一种光刻设备及其状态调整方法、装置制造方法及图纸

本公开提供一种光刻设备及其状态调整方法、装置。本公开的光刻设备状态调整方法包括：根据标准晶圆对光刻设备进行聚焦检测，得到所述光刻设备的当前聚焦值；根据所述当前聚焦值和所述标准晶圆对应的初始聚焦值，对所述光刻设备进行状态调整；其中，所述标准晶圆是初始状态下的所述光刻设备根据所述初始聚焦值制作的。该方案的优点在于：将光刻设备最新的变化值补偿到设备里，从而保证聚焦值依然和最初一样；可去除因涂胶厚度变化等因素所造成的误测量的现象；由于不需要进行涂胶，能节省相关费用；由于不需要在光刻机上进行曝光，聚焦需要的时间减少。要的时间减少。要的时间减少。

【技术实现步骤摘要】
一种光刻设备及其状态调整方法、装置


[0001]本公开涉及半导体
，具体涉及一种一种光刻设备及其状态调整方法、装置。

技术介绍

[0002]光刻是半导体制造过程中一道非常重要的工序，它是将一系列掩模版上的芯片图形通过曝光依次转移到晶圆相应层上的工艺过程，被认为是大规模集成电路制造中的核心步骤。半导体制造中一系列复杂而耗时的光刻工艺主要由相应的涂胶显影机TRACK及光刻机来完成，如扫描式光刻机(Scanner)。
[0003]利用光刻机进行光刻前，一般需要进行聚焦检测。现有的聚焦检测方法如图1所示，其左侧为聚焦检测的流程图，右侧用到的涂胶显影机TRACK及光刻机。现有的聚焦检测流程包括晶圆涂胶、图形曝光及显影，最后进行聚焦值测量，以确认最佳焦距。
[0004]然而，涂胶显影机TRACK上会变更涂胶厚度(Thickness PR)，由于涂胶厚度变动，曝光能量(ExposureEnergy)也必须变动，如涂胶厚度为6000、6500、7000，分别对应的曝光能量为22mj/cm2、25mj/cm2、28mj/cm2。涂胶厚度变动本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光刻设备状态调整方法，其特征在于，包括：根据标准晶圆对光刻设备进行聚焦检测，得到所述光刻设备的当前聚焦值；根据所述当前聚焦值和所述标准晶圆对应的初始聚焦值，对所述光刻设备进行状态调整；其中，所述标准晶圆是初始状态下的所述光刻设备根据所述初始聚焦值制作的。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述当前聚焦值和所述标准晶圆对应的初始聚焦值，对所述光刻设备进行状态调整，包括：比较所述当前聚焦值和所述初始聚焦值，得到补偿数据；根据所述补偿数据对所述光刻设备的聚焦参数设置进行调整，以使所述光刻设备的当前聚焦值恢复至所述初始聚焦值。3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：对调整后的所述光刻设备进行状态确认。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述标准晶圆的制作过程如下：确定所述光刻设备处于初始状态下，并设置初始聚焦值；根据所述初始聚焦值对预设数量的晶圆进行光刻工艺处理；将处理完成的晶圆作为标准晶圆。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述将处理完成的...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁贤石，金成昱，金帅炯，贺晓彬，杨涛，刘金彪，李亭亭，
申请(专利权)人：真芯北京半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：