量子点电致发光器件及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种量子点电致发光器件及其制备方法，所述发光器件包括：衬底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点层、界面改性层、电子传输层和阴极。通过在量子点层和电子传输层之间增加界面改性层来修饰量子点层和电子传输层界面处的膜层材料的表面缺陷，钝化非辐射复合活性点，抑制激子淬灭的发生，有效改善电子传输层和量子点层界面处的载流子传输效率，从而提升器件的效率和延长寿命。从而提升器件的效率和延长寿命。从而提升器件的效率和延长寿命。

【技术实现步骤摘要】
量子点电致发光器件及其制备方法


[0001]本专利技术属于量子点电致发光器件
，具体涉及一种量子点电致发光器件及其制备方法。

技术介绍

[0002]目前量子点电致发光器件(QLED)的结构，是阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、阴极等组成部分。量子点材料具有很高的比表面积，成膜后其表面缺陷较多，导致发光层表面能较高，容易吸附杂质或容易与其他物质发生化学反应，因此在量子点材料合成过程中会通过引入有机配体(比如油胺、油酸、硫醇等)来修饰量子点纳米颗粒。但是对于发光器件，非辐射复合过程造成的荧光淬灭主要方面之一源于发光层与功能层成膜后两者界面缺陷较多，这些缺陷就会成为荧光淬灭的发生中心。这严重降低了发光器件的发光效率，加速了器件寿命的衰减。特别地，量子点发光层和电子传输层之间的界面问题显得尤其突出；一般而言，电子传输层采用无机氧化锌材料，该无机氧化锌材料也是纳米晶，表面缺陷态较多。

技术实现思路

[0003]本专利技术旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本专利技术的一个目的在于提出一种量子点电致发光器件及其制备方法。本专利技术通过在量子点层和电子传输层之间增加界面改性层来修饰量子点层和电子传输层界面处的膜层材料的表面缺陷，钝化非辐射复合活性点，抑制激子淬灭的发生，有效改善电子传输层和量子点层界面处的载流子传输效率，从而提升器件的效率和延长寿命。
[0004]在本专利技术的一个方面，本专利技术提出了一种量子点电致发光器件，根据本专利技术的实施例，所述量子点电致发光器件包括：
[0005]衬底；
[0006]阳极，所述阳极设在所述衬底的至少部分表面上；
[0007]空穴注入层，所述空穴注入层设在所述阳极的远离所述衬底的至少部分表面上；
[0008]空穴传输层，所述空穴传输层设在所述空穴注入层的远离所述阳极的至少部分表面上；
[0009]量子点层，所述量子点层设在所述空穴传输层的远离所述空穴注入层的至少部分表面上；
[0010]界面改性层，所述界面改性层设在所述量子点层的远离所述空穴传输层的至少部分表面上；
[0011]电子传输层，所述电子传输层设在所述界面改性层的远离所述量子点层的至少部分表面上；
[0012]阴极，所述阴极设在所述电子传输层的远离所述界面改性层的至少部分表面上。
[0013]根据本专利技术实施例的量子点电致发光器件，通过在量子点层和电子传输层之间增
加界面改性层来修饰量子点层和电子传输层界面处的膜层材料的表面缺陷，钝化非辐射复合活性点，抑制激子淬灭的发生，有效改善电子传输层和量子点层界面处的载流子传输效率，从而提升器件的效率和延长寿命。
[0014]另外，根据本专利技术上述实施例的量子点电致发光器件还可以具有如下附加的技术特征：
[0015]在本专利技术的一些实施例中，所述界面改性层的材料选自乙氧基化聚乙烯亚胺、铌铁酸铅和碳酸铯中的至少之一。
[0016]在本专利技术的一些实施例中，所述界面改性层的厚度为5nm
‑
20nm。
[0017]在本专利技术的一些实施例中，所述量子点层的材料为核壳量子点和/或无机钙钛矿量子点。
[0018]在本专利技术的一些实施例中，所述核壳量子点选自CdS核壳量子点、CdTe核壳量子点、CdSe核壳量子点、ZnSe核壳量子点、ZnTe核壳量子点、PbS核壳量子点、PbSe核壳量子点、InP核壳量子点和CuInS核壳量子点中的至少之一；
[0019]在本专利技术的一些实施例中，所述无机钙钛矿量子点选自ABX3结构体系量子点、A2B2X6结构体系量子点和A3B3X9结构体系量子点中的至少之一，其中元素A为铯或铷，元素B为铅、锡、锑、碲或锰，卤素X为F、Cl、Br或I。
[0020]在本专利技术的一些实施例中，所述量子点层的厚度为20nm
‑
50nm。
[0021]在本专利技术的一些实施例中，所述电子传输层的材料选自二氧化钛、氧化锌、镁掺杂氧化锌、铝掺杂氧化锌和氧化锡中的至少之一。
[0022]在本专利技术的一些实施例中，所述电子传输层的厚度为20nm
‑
50nm。
[0023]在本专利技术的一些实施例中，所述空穴传输层的材料选自聚(9
‑
乙烯基咔唑)、聚[(9,9
‑
二正辛基芴基
‑
2,7
‑
二基)
‑
alt
‑
(4,4'
‑
(N
‑
(4
‑
正丁基)苯基)
‑
二苯胺)]和聚[双(4
‑
苯基)(4
‑
丁基苯基)胺]中的至少之一。
[0024]在本专利技术的一些实施例中，所述空穴传输层的厚度为20nm
‑
40nm。
[0025]在本专利技术的一些实施例中，所述空穴注入层的材料选自PEDOT:PSS、氧化钼、氧化钨和氧化镍中的至少之一。
[0026]在本专利技术的一些实施例中，所述空穴注入层的厚度为20nm
‑
40nm。
[0027]在本专利技术的一些实施例中，还包括盖板，所述盖板设在所述阴极的远离所述电子传输层的表面上。
[0028]在本专利技术的再一个方面，本专利技术提出了一种制备上述量子点电致发光器件的方法。根据本专利技术的实施例，所述方法包括：
[0029](1)在衬底的至少部分表面上制作阳极；
[0030](2)通过溶液旋涂法在所述阳极的远离所述衬底的至少部分表面上依次制备空穴注入层、空穴传输层和量子点层；
[0031](3)通过溶液旋涂法在所述量子点层的远离所述空穴传输层的至少部分表面上制备界面改性层；
[0032](4)通过溶液旋涂法在所述界面改性层的远离所述量子点层的至少部分表面上制备电子传输层；
[0033](5)在所述电子传输层的远离所述界面改性层的至少部分表面上制备阴极。
[0034]根据本专利技术实施例的制备上述量子点电致发光器件的方法，通过在量子点层和电子传输层之间增加界面改性层来修饰量子点层和电子传输层界面处的膜层材料的表面缺陷，钝化非辐射复合活性点，抑制激子淬灭的发生，有效改善电子传输层和量子点层界面处的载流子传输效率，从而提升器件的效率和延长寿命。
[0035]另外，根据本专利技术上述实施例的制备上述量子点电致发光器件的方法还可以具有如下附加的技术特征：
[0036]在本专利技术的一些实施例中，在步骤(3)中，制备所述界面改性层的旋涂溶液的浓度为0.5mg/mL
‑
5.0mg/mL。
[0037]在本专利技术的一些实施例中，在步骤(3)中，制备所述界面改性层的旋涂转速为2000rpm
‑
5000rpm。
[0038]在本专利技术的一些实施例中，制备所述界面改性层的旋涂溶液的溶剂选自乙醇和乙二醇乙醚中的至少之一。
[0039本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种量子点电致发光器件，其特征在于，包括：衬底；阳极，所述阳极设在所述衬底的至少部分表面上；空穴注入层，所述空穴注入层设在所述阳极的远离所述衬底的至少部分表面上；空穴传输层，所述空穴传输层设在所述空穴注入层的远离所述阳极的至少部分表面上；量子点层，所述量子点层设在所述空穴传输层的远离所述空穴注入层的至少部分表面上；界面改性层，所述界面改性层设在所述量子点层的远离所述空穴传输层的至少部分表面上；电子传输层，所述电子传输层设在所述界面改性层的远离所述量子点层的至少部分表面上；阴极，所述阴极设在所述电子传输层的远离所述界面改性层的至少部分表面上。2.根据权利要求1所述的量子点电致发光器件，其特征在于，所述界面改性层的材料选自乙氧基化聚乙烯亚胺、铌铁酸铅和碳酸铯中的至少之一。3.根据权利要求1所述的量子点电致发光器件，其特征在于，所述界面改性层的厚度为5nm
‑
20nm。4.根据权利要求1
‑
3任一项所述的量子点电致发光器件，其特征在于，所述量子点层的材料为核壳量子点和/或无机钙钛矿量子点；任选地，所述核壳量子点选自CdS核壳量子点、CdTe核壳量子点、CdSe核壳量子点、ZnSe核壳量子点、ZnTe核壳量子点、PbS核壳量子点、PbSe核壳量子点、InP核壳量子点和CuInS核壳量子点中的至少之一；任选地，所述无机钙钛矿量子点选自ABX3结构体系量子点、A2B2X6结构体系量子点和A3B3X9结构体系量子点中的至少之一，其中元素A为铯或铷，元素B为铅、锡、锑、碲或锰，卤素X为F、Cl、Br或I；任选地，所述量子点层的厚度为20nm
‑
50nm；任选地，所述电子传输层的材料选自二氧化钛、氧化锌、镁掺杂氧化锌、铝掺杂氧化锌和氧化锡中的至少之一；任选地，所述电子传输层的厚度为20nm
‑
50nm。5.根据权利要求1
‑
3任一项所述的量子点电致发光器件，其特征在于，所述空穴传输层的材料选自聚(9
‑
乙烯基咔唑)、聚[(9,9
‑
二正辛基芴基
‑
2,7
‑
二基)
‑
alt
‑
(4,4'
‑
(N
‑
(4
‑
正丁基)苯基)
‑
二苯胺)]和聚[双(4
‑
苯基)(4
‑
丁基苯基)胺]中的至少之一；任选地，所述空穴传输层的厚度为20nm
‑

【专利技术属性】
技术研发人员：龙能文，管子豪，杨紫琰，
申请(专利权)人：合肥福纳科技有限公司，
类型：发明
国别省市：