存储器装置及其操作方法制造方法及图纸

本申请涉及存储器装置及其操作方法。提供了一种通过在减小流过位线的峰值电流的同时减少编程操作完成的时间来改进性能的存储器装置和该存储器装置的操作方法。装置和该存储器装置的操作方法。装置和该存储器装置的操作方法。

【技术实现步骤摘要】
存储器装置及其操作方法


[0001]本文所描述的一个或更多个实施方式涉及一种存储器装置和操作存储器装置的方法。

技术介绍

[0002]存储装置在主机的控制下将数据存储在存储器装置中。在一些情况下，存储装置可包括控制存储器装置的存储控制器。
[0003]存储器装置被分类为易失性存储器装置或非易失性存储器装置。仅当从电源供电时，易失性存储器装置才可存储数据。当供电中断时，存储在易失性存储器装置中的数据可消失。易失性存储器装置的示例包括静态随机存取存储器(SRAM)和动态随机存取存储器(DRAM)。
[0004]即使当供电中断时，非易失性存储器装置也存储数据。非易失性存储器装置的示例包括只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除ROM(EEROM)和闪存。

技术实现思路

[0005]实施方式提供了一种通过在减小流过位线的峰值电流的同时减少编程操作完成的时间来改进性能的存储器装置和该存储器装置的操作方法。
[0006]根据本公开的一方面，提供了一种存储器装置，该存储器装本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器装置，该存储器装置包括：多个存储器单元；多个页缓冲器，各个页缓冲器通过多条位线联接到对应存储器单元，并且暂时存储要分别存储在所述多个存储器单元中的数据；以及页缓冲器控制器，该页缓冲器控制器在将所述数据存储在所述多个存储器单元中的编程操作中控制要施加到所述多条位线的一个或更多个电压，其中，所述编程操作包括多个编程循环，各个编程循环包括编程电压施加操作和验证操作，所述编程电压施加操作包括预充电时段、编程电压施加时段和放电时段，所述多个页缓冲器响应于从所述页缓冲器控制器输出的页缓冲器感测信号而将位线电压提供给所述多条位线，并且所述页缓冲器控制器包括：第一信号提供器，该第一信号提供器在所述预充电时段中的第一时段期间提供第一脉冲信号作为所述页缓冲器感测信号，所述第一脉冲信号具有大于接地电压的第一电压电平；以及第二信号提供器，该第二信号提供器在所述第一时段之后提供第二脉冲信号作为所述页缓冲器感测信号，所述第二脉冲信号以根据所述多个编程循环的循环计数确定的斜率从所述第一电压电平增加至第二电压电平，所述斜率与多个预定斜率中的一个对应。2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，当所述循环计数等于或小于第一基准计数时或者当所述循环计数大于比所述第一基准计数大的第二基准计数时，所述第二信号提供器在第二时段期间提供所述第二脉冲信号以包括第一斜坡信号，所述第一斜坡信号以大于第二斜率的第一斜率增加，所述第二时段在所述预充电时段中发生在所述第一时段之后。3.根据权利要求2所述的存储器装置，其中，所述第二电压电平对应于所述页缓冲器中的页缓冲器感测晶体管导通的导通电压，所述页缓冲器感测晶体管响应于所述页缓冲器感测信号而连接位线和公共感测节点，并且所述第二信号提供器在所述第二时段之后提供第三脉冲信号作为所述页缓冲器感测信号，所述第三脉冲信号具有所述第二电压电平。4.根据权利要求3所述的存储器装置，其中，在供应所述第一斜坡信号和具有所述第二电压电平的所述第三脉冲信号时，所述接地电压被施加到共同连接到所述多个存储器单元的字线。5.根据权利要求2所述的存储器装置，其中，当所述循环计数大于所述第一基准计数并且等于或小于所述第二基准计数时，所述第二信号提供器在第三时段期间提供第二斜坡信号作为所述页缓冲器感测信号，所述第二斜坡信号在比所述第二时段长的所述第三时段期间以所述第二斜率增加。6.根据权利要求5所述的存储器装置，其中，所述第二电压电平对应于所述页缓冲器中的页缓冲器感测晶体管导通的导通电压，所述页缓冲器感测晶体管响应于所述页缓冲器感测信号而连接位线和公共感测节点，并且
所述第二信号提供器在所述第三时段之后提供具有所述第二电压电平的第三脉冲信号作为所述页缓冲器感测信号。7.根据权利要求5所述的存储器装置，其中，所述第二电压电平低于所述页缓冲器中的页缓冲器感测晶体管导通的导通电压，所述页缓冲器感测晶体管响应于所述页缓冲器感测信号而连接位线和公共感测节点，并且所述页缓冲器控制器还包括第三信号提供器，所述第三信号提供器在所述第三时段之后提供具有所述导通电压的第三脉冲信号作为所述页缓冲器感测信号。8.根据权利要求7所述的存储器装置，其中，在供应所述第二斜坡信号和具有所述导通电压的所述第三脉冲信号时，所述接地电压被施加到共同连接到所述多个存储器单元的字线。9.一种存储器装置，该存储器装置包括：多个存储器单元；多个页缓冲器，各个页缓冲器通过多条位线联接到对应存储器单元，并且暂时存储所述多个存储器单元中的相应存储器单元中的数据；以及页缓冲器控制器，该页缓冲器控制器在将所述数据存储在所述多个存储器单元中的编程操作中控制要施加到所述多条位线的一个或更多个电压，其中，所述编程操作包括多个编程循环，各个编程循环包括编程电压施加操作和验证操作，所述编程电压施加操作包括预充电时段、编程电压施加时段和放电时段，所述多个页缓冲器响应于从所述页缓冲器控制器输出的页缓冲器感测信号而将位线电压提供给所述多条位线，并且所述页缓冲器控制器包括：第一信号提供器，该第一信号提供器在所述预充电时段中的第一时段期间提供第一脉冲信号作为所述页缓冲器感测信号，所述第一脉冲信号具有高于接地电压的第一电压电平；以及第二信号提供器，该第二信号提供器在所述第一时段之后提供阶跃信号作为所述页缓冲器感测信号，所述阶跃信号基于阶跃电压从所述第一电压电平增加至第二电压电平，所述阶跃电压在多个预定阶跃电压当中与所述多个编程循环的循环计数对应。10.根据权利要求9所述的存储器装置，其中，当所述循环计数等于或小于第一基准计数时或者当所述循环计数大于比所述第一基准计...

【专利技术属性】
技术研发人员：金英镒，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：