的或取代有至少一个R
10a
的C1‑
C
60
杂环基、未被取代的或取代有至少一个R
10a
的C6‑
C
60
芳氧基、未被取代的或取代有至少一个R
10a
的C6‑
C
60
芳硫基、
‑
Si(Q1)(Q2)(Q3)、
‑
N(Q1)(Q2)、
‑
B(Q1)(Q2)、
‑
C(＝O)(Q1)、
‑
S(＝O)2(Q1)或
‑
P(＝O)(Q1)(Q2)，并且c41至c45均独立地为1至10的整数，并且在式4
‑
5至式4
‑
9中，A
41
为未被取代的或取代有至少一个R
10a
的C3‑
C
60
碳环基或者未被取代的或取代有至少一个R
10a
的C1‑
C
60
杂环基，EDG表示给电子基团，并且EWG表示吸电子基团，b41、b411、b412、t42、t421和t422均独立地为1至3的整数，L
44
和L
45
均独立地为单键、未被取代的或取代有至少一个R
10a
的C3‑
C
60
碳环基或者未被取代的或取代有至少一个R
10a
的C1‑
C

【专利技术属性】
技术研发人员：朴惠晸，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：